【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于图像传感器制造，具体涉及一种偏光器件。
技术介绍
1、偏振图像传感器除了获取亮度和颜色外，还能获取到普通图像传感器检测不到的偏振信息，常用于物体表面划痕检测、粒子检测、失真及形状识别等过去难以检测的应用中。
2、一种偏振图像传感器在像素光电二极管上方加入一层偏振片。四个不同角度的线栅偏振片(0度、45度、90度和135度)分别放置于单个像素上，每四个像素一组作为一个计算单元。线栅偏振片会让垂直于线栅偏振片方向振动的光透过，同时阻断在水平方向上振动的光。一个偏极像素由四个线栅子像素组成，即一个线栅子像素上方对应一个线栅偏振片。一个图像传感器能输出四张不同偏振相位的图片,再由软件优化组合出一完美影像。4个方向的线栅偏振片制程中关键尺寸有偏差，分散较大，量子效率较低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种偏极方位角调制器以及偏光器件，一体整合式偏极方位角调制器，光栅效应为一体全方位可电调控，无线栅子像素，让每个像素都能输出最大量子效率。在第一1/4波片的下表面单一面实现电控分配,降低封装难度；容易套用晶圆堆栈工艺轻易实现批量量产。偏光器件封装结构简单化，获得超大开口率且偏极光方向可调可控，提升了偏光器件的量子效率，且可消除反射。
2、本专利技术提供一种偏光器件，包括：
3、自下而上依次堆叠的第一1/4波片、第一液晶相位调制器、线偏振波板、第二液晶相位调制器和第二1/4波片；
4、所述第一1/4波片的下表面一侧设置有若
5、进一步的，所述第一液晶相位调制器和所述二液晶相位调制器具有相同的结构，所述结构包括自下而上依次设置的下基板、所述下电极层、下取向层、液晶层、上取向层、所述上电极层和上基板。
6、进一步的，所述若干电极包括位于所述第一1/4波片第一对角线两端的第一电极和第二电极；所述第一电极与所述第一液晶相位调制器的上电极层电连接；所述第二电极与所述第一液晶相位调制器的下电极层电连接。
7、进一步的，所述第一电极贯穿所述第一1/4波片、所述第一液晶相位调制器的下基板并延伸至与所述第一液晶相位调制器的上电极层接触且电连接；所述第二电极贯穿所述第一1/4波片、所述第一液晶相位调制器的下基板和下电极层且与所述下电极层电连接。
8、进一步的，所述若干电极包括位于所述第一1/4波片第二对角线两端的第三电极和第四电极；所述第三电极与所述第二液晶相位调制器的下电极层电连接；所述第四电极与所述第二液晶相位调制器的上电极层电连接。
9、进一步的，所述第三电极贯穿所述第一1/4波片、所述第一液晶相位调制器、所述线偏振波板、所述第二液晶相位调制器的下基板和下电极层且与所述下电极层电连接；所述第四电极贯穿所述第一1/4波片、所述第一液晶相位调制器、所述线偏振波板、所述第二液晶相位调制器的下基板且延伸至上电极层并与所述上电极层电连接。
10、进一步的，所述第一1/4波片的光轴与所述线偏振波板的偏振轴平行；
11、所述第二1/4波片的光轴与所述线偏振波板的偏振轴平行；
12、所述第一液晶相位调制器的液晶慢轴与所述线偏振波板的偏振轴成45度；
13、所述第二液晶相位调制器的液晶慢轴与所述线偏振波板的偏振轴成45度。
14、进一步的，所述第一1/4波片和所述第二1/4波片的厚度范围均为：0.4μm～4.0μm。
15、所述第一液晶相位调制器和所述第二液晶相位调制器的厚度范围均为：2.0μm～10.0μm。
16、本专利技术还提供一种偏光器件，包括：
17、上述的偏极方位角调制器，以及
18、图像传感器，所述偏极方位角调制器与所述图像传感器的感光一侧键合。
19、进一步的，所述图像传感器包括基板，所述基板的上表面边角位置形成有若干焊垫，所述若干焊垫与所述若干电极对应电连接，所述基板的中间嵌设有图像芯片。
20、与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
21、本专利技术提供一种偏极方位角调制器以及偏光器件，包括：自下而上依次堆叠的第一1/4波片、第一液晶相位调制器、线偏振波板、第二液晶相位调制器和第二1/4波片；第一1/4波片的下表面一侧设置有若干电极，若干电极分别引出第一液晶相位调制器的上电极层和下电极层以及第二液晶相位调制器的上电极层和下电极层。本专利技术提供了一体整合式偏极方位角调制器，光栅效应为一体全方位可电调控，无线栅子像素，让每个像素都能输出最大量子效率。在第一1/4波片的下表面即偏极方位角调制器的底面单一面实现电控分配,即可完成对于液晶相位调制器所有电极的控制与电力提供,降低封装难度；容易套用晶圆堆栈工艺轻易实现批量量产。本专利技术的偏光器件整合偏极方位角调制器和图像传感器，封装结构简单化。偏光器件获得超大开口率且偏极光方向可调可控，提升了偏光器件的量子效率，且可消除反射。
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1.一种偏极方位角调制器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
3.如权利要求2所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
4.如权利要求3所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
5.如权利要求2所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
6.如权利要求5所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
7.如权利要求1所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
8.如权利要求1所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
9.一种偏光器件，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的偏光器件，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种偏极方位角调制器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
3.如权利要求2所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
4.如权利要求3所述的偏极方位角调制器，其特征在于，
5.如权利要求2所述的偏极方位角调制器，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：范纯圣，
申请(专利权)人：豪威半导体上海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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