【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及抛光垫与晶圆抛光方法。
技术介绍
1、现有的抛光垫公开在日本特开2019-46838号公报、日本特开2019-118981号公报、日本特开2020-49639号公报以及日本专利第5511266号公报中。日本特开2019-46838号公报、日本特开2019-118981号公报或者日本特开2020-49639号公报的抛光垫，是在无纺布中浸渗膏剂，并除去了膏剂中的溶剂而成的。日本特开2019-46838号公报的膏剂包含氨基甲酸酯、二甲基甲酰胺等溶剂、sio2等磨粒和碳酸钠等碱性微粒。日本特开2019-118981号公报的膏剂，包含醚系的氨基甲酸酯、n,n-二甲基甲酰胺等溶剂。日本特开2020-49639号公报的膏剂，包含氨基甲酸酯、溶剂以及拒水剂。通过干燥等除去溶剂，由此氨基甲酸酯以结合于无纺布的状态固化。日本专利第5511266号公报的抛光垫为使用混合有粘合剂树脂、磨粒以及溶剂的膏剂制造而成的。
2、日本特开2019－46838号公报的抛光垫，被用于抛光圆盘状的晶圆的外周边缘部，该圆盘状的晶圆由用于制造半导体元件的硅等形成。即，晶圆被保持在可围绕旋转中心旋转的转盘上。这时，晶圆的中心轴线位于转盘的旋转中心。另一方面，以使抛光垫的外周端面与晶圆的外周边缘部抵接的方式在主轴的上端设置抛光垫。而后，一边向晶圆的外周边缘部与抛光垫的外周端面之间供给抛光液，并且附加规定载荷，一边使转盘和主轴旋转。由此，能够抛光晶圆的外周边缘部。因此，可以抑制由晶圆的外周边缘部导致的半导体器件缺陷的发生。
3、但是，根据专
4、特别是，在晶圆由能够用于制造功率半导体的sic构成的情况下，需要更高的抛光能力。
技术实现思路
1、因此，本专利技术非限定性的一个课题，是提供在抛光圆盘形状的晶圆的外周边缘部时，抛光效率更高，并且更难产生抛光不良，且抛光后的晶圆的洗净性优异的抛光垫。本专利技术进一步的发展形态记载于从属方式中。另外，本专利技术非限定性的一个课题，是提供能够以更高的效率抛光圆盘形状的晶圆的外周边缘部，并且更难产生抛光不良，且抛光后的晶圆的洗净性优异的晶圆的抛光方法。这些课题可以通过独立方式的示教达成。本专利技术的进一步发展形态记载于从属方式中。
2、本专利技术的抛光垫其特征在于，为用于抛光圆盘形状的晶圆的外周边缘部的抛光垫，
3、具有构成抛光面的研磨体，所述研磨体包含：包含粘合剂树脂与纤维，形成有多个气孔的母材；以及保持于所述母材内或者所述气孔内的磨粒，
4、所述磨粒为金刚石粒子，
5、密度为0.58～0.81g/cm3，
6、邵氏硬度为16～27，
7、弹性模量为21.5～37.5n/mm2。
8、另外，本专利技术的晶圆抛光方法，其特征在于，具有以下工序：
9、准备晶圆、抛光垫和抛光液的第一工序；以及
10、在所述晶圆与所述抛光垫之间供给所述抛光液，并通过所述抛光垫抛光所述晶圆的第二工序，
11、所述晶圆具有：中心轴线；在与所述中心轴线大致正交的方向上延伸的表面；位于所述表面的反面，在与所述中心轴线大致正交的方向上延伸的背面；连接所述表面的外周缘和所述背面的外周缘的外周面；由所述外周面与所述表面或者所述背面形成的外周边缘部，
12、所述抛光垫的所述磨粒为金刚石粒子，
13、密度为0.58～0.81g/cm3，
14、邵氏硬度为16～27，
15、弹性模量为21.5～37.5n/mm2，
16、在所述第二工序中，所述抛光液为水，并以规定按压力将所述抛光面按压在所述外周边缘部，使所述晶圆和所述抛光垫的至少一个绕所述中心轴线进行相对旋转。
17、本专利技术的抛光垫的磨粒为金刚石粒子，因此能够实现优异的抛光效率。
18、另外，根据专利技术人们的试验，当使用本专利技术的抛光垫抛光圆盘形状的晶圆的外周边缘部时，用作为磨粒的金刚石粒子抛光晶圆时的顺应性优异，难以产生抛光不良。进而，本专利技术的抛光垫中，构成抛光面的研磨体包含无数的磨粒，因此能够使用不含研磨粒的抛光液，作为残留在抛光后的晶圆上的磨粒的微粒少，因此抛光后的晶圆的洗净性优异。
19、本专利技术中其他的形态和优点，从以下的记载和附图中示出的实施例、相关图像中例示的图解、以及说明书和相关图像的整体所示出的本专利技术的概念中得以明朗。
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1.一种抛光垫(1)，其特征在于，用于抛光圆盘形状的晶圆(3)的外周边缘部(3d、3e)，其中，
2.根据权利要求1所述的抛光垫(1)，其中，所述研磨体包含保持在所述母材内或者所述气孔内的填料。
3.根据权利要求2所述的抛光垫(1)，其中，所述纤维由纤维网构成，所述粘合剂树脂、所述磨粒、所述气孔以及所述填料内包于所述纤维网内。
4.根据权利要求3所述的抛光垫(1)，其中，所述粘合剂树脂为热塑性聚氨基甲酸酯或者聚偏二氟乙烯，所述纤维为聚丙烯。
5.根据权利要求4所述的抛光垫(1)，其中，所述粘合剂树脂为12～14体积％，所述磨粒为2.2～14.3体积％，所述纤维为5.1～10.2体积％，所述填料为8～24体积％，所述气孔为34.6～68.5体积％。
6.一种晶圆抛光方法，其特征在于，具有以下工序：
【技术特征摘要】
1.一种抛光垫(1)，其特征在于，用于抛光圆盘形状的晶圆(3)的外周边缘部(3d、3e)，其中，
2.根据权利要求1所述的抛光垫(1)，其中，所述研磨体包含保持在所述母材内或者所述气孔内的填料。
3.根据权利要求2所述的抛光垫(1)，其中，所述纤维由纤维网构成，所述粘合剂树脂、所述磨粒、所述气孔以及所述填料内包于所述纤维网内。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：后藤崇将，岸本正俊，服部贵俊，昌子沙里，
申请(专利权)人：株式会社则武，
类型：发明
国别省市：
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