【技术实现步骤摘要】
本文件一般涉及电子电路，更具体地说，涉及电压监测电路。
技术介绍
1、在电子电路的设计中，通常需要确保电路的特定部分在已知状态下开始操作。通常情况下，特定类型的电路不能正常工作，除非电源电压高于特定电压。一种监测模拟电源电压并确定电压是否足以使相关电路可靠运行的电路，通常被称为“断电检测器”
2、当涉及电池供电的设备时，确定电源电压是否已经达到足够的水平可能特别重要。在电池供电的环境中，还希望所采用的任何监测电路使用尽可能少的功率。此外，监控电路应在预定阈值电压下可靠地工作，而与工作温度无关。
技术实现思路
1、本公开描述了一种电压监测电路，该电压监测电路用信号表示输入电压是否高于或低于与硅的带隙电压成比例的内部建立的参考电平。电压监测电路减轻了通常与带隙参考生成相关联的主要误差源，使得可以以低功率成本实现高精度和良好性能。本公开的技术允许以比其他解决方案更高的精度、更低的功耗、更小的面积成本和更低的电源电压来实现电压监视器(例如，断电和通电复位(por)检测器)。
2、在一些方面，本公开涉及一种具有内置参考并被配置为监测电压的电压监测电路，所述电压监测电路包括：闭环电路分支，所述闭环电路分支包括：第一双极结晶体管(bjt)，具有：被配置为产生第一集电极电流的第一集电极，其中所述第一集电极电流是监测的电压的函数；以及耦合到参考节点的第一发射极；偏置网络，所述偏置网络耦合到所述第一bjt的第一基极，并且被配置为产生至少依赖于监测的电压的第一电压以偏置第二bjt
3、在一些方面，本公开涉及一种具有内置参考并被配置为监测电压的电压监测电路，所述电压监测电路包括：闭环电路分支，所述闭环电路分支包括：第一双极结晶体管(bjt)，具有：被配置为产生第一集电极电流的第一集电极，其中所述第一集电极电流是监测的电压的函数；以及耦合到参考节点的第一发射极；偏置网络，所述偏置网络耦合到所述第一bjt的第一基极，并且被配置为产生至少依赖于监测的电压的第一电压以偏置第二bjt，所述偏置网络包括第三bjt，被配置为吸收与所述第一集电极电流成比例的第一电流；以及第二电流源，耦合到电源节点并且被配置为向电流比较节点提供与第一集电极电流成比例的第二电流；所述第二bjt具有：耦合到所述第一电压的第二基极；第二发射极，耦合到所述参考节点；第二集电极，耦合到所述电流比较节点并且被配置为接收第二集电极电流，其中所述电流比较节点被配置为生成表示所述第二电流的表示与所述第二集电极电流的表示之间的比较的信号。
4、在一些方面，本公开涉及一种电压监测电路，该电压监测电路具有内置参考并被配置为监测被监测节点处的电压，该电压监视电路包括：用于基于被监测节点处监测的电压产生第一电流的构件；用于用基于所述第一电流的对应的第一和第二基极电压偏置第一双极结晶体管(bjt)和第二bjt的基极电压节点的构件；用于由所述第一bjt产生基于所述第一电流的第一集电极电流的构件；用于由所述第二bjt产生也基于监测电流的第二集电极电流的构件，其中所述第一和第二bjt被布置为具有不同集电极电流密度值的共发射极配置；以及用于提供输出信号的构件，其中所述输出信号包括指示监测的电压是否超过指定阈值的二进制状态。
5、在一些方面，本公开涉及一种电压监测方法，用于使用内置参考来监测被监测节点处的电压，该电压监测方法包括：基于被监测节点的监测电压产生第一电流；使用基于所述第一电流的对应的第一和第二基极电压偏置第一双极结晶体管(bjt)和第二bjt的基极电压节点；通过所述第一bjt产生基于所述第一电流的第一集电极电流；由所述第二bjt生成也基于所监测的电流的第二集电极电流，其中所述第一和第二bjt被布置为具有不同集电极电流密度值的共发射极配置；以及提供来自第一集电极电流和第二集电极电流的表示的比较的输出信号。
6、在一些方面，本公开涉及一种电压监测方法，用于使用内置参考来监测被监测节点处的电压，该电压监测方法包括：基于被监测节点的被监测电压产生第一电流；用基于所述第一电流的对应的第一和第二基极电压来偏置第一双极结晶体管(bjt)和第二bjt的基极电压节点，其中偏置所述第二双极结晶体管的基极电压结点包括产生至少取决于监测的电压的第一电压；通过所述第一bjt产生基于所述第一电流的第一集电极电流；由所述第二bjt生成也基于监测的电流的第二集电极电流，其中所述第一bjt和所述第二bjt被布置为具有不同集电极电流密度值的共发射极配置；通过电流源产生与第一集电极电流成比例的电流；以及提供来自所述电流的表示与所述第二集电极电流的表示的比较的输出信号，其中所述输出信号包括指示监测的电压是否超过指定阈值的二进制状态。
7、在一些方面，本公开涉及一种电压监测方法，用于使用内置参考来监测被监测节点处的电压，该电压监测方法包括：基于被监测节点的被监测电压产生第一电流；用基于所述第一电流的对应的第一和第二基极电压来偏置第一双极结晶体管(bjt)和第二bjt的基极电压节点，其中偏置所述第二双极结晶体管的所述基极电压结点包括产生至少取决于监测的电压的第一电压；通过所述第一bjt产生基于所述第一电流的第一集电极电流；由所述第二bjt生成也基于监测的电流的第二集电极电流，其中所述第一bjt和所述第二bjt被布置为具有不同集电极电流密度值的共发射极配置；经由第三bjt产生与所述第一集电极电流成比例的第一电流；通过电流源产生与第二集电极电流成比例的第二电流；以及提供来自所述第一集电极电流和所述第二集电极电流的表示的比较的输出信号，其中所述输出信号包括指示监测的电压是否超过指定阈值的二进制状态。
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1.一种电压监测电路，所述电压监测电路具有内置参考并且被配置为监测电压，所述压力监测电路包括：
2.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述第一电流源包括第一电流镜电路，并且其中所述第二电流源包括第二电流镜电路。
3.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述电源节点是第一电源节点，所述电压监测电路还包括：
4.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述偏置网络包括串联耦合的第一电阻元件和第二电阻元件，所述电压监测电路包括以下中的至少一个：
5.根据权利要求4所述的电压监测电路，包括：
6.根据权利要求5所述的电压监测电路，其中所述第三电流源包括具有控制端子的第四场效应晶体管(FET)晶体管，所述电压监测电路包括：
7.根据权利要求5所述的电压监测电路，其中所述第三电流源包括具有控制端子的第四场效应晶体管(FET)晶体管，所述电压监测电路包括：
8.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述偏置网络包括串联耦合的第一电阻元件和第二电阻元件，所述电压监测电路还包括：
9.根据权利要求8
10.根据权利要求8所述的电压监测电路，其中所述第一电流源包括第一场效应晶体管(FET)电流镜，并且其中所述第二电流源包括第二FET电流镜，所述电压监测电路还包括：
11.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述偏置网络包括串联耦合的第一电阻元件和第二电阻元件，所述电压监测电路还包括：
12.根据权利要求11所述的电压监测电路，其中所述第一电流源包括第一场效应晶体管(FET)电流镜，并且其中所述第二电流源包括第二FET电流镜，所述电压监测电路还包括：
13.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述偏置网络包括串联耦合的第一电阻元件和第二电阻元件，所述电压监测电路还包括：
14.根据权利要求13所述的电压监测电路，包括：
15.根据权利要求13所述的电压监测电路，其中所述第一电流源包括第一场效应晶体管(FET)电流镜，并且其中所述第二电流源包括第二FET电流镜，所述电压监测电路还包括：
16.根据权利要求15所述的电压监测电路，包括：
17.一种电压监测方法，用于使用内置参考来监测被监测节点处的电压，所述电压监测方法包括：
18.根据权利要求17所述的电压监测方法，包括：
19.根据权利要求17所述的电压监测方法，其中偏置所述第二BJT的基极电压节点包括产生至少取决于监测电压的第一电压。
20.根据权利要求17所述的电压监测方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电压监测电路，所述电压监测电路具有内置参考并且被配置为监测电压，所述压力监测电路包括：
2.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述第一电流源包括第一电流镜电路，并且其中所述第二电流源包括第二电流镜电路。
3.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述电源节点是第一电源节点，所述电压监测电路还包括：
4.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述偏置网络包括串联耦合的第一电阻元件和第二电阻元件，所述电压监测电路包括以下中的至少一个：
5.根据权利要求4所述的电压监测电路，包括：
6.根据权利要求5所述的电压监测电路，其中所述第三电流源包括具有控制端子的第四场效应晶体管(fet)晶体管，所述电压监测电路包括：
7.根据权利要求5所述的电压监测电路，其中所述第三电流源包括具有控制端子的第四场效应晶体管(fet)晶体管，所述电压监测电路包括：
8.根据权利要求1所述的电压监测电路，其中所述偏置网络包括串联耦合的第一电阻元件和第二电阻元件，所述电压监测电路还包括：
9.根据权利要求8所述的电压监测电路，其中所述第一电流源包括第一场效应晶体管(fet)电流镜，并且其中所述第二电流源包括第二fet电流镜。
10.根据权利要求8所述的电压监测电路，其中所述第一电流源包括第一场效应晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·P·科米布拉，M·R·万泽拉，
申请(专利权)人：亚德诺半导体国际无限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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