本申请提供一种具有加热结构的半导体设备，涉及半导体制造工艺技术领域，包括粒子准直器、第一加热结构和第一适配器，其中粒子准直器内部设有可供粒子束穿过的准直孔。第一加热结构位于粒子准直器的外周侧，第一加热结构用于对粒子准直器进行加热释气。第一适配器用于套设在粒子准直器的外周侧，且第一适配器罩设在第一加热结构上。也就是说，通过套设在粒子准直器的外周侧的第一适配器罩设在第一加热结构上，利用第一加热结构直接对粒子准直器进行有效烘烤加热，提高对粒子准直器加热过程的效果和安全性。通过第一适配器实现在不拆加热灯的情况下，对粒子准直器及其周围的零部件进行维护和更换。
【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体制造工艺，具体涉及一种具有加热结构的半导体设备。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，物理气相沉积技术被广泛用于形成金属连接层。通过粒子准直器能够约束溅射粒子的运动，提高粒子的准直性，进而改善在高深宽比结构中的台阶覆盖率。
2、粒子准直器在使用过程中可能会吸附一些气体或杂质，污染腔体的真空环境，影响沉积过程的纯净度和稳定性，导致半导体器件的性能下降和可靠性问题。为了减少粒子准直器对腔体真空的污染，需要对粒子准直器进行加热释气。
3、然而，通过布置在主腔室的加热灯对粒子准直器进行加热，会导致其他部件也被加热到较高温度，经历比较频繁的温度波动，导致腔室内较严重的微粒剥离，影响腔室真空度的达成。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种具有加热结构的半导体设备，解决对粒子准直器加热效率低、温度不均匀、拆机维护不便等问题，有效缓解加热结构对其他零部件的热影响，提升粒子准直器加热过程的性能与可靠性。
2、本申请实施例为解决上述技术问题提供如下技术方案：
3、本申请实施例提供了一种具有加热结构的半导体设备，包括：
4、粒子准直器，所述粒子准直器内部设有可供粒子束穿过的准直孔；
5、第一加热结构，所述第一加热结构位于所述粒子准直器的外周侧，所述第一加热结构用于对所述粒子准直器进行加热释气；
6、第一适配器，所述第一适配器用于套设在所述粒子准直器的外周侧，且所述第一加热结构位于所述第一适配器上。</p>7、本申请实施例的有益效果：本申请实施例提供的具有加热结构的半导体设备包括粒子准直器、第一加热结构和第一适配器，其中粒子准直器内部设有可供粒子束穿过的准直孔。第一加热结构位于粒子准直器的外周侧，第一加热结构用于对粒子准直器进行加热释气。第一适配器用于套设在粒子准直器的外周侧，且第一加热结构位于第一适配器上。也就是说，位于粒子准直器外周侧的第一加热结构可以直接对粒子准直器进行烘烤加热释气，有效地去除粒子准直器表面的气体和杂质，防止影响粒子束的传输和设备的性能。第一加热结构位于第一适配器上，且第一适配器可以套设在粒子准直器的外周侧，从而将第一加热结构正确定位在粒子准直器的外周侧，以保证烘烤释气的效果。并且，第一适配器与粒子准直器通过套设的方式可拆卸连接，有利于后续的对粒子准直器及其周围的零部件进行维护和更换。
8、在一种可能的实施方式中，所述第一适配器朝向所述粒子准直器的内壁上设有凹槽；
9、所述第一加热结构位于所述凹槽内。
10、第一加热结构位于第一适配器的凹槽内，使得第一加热结构与粒子准直器之间的距离最小化，增强加热效果，释气过程更为高效。第一适配器的内壁上的凹槽还可以对第一加热结构提供保护，防止外部的环境因素对第一加热结构产生不利影响。
11、在一种可能的实施方式中，所述第一加热结构包括加热灯，所述加热灯沿所述粒子准直器的外周侧环形布置；
12、或，所述第一加热结构包括至少两组加热灯，所述加热灯沿所述粒子准直器的外周侧对称布置。
13、加热灯环形对称布置，可以使得第一加热结构对粒子准直器的加热温度均匀有效，保证加热释气的均匀性。
14、在一种可能的实施方式中，所述凹槽的内壁经抛光后形成抛光面，所述抛光面用于将投射到所述抛光面上的辐射光源反射至所述粒子准直器上。
15、抛光面可以有效减少第一加热结构投射出光源的散射和损失，以使得更多的光线能够准确的投射到粒子准直器上。抛光面还可以防止第一适配器在加热过程中被第一加热结构显著加热，降低第一适配器的温度，防止操作人员误碰触第一适配器的外表面被灼伤。
16、在一种可能的实施方式中，所述第一适配器的所述凹槽内设有若干支架，若干所述支架用于固定所述第一加热结构。
17、通过支架可以使第一加热结构稳固的安装在第一适配器的凹槽内，防止操作过程中第一加热结构发生位移或晃动，确保第一加热结构对粒子准直器高效且均匀的加热。
18、在一种可能的实施方式中，每个所述加热灯包括灯管，以及与所述灯管一端相连的出线接头；
19、所述灯管位于所述第一适配器的所述凹槽内，所述出线接头位于所述第一适配器的外侧。
20、有利于加热灯的接线、电源连接和控制，也有利于后期的日常维护和检修，优化了第一适配器的空间利用率，使第一加热结构更加紧凑，节省设备其他零部件的集成和作业。
21、在一种可能的实施方式中，所述出线接头包括陶瓷壳，以及位于所述陶瓷壳内部的接线端子；
22、所述接线端子与所述灯管电连接，且所述陶瓷壳与所述第一适配器的外侧相连。
23、陶瓷壳具有绝缘性和耐高温特性，陶瓷壳可以有效隔绝接线端子与外部环境，防止短路和漏电。
24、在一种可能的实施方式中，所述灯管朝向所述粒子准直器的外侧呈弧形状。
25、在一种可能的实施方式中，还包括：主腔室结构和第二适配器，沿所述粒子束出射的方向，所述第二适配器位于所述主腔室结构与所述第一适配器之间，且所述第二适配器与所述主腔室结构和所述第一适配器相连；
26、所述主腔室结构内设有主腔室，且所述主腔室内设有第二加热结构。
27、第二加热结构可以对主腔室内的零部件进行加热释气等热处理。在一定情况下，还可以通过第二加热结构对粒子准直器进一步加热释气。
28、在一种可能的实施方式中，还包括：源极外壳，所述源极外壳与所述第一适配器背离所述粒子准直器的一端相连，且所述源极外壳内设有产生粒子束的靶材。
29、源极外壳用于保护和容纳粒子准直器、第一适配器、第二适配器等零部件。源极外壳还可以隔热，防止操作人员被烫伤。
30、除了上面所描述的本申请解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本申请提供的一种具有加热结构的半导体设备所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种具有加热结构的半导体设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述第一适配器朝向所述粒子准直器的内壁上设有凹槽；
3.根据权利要求2所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述第一加热结构包括加热灯，所述加热灯沿所述粒子准直器的外周侧环形布置；
4.根据权利要求2或3所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述凹槽的内壁具有抛光面，所述抛光面用于将投射到所述抛光面上的辐射光源反射至所述粒子准直器上。
5.根据权利要求2或3所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述凹槽内设有若干支架，所述若干支架用于固定所述第一加热结构。
6.根据权利要求3所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，每个所述加热灯包括灯管，以及与所述灯管一端相连的出线接头；
7.根据权利要求6所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述出线接头包括陶瓷壳，以及位于所述陶瓷壳内部的接线端子；
8.根据权利要求6所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述灯管朝向所述粒子准直器的外侧呈弧形状。
9.根据权利要求1-3任一所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，还包括：主腔室结构和第二适配器，沿所述粒子束出射的方向，所述第二适配器位于所述主腔室结构与所述第一适配器之间，且所述第二适配器与所述主腔室结构和所述第一适配器相连；
10.根据权利要求1-3任一所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，还包括：源极外壳，所述源极外壳与所述第一适配器背离所述粒子准直器的一端相连，且所述源极外壳内设有产生粒子束的靶材。
...
【技术特征摘要】
1.一种具有加热结构的半导体设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述第一适配器朝向所述粒子准直器的内壁上设有凹槽；
3.根据权利要求2所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述第一加热结构包括加热灯，所述加热灯沿所述粒子准直器的外周侧环形布置；
4.根据权利要求2或3所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述凹槽的内壁具有抛光面，所述抛光面用于将投射到所述抛光面上的辐射光源反射至所述粒子准直器上。
5.根据权利要求2或3所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，所述凹槽内设有若干支架，所述若干支架用于固定所述第一加热结构。
6.根据权利要求3所述的具有加热结构的半导体设备，其特征在于，每个所述加热灯包括灯...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂啸，翁昌威，候晓静，
申请(专利权)人：深圳市新凯来工业机器有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。