【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一形态是关于激光加工方法及激光加工装置。
技术介绍
1、在包含被配置成隔着切割道而彼此相邻的多个功能元件的晶圆中，有绝缘膜(low-k膜等)及金属构造物(金属桩(pile)、金属垫(pad)等)被形成于切割道的表层的情况。在如此的情况，若沿着通过切割道的切断线在晶圆的内部形成改质区域，通过使龟裂从改质区域伸展而按每个功能元件来使晶圆芯片化，则在沿着切割道的部分中有发生膜剥落等芯片的质量劣化的情形。于是，按每个功能元件来使晶圆芯片化时，有通过对切割道照射激光而除去切割道的表层的开槽(grooving)加工被实施的情况。
2、在专利文献1记载的技术中，为了抑制因为激光的照射在切割道产生热损伤，而进行激光的多点分歧加工。通过进行激光的多点分歧加工，1加工点的热损伤的影响被抑制。
3、[现有技术文献]
4、[专利文献]
5、[专利文献1]日本专利第6309341号公报
技术实现思路
1、(专利技术所要解决的课题)
2、在此，切割道(street)是可包含：含有绝缘膜及该绝缘膜上的金属构造物来构成表层的区域；及仅以绝缘膜来构成表层的区域(未形成有金属构造物的区域)。在如此的情况中，若以可确实地除去金属构造物的条件来对切割道照射激光，则恐有在切割道的表层的中未形成有金属构造物的区域产生热损伤的担忧。如此的热损伤是成为使芯片的质量劣化的原因。
3、于是，本专利技术的一形态以提供一种可抑制芯片的质量的劣化的激光加工
4、(用以解决课题的手段)
5、本专利技术的一形态的激光加工方法包含：
6、第1工序，其准备晶圆，其为含有被配置为隔着切割道而彼此相邻的多个功能元件的晶圆，具有：切割道的表层以绝缘膜所构成的第1区域，及表层以绝缘膜和该绝缘膜上的金属构造物所构成的第2区域；
7、第2工序，其系对切割道照射预定的第1激光；及
8、第3工序，其系在第2工序之后，对切割道照射预定的第2激光，
9、第1激光为在照射范围，除去第1区域的绝缘膜的一部分，使其他的部分残存，并完全除去第2区域的金属构造物，且除去第2区域的绝缘膜的一部分，使其他的部分残存的加工能量的激光，
10、第2激光为在照射范围，完全除去第2工序之后的第1区域的绝缘膜及第2区域的绝缘膜的加工能量的激光。
11、在本专利技术的一形态的激光加工方法中，是准备具有：切割道的表层以绝缘膜所构成的第1区域，及以绝缘膜和该绝缘膜上的金属构造物所构成的第2区域的晶圆，对于该晶圆，在切割道照射第1激光，然后，在切割道照射第2激光。第1激光为除去第1区域的绝缘膜的一部分，使其他的部分残存，并完全除去第2区域的金属构造物，且除去第2区域的绝缘膜的一部分，使其他的部分残存的加工能量的激光。如此，在切割道照射第1激光之后的状态中，是第1区域及第2区域皆成为绝缘膜的一部分被除去的状态。在此，绝缘膜的一部分通过第1激光而被除去的状态中，被照射第1激光的区域会形成凸凹状(毛玻璃状)。如此的凸凹状的面是激光的透过率低。因此，即使在第1激光的照射后被照射的第2激光被设为完全除去第1区域的绝缘膜及第2区域的绝缘膜的加工能量的激光的情况，也可通过透过率低的凸凹状的面来抑制朝以硅等所构成的晶圆的基板方向的透光，可抑制起因于激光的晶圆的热损伤。如以上那样，若根据本专利技术的一形态的激光加工方法，则可抑制起因于激光的晶圆的热损伤，抑制芯片的质量的劣化。
12、第2激光是也可为将第2工序之后的晶圆中所含的基板的一部分挖进的加工能量的激光。由此，成为基板的一部分会通过第2激光来挖进的情形，可确实地实施除去表层的开槽加工，并抑制在晶圆中发生膜剥落。
13、第2激光是也可为将第2工序之后的基板只挖进4μm以下的加工能量的激光。通过挖进量设为4μm以下，可抑制起因于激光的晶圆的热损伤，抑制芯片的质量的劣化。
14、上述激光加工方法是第3工序之后，也可更包含：以通过第2激光的照射而被形成于切割道的沟槽露出的方式，研削或研磨基板的第4工序。若根据如此的激光加工方法，则不用进行激光开槽后的切割(dicing)工序，可通过开槽加工来进行全切(full cut)。由此，可迅速地进行加工。
15、本专利技术的一形态的激光加工方法是包含：
16、第1工序，其准备晶圆，其为含有被配置为隔着切割道而彼此相邻的多个功能元件的晶圆，具有：切割道的表层以绝缘膜所构成的第1区域，及表层以绝缘膜和该绝缘膜上的金属构造物所构成的第2区域；
17、第2工序，其通过对切割道照射激光，将第1区域及第2区域的绝缘膜形成凸凹状；及
18、第3工序，其在第2工序之后，通过对切割道照射激光，完全除去第1区域及第2区域的绝缘膜。
19、在本专利技术的一形态的激光加工方法中，准备晶圆，该晶圆具有：切割道的表层以绝缘膜所构成的第1区域、及以绝缘膜和该绝缘膜上的金属构造物所构成的第2区域，对于该晶圆，在切割道照射激光，而第1区域及第2区域的绝缘膜被形成凸凹状，更之后，在切割道照射激光，而第1区域及第2区域的绝缘膜会完全被除去。被形成凸凹状(毛玻璃状)的绝缘膜的面是激光的透过率低。因此，即使之后被照射的激光被设为完全除去第1区域的绝缘膜及第2区域的绝缘膜的加工能量的激光的情况，也可通过透过率低的凸凹状的面来抑制朝以硅等所构成的晶圆的基板方向的透光，可抑制起因于激光的晶圆的热损伤。如以上那样，若根据本专利技术的一形态的激光加工方法，则可抑制起因于激光的晶圆的热损伤，抑制芯片的质量的劣化。
20、本专利技术的一形态的激光加工装置是具备：
21、支撑部，其支撑晶圆，该晶圆为含有被配置为隔着切割道而彼此相邻的多个功能元件的晶圆，具有：切割道的表层以绝缘膜所构成的第1区域，及表层以绝缘膜和该绝缘膜上的金属构造物所构成的第2区域；
22、照射部，其对切割道照射激光；及
23、控制部，其控制照射部，
24、控制部被构成为实行：
25、第1控制，其控制照射部，使得预定的第1激光被照射至切割道；及
26、第2控制，其控制照射部，使得在第1控制之后，预定的第2激光被照射至切割道，
27、第1激光为在照射范围，除去第1区域的绝缘膜的一部分，使其他的部分残存，并完全除去第2区域的金属构造物，且除去第2区域的绝缘膜的一部分，使其他的部分残存的加工能量的激光，
28、第2激光为在照射范围，完全除去第1激光的照射后的第1区域的绝缘膜及第2区域的绝缘膜的加工能量的激光。
29、在本专利技术的一形态的激光加工装置中，与上述的激光加工方法同样，可抑制起因于激光的晶圆的热损伤，抑制芯片的质量的劣化。
30、本专利技术的一形态的激光加工装置是具备：
31、支撑部，其系支撑晶圆，该晶圆为含有被配置为隔着切割道而彼此相邻的多个功能元件本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种激光加工方法，其包含：
2.如权利要求1所述的激光加工方法，其中，所述第2激光为将所述第2工序之后的所述晶圆中所含的基板的一部分挖进的加工能量的激光。
3.如权利要求2所述的激光加工方法，其中，所述第2激光为将所述第2工序之后的所述基板只挖进4μm以下的加工能量的激光。
4.如权利要求2或3所述的激光加工方法，其中，在所述第3工序之后，进一步包含：以通过所述第2激光的照射被形成于所述切割道的沟槽露出的方式，研削或研磨所述基板的第4工序。
5.一种激光加工方法，其包含：
6.一种激光加工装置，其具备：
7.一种激光加工装置，其具备：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种激光加工方法，其包含：
2.如权利要求1所述的激光加工方法，其中，所述第2激光为将所述第2工序之后的所述晶圆中所含的基板的一部分挖进的加工能量的激光。
3.如权利要求2所述的激光加工方法，其中，所述第2激光为将所述第2工序之后的所述基板只挖进4μm以下的加工能量的激光。
【专利技术属性】
技术研发人员：坂本刚志，杉本阳，荻原孝文，栗田隆史，吉村凉，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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