【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在半导体装置的半导体层中，例如形成包含硅化物且供电极连接的连接区域。期望抑制经由电极与半导体层之间的连接区域的电阻(接触电阻)的增大。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置包含半导体层、第一电极、第二电极、控制电极以及连接区域。所述半导体层包含第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域。所述第一半导体区域为第一导电型。所述第二半导体区域与所述第一半导体区域相接，为第二导电型。所述第三半导体区域以所述第二半导体区域的一部分位于所述第三半导体区域与所述第一半导体区域之间的方式设置，是第一导电型。所述第一电极与所述第一半导体区域电连接。所述第二电极与所述第三半导体区域电连接。所述控制电极隔着绝缘膜与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域以及所述第三半导体区域分别对置。所述连接区域位于所述第一电极与所述第一半导体区域之间，将所述第一电极与所述第一半导体区域电连接。所述连接区域包含选自由ti、v、cr、zr、mo、hf、ta和w组成的组中的至少一种第一金属元素与si的化合物以及pt与si的化合物。所述连接区域包含与所述半导体层中的n型区域在第一方向上相邻的第一部分。所述第一部分中的所述第一方向的所述第一金属元素的浓度分布的峰值位置是所述第一部分中的所述第一方向的pt的浓度分布的峰值位置与所述n型区域之间。
2、根据本专利技术的实施方式，能够提供能够抑制接触电阻的增大的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
9.一种半导体装置，具备：
10.一种半导体装置的制造方法，具备：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，<...
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