【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及集成芯片和用于形成集成芯片的方法。
技术介绍
1、许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在其通电时存储数据，而非易失性存储器能够在断电时保存数据。电阻式随机存取存储器(rram)由于其简单的结构和与互补金属氧化物半导体(cmos)逻辑工艺的兼容性而成为用于下一代非易失性存储器技术的一个有前途的候选存储器。rram单元包括具有可变电阻的切换结构。这样的切换结构通常放置在互连金属化层内设置的两个电极之间。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种集成芯片，包括：底部电极，位于衬底上面；顶部电极，位于所述底部电极上方；覆盖结构，设置在所述顶部电极和所述底部电极之间，其中，所述覆盖结构包括与金属层垂直堆叠的扩散阻挡层；以及切换结构，设置在所述底部电极和所述覆盖结构之间，其中，所述切换结构包括位于所述底部电极上的介电层以及位于所述介电层上的第一氧亲和层，其中，所述第一氧亲和层的第一吉布斯自由能小于所述介电层的第二吉布斯自由能，并且其中，所述第一吉布斯自由能和所述第二吉布斯自由能之间的第一差小于-100kj/mol。
2、本申请的另一些实施例提供了一种集成芯片，包括：第一导电结构，位于衬底上方；第二导电结构，位于所述第一导电结构上方，其中，所述第二导电结构包括覆盖结构上方的顶部电极；以及切换结构，位于所述第一导电结构和所述覆盖结构之间，其中，所述切换结构包括位于所述第一导电结构上的介电层以及
3、本申请的又一些实施例提供了一种用于形成集成芯片的方法，所述方法包括：在衬底上方形成下部导电线；在所述下部导电线上方形成存储器层堆叠件，其中，所述存储器层堆叠件包括介电层、位于所述介电层上方的第一氧亲和层、位于所述第一氧亲和层上方的扩散阻挡层、位于所述扩散阻挡层上方的金属层以及位于所述金属层上方的顶部电极，其中，所述第一氧亲和层的第一吉布斯自由能小于所述介电层的第二吉布斯自由能，并且其中，所述第一吉布斯自由能和所述第二吉布斯自由能之间的第一差小于-100kj/mol；在所述存储器层堆叠件上方形成掩蔽层；以及根据所述掩蔽层图案化所述存储器层堆叠件，从而限定存储器单元。
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1.一种集成芯片，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一吉布斯自由能小于-1000kJ/mol，并且所述第二吉布斯自由能大于-1000kJ/mol。
3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一氧亲和层的厚度与所述介电层的厚度的比率在0.85至1的范围内。
4.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述切换结构的厚度与所述顶部电极和所述覆盖结构的厚度的比率在0.1至0.2的范围内。
5.根据权利要求4所述的集成芯片，其中，所述切换结构的厚度与所述底部电极的厚度的比率在0.2至0.3的范围内，其中，所述底部电极的厚度小于所述顶部电极的厚度。
6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述介电层主要由二氧化钛组成，并且所述第一氧亲和层主要由氧化锆组成，并且其中，所述介电层和所述第一氧亲和层是未掺杂的。
7.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述介电层直接接触所述底部电极，所述第一氧亲和层直接接触所述介电层，所述扩散阻挡层直接接触所述第一氧亲和层，并且所述金属层直接接触所述扩散阻挡层。
<...【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一吉布斯自由能小于-1000kj/mol，并且所述第二吉布斯自由能大于-1000kj/mol。
3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一氧亲和层的厚度与所述介电层的厚度的比率在0.85至1的范围内。
4.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述切换结构的厚度与所述顶部电极和所述覆盖结构的厚度的比率在0.1至0.2的范围内。
5.根据权利要求4所述的集成芯片，其中，所述切换结构的厚度与所述底部电极的厚度的比率在0.2至0.3的范围内，其中，所述底部电...
【专利技术属性】
技术研发人员：江法伸，金海光，蔡正原，喻中一，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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