【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多电压域装置，并且具体涉及使用横向变压器的多电压域装置。
技术介绍
1、高电压(hv)栅极驱动器电路可以包括用于驱动低侧晶体管开关的低电压(lv)栅极驱动器和用于驱动高侧晶体管开关的hv栅极驱动器。lv栅极驱动器被布置在低电压域中，而hv栅极驱动器被设置在高电压域中。实际上，栅极驱动器还包括端接区域，该端接区域将高电压域与低电压域隔离并且可以被称为隔离端接区域。因此，隔离端接区域在两个电压域之间提供了高电压隔离势垒，使得两个电压域保持彼此电隔离。
技术实现思路
1、一种多电压域装置包括电路衬底，该电路衬底包括第一主表面和与第一主表面相对布置的第二主表面。电路衬底包括：第一区域，其包括在第一电压域中操作的第一电路；第二区域，其包括在不同于第一电压域的第二电压域中操作的第二电路；以及隔离区域，其在平行于第一主表面和第二主表面延伸的横向方向上将第一区域和第二区域电隔离。多电压域装置还包括布置在电路衬底的第一主表面上的层堆叠，该层堆叠包括形成堆叠绝缘体层的多个子绝缘体层、布置在堆叠绝缘体层中的第一线圈，以及布置在堆叠绝缘体层中并且通过堆叠绝缘体层在横向方向上与第一线圈横向分隔的第二线圈，其中，第一线圈和第二线圈在横向方向上彼此磁耦合，其中，第一线圈电耦接至第一电路并且与第二区域隔离，并且其中，第二线圈电耦接至第二电路并且与第一区域隔离。多电压域装置还包括布置在第一主表面上的场集中结构，其中，场集中结构被配置成吸引由第一线圈产生的第一磁场，使得第一磁场集中在第一线圈周围，并且吸
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1.一种多电压域装置，包括：
2.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述隔离区域包括一个或更多个沟槽隔离势垒，所述沟槽隔离势垒中的每个沟槽隔离势垒从所述第一主表面垂直延伸至所述第二主表面。
3.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述第一区域围绕所述第二区域，并且所述第一线圈围绕所述第二线圈。
4.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构被配置成沿着第一磁场路径包括穿过所述场集中结构引导所述第一磁场，以及沿着第二磁场路径包括穿过所述场集中结构引导所述第二磁场。
5.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构通过所述堆叠绝缘体层与所述第一线圈和所述第二线圈电隔离。
6.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构被配置成增加所述第一线圈与所述第二线圈之间的能量传递。
7.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构被配置成封装所述第一线圈和所述第二线圈。
8.根据权利要求7所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括多个开口，
9.
10.根据权利要求7所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
11.根据权利要求10所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
12.根据权利要求7所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构集成在所述层堆叠内。
13.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构至少部分地布置在所述堆叠绝缘体层中。
14.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述第一区域围绕所述第二区域，并且所述第一线圈围绕所述第二线圈，
15.根据权利要求14所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
16.根据权利要求14所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
17.根据权利要求14所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括多个开口，
18.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
19.根据权利要求18所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
20.根据权利要求18所述的多电压域装置，其中，所述第一磁性环结构是所述层堆叠的一部分。
21.根据权利要求18所述的多电压域装置，其中，所述第一磁性环结构限定所述第一线圈和所述第二线圈布置在其中的第一内部体积，
22.根据权利要求18所述的多电压域装置，其中，所述磁性环结构包括至少一个开口，
23.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
24.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
25.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
26.根据权利要求25所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
27.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
28.一种多电压域装置，包括：
29.根据权利要求28所述的多电压域装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种多电压域装置，包括：
2.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述隔离区域包括一个或更多个沟槽隔离势垒，所述沟槽隔离势垒中的每个沟槽隔离势垒从所述第一主表面垂直延伸至所述第二主表面。
3.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述第一区域围绕所述第二区域，并且所述第一线圈围绕所述第二线圈。
4.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构被配置成沿着第一磁场路径包括穿过所述场集中结构引导所述第一磁场，以及沿着第二磁场路径包括穿过所述场集中结构引导所述第二磁场。
5.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构通过所述堆叠绝缘体层与所述第一线圈和所述第二线圈电隔离。
6.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构被配置成增加所述第一线圈与所述第二线圈之间的能量传递。
7.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构被配置成封装所述第一线圈和所述第二线圈。
8.根据权利要求7所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括多个开口，
9.根据权利要求8所述的多电压域装置，还包括：
10.根据权利要求7所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
11.根据权利要求10所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构包括：
12.根据权利要求7所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构集成在所述层堆叠内。
13.根据权利要求1所述的多电压域装置，其中，所述场集中结构至少部分地布置在所述堆叠绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：沃尔夫冈·弗兰克，安内特·文策尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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