【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件制造领域，具体而言，涉及一种反馈碳膜质量的工艺方法、其检测装置和碳膜质量的检测方法。
技术介绍
1、在碳化硅sic半导体器件制造过程中，在完成离子注入后，需要高温激活修复晶格损伤并同时激活掺杂离子，激活前需要在sic半导体器件表面制作一层碳膜，碳膜可有效的抑制sic半导体器件表面处硅si的升华和再沉积过程，避免sic表面形貌的退化。因此，碳膜质量对高温激活有着重要影响，在sic半导体器件制造过程中，对sic半导体器件表面碳膜质量的监控显得尤为重要。
2、在现有技术中，一般使用量测机台对金属膜或者介质膜的质量进行检测，但是，以上常规的膜层监测方式不能简单转用在碳膜质量的监测上，主要原因在于碳膜表面颗粒容易剥落，在量测机台中操作和测量时会污染量测机台，大大影响测量的准确度和机台性能，因此，需要在测量前后对量测机台进行清理并调试，不仅影响了生产的效率、还提高了器件的制作成本。因此，找到一种经济、快捷且准确的反馈碳膜质量的工艺方法显得尤为重要。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种反馈碳膜质量的工艺方法、其检测装置和碳膜质量的检测方法，以至少解决现有技术中对半导体器件的碳膜质量进行检测的结果不准确，且成本较高的问题。
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种反馈碳膜质量的工艺方法，所述工艺方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成参考膜层；采用外延生长工艺在所述参考膜层背离所述衬底的一侧形成碳膜；使所述腐蚀液透过所述碳膜对所述参
3、可选地，所述参考膜层为一层参考膜层，或是多层不同颜色的参考膜层。
4、可选地，形成的所述参考膜层为金属层或介质层。
5、可选地，当所述参考膜层为金属层时，对该层所述参考膜层进行腐蚀的步骤包括：采用与所述金属层的种类对应的第一腐蚀液接触所述碳膜，以使所述第一腐蚀液透过所述碳膜对所述金属层进行腐蚀。
6、可选地，所述第一腐蚀液包括以下至少之一：磷酸、硝酸和醋酸。
7、可选地，当所述参考膜层为介质层时，对该层所述参考膜层进行腐蚀的步骤包括：采用与所述介质层的种类对应的第二腐蚀液接触所述碳膜，以使所述第二腐蚀液透过所述碳膜对所述介质层进行腐蚀。
8、可选地，所述第二腐蚀液包括氢氟酸。
9、可选地，所述参考膜层为多层，对所述参考膜层进行腐蚀的步骤包括：采用所述腐蚀液对至少一层所述参考膜层进行腐蚀，以使第一参考膜层产生孔洞，所述孔洞的深度占所述第一参考膜层的厚度的40％～60％，所述第一参考膜层为多层所述参考膜层中与所述衬底接触的参考膜层。
10、根据本申请的另一方面，提供了一种碳膜质量的检测方法，包括：控制采集设备对目标结构进行信息采集，得到所述目标结构的孔洞信息，其中，所述目标结构为采用上述的反馈碳膜质量的工艺方法制备得到的结构，所述孔洞信息至少包括：孔洞图像，所述孔洞图像为表示所述目标结构中孔洞的图像；根据所述孔洞信息，确定所述目标结构中碳膜的当前性能参数。
11、可选地，所述检测方法还包括：至少根据所述孔洞信息和目标腐蚀速度，确定所述碳膜的当前性能参数，所述目标腐蚀速度为所述工艺方法中采用的腐蚀液对参考膜层的腐蚀速率；根据所述当前性能参数和所述碳膜的标准性能参数，确定第一工艺参数；采用所述第一工艺参数对所述反馈碳膜质量的工艺方法中采用的外延生长工艺进行更新，得到更新的外延生长工艺。
12、可选地，所述采集设备包括图像采集设备，用于采集所述目标结构的孔洞图像，所述根据所述孔洞信息，确定所述目标结构中碳膜的当前性能参数，包括：根据所述孔洞图像，确定所述孔洞的性能参数，所述孔洞的性能参数至少包括：所述孔洞的分布密度和所述孔洞的深度；根据所述孔洞的性能参数，确定所述碳膜的当前性能参数，所述当前性能参数至少包括：所述碳膜的致密度。
13、根据本申请的再一方面，提供了一种反馈碳膜质量的检测装置，包括：控制模块，用于控制采集设备对目标结构进行信息采集，得到所述目标结构的孔洞信息，其中，所述目标结构为所述的反馈碳膜质量的工艺方法制备得到的结构，所述孔洞信息至少包括：所述孔洞的深度和所述孔洞的分布密度；确定模块，用于根据所述孔洞信息，确定所述目标结构中碳膜的当前性能参数。
14、本申请提供了一种反馈碳膜质量的工艺方法，工艺方法包括：提供衬底；在衬底上形成参考膜层；采用外延生长工艺在参考膜层背离衬底的一侧形成碳膜；使腐蚀液透过碳膜对参考膜层进行腐蚀，参考膜层形成孔洞，孔洞用于反馈碳膜的当前性能参数；在腐蚀液对参考膜层腐蚀结束后，采用热处理工艺去除碳膜。通过观察上述参考膜层形成的孔洞的相关参数确定碳膜的当前性能参数，对上述外延生长工艺的参数进行更新，以使外延生长工艺更新后的参数可以制备出性能参数更好的碳膜，进而能够提升半导体器件的碳膜的质量，在对碳膜质量进行检测的过程中，不需要采用量测机台，进而不会产生清理机台的费用，解决了现有技术中对半导体器件的碳膜质量进行检测的结果不准确，且成本较高的问题。
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1.一种反馈碳膜质量的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括：
2.据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述参考膜层为一层参考膜层，或是多层不同颜色的参考膜层。
3.根据权利要求2所述的工艺方法，其特征在于，所述参考膜层为金属层或介质层。
4.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于，当所述参考膜层为金属层时，对该层所述参考膜层进行腐蚀的步骤包括：采用与所述金属层的种类对应的第一腐蚀液接触所述碳膜，以使所述第一腐蚀液透过所述碳膜对所述金属层进行腐蚀，所述第一腐蚀液包括以下至少之一：磷酸、硝酸和醋酸。
5.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于，当所述参考膜层为介质层时，对该层所述参考膜层进行腐蚀的步骤包括：采用与所述介质层的种类对应的第二腐蚀液接触所述碳膜，以使所述第二腐蚀液透过所述碳膜对所述介质层进行腐蚀，所述第二腐蚀液包括氢氟酸。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的工艺方法，其特征在于，对所述参考膜层进行腐蚀的步骤包括：
7.一种碳膜质量的检测方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求
9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述采集设备包括图像采集设备，用于采集所述目标结构的孔洞图像，所述根据所述孔洞信息，确定所述目标结构中碳膜的当前性能参数，包括：
10.一种反馈碳膜质量的检测装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种反馈碳膜质量的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括：
2.据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述参考膜层为一层参考膜层，或是多层不同颜色的参考膜层。
3.根据权利要求2所述的工艺方法，其特征在于，所述参考膜层为金属层或介质层。
4.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于，当所述参考膜层为金属层时，对该层所述参考膜层进行腐蚀的步骤包括：采用与所述金属层的种类对应的第一腐蚀液接触所述碳膜，以使所述第一腐蚀液透过所述碳膜对所述金属层进行腐蚀，所述第一腐蚀液包括以下至少之一：磷酸、硝酸和醋酸。
5.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于，当所述参考膜层为介质层时，对该层所述参考膜层进...
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉斌，邱舜国，周天彪，钟泳生，陈铭杰，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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