【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种半导体器件制作领域，具体而言，涉及一种欧姆接触结构及其制备方法以及制得的碳化硅器件。
技术介绍
1、传统的碳化硅器件背面电极制作工艺采用的是单层结构的镍(ni)来改善欧姆接触性能，但在激光退火的时候会在碳化硅衬底中造成大量的碳(c)析出，一方面降低整体器件的欧姆接触性能，另一方面c的析出会造成去碳机台保养周期(pm，predictivemaintenance)和耗材寿命的缩短，导致碳化硅器件性能降低，且成本提高。
2、在与背面电极接触的欧姆接触层中采取ni/ti/ni结构可以改善欧姆接触性能，但是单层ti的应力大，这会导致碳化硅器件背面具有大的翘曲，从而导致碎片率较高，故而开发一种既能降低c析出又可以改善薄片翘曲的背面欧姆接触结构尤为重要。
技术实现思路
1、本申请提供一种欧姆接触结构及其制备方法以及制得的碳化硅器件，以解决相关技术中器件的欧姆接触结构的性能较差的问题。
2、根据本申请的一个方面，提供了一种欧姆接触结构的制备方法，包括以下步骤：提供碳化硅衬底，碳化硅衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上具有半导体器件；在碳化硅衬底的第二表面上形成金属层；采用第一沉积工艺在金属层背离碳化硅衬底的一侧形成吸收层，第一沉积工艺具有第一温度；采用第二沉积工艺在吸收层背离金属层的一侧形成阻挡层，第二沉积工艺具有第二温度，第一温度小于第二温度。
3、可选地，采用第二沉积工艺在吸收层背离金属层的一侧形成阻挡层的步骤包括：采用第一子沉积工艺在
4、可选地，第一温度小于第一子温度。
5、可选地，第一子温度为150℃～300℃，第二子温度为350℃～500℃。
6、可选地，吸收层的厚度为200nm～400nm。
7、可选地，第一阻挡层的厚度为50nm～100nm，第二阻挡层的厚度为50nm～100nm。
8、可选地，吸收层与第一阻挡层的厚度比例为(4～5):1，吸收层与第二阻挡层的厚度比例为(2～4:1)，第一阻挡层与第二阻挡层的厚度比例为(1:2)～(4:5)。
9、根据本申请的另一方面，提供了一种欧姆接触结构，采用上述的制备方法制备得到，欧姆接触结构包括：碳化硅衬底，具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面背离第二表面的一侧具有半导体器件；金属层，位于第二表面背离第一表面的一侧；吸收层，位于金属层背离碳化硅衬底的一侧；阻挡层，位于吸收层背离金属层的一侧，吸收层的致密度小于阻挡层的致密度。
10、可选地，阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，其中：第一阻挡层位于吸收层背离金属层的一侧；第二阻挡层位于第一阻挡层背离吸收层的一侧，第一阻挡层的致密度小于第二阻挡层的致密度。
11、根据本申请的再一方面，提供了一种碳化硅器件，包括欧姆接触结构，欧姆接触结构由上述的制备方法制备得到，或欧姆接触结构为上述的欧姆接触结构。
12、通过本申请的技术方案，提供了一种欧姆接触结构的制备方法，提供碳化硅衬底，碳化硅衬底的第一表面上具有半导体器件，在碳化硅衬底的第二表面上形成金属层，并采用第一沉积工艺在金属层背离碳化硅衬底的一侧形成吸收层，然后采用第二沉积工艺在吸收层背离金属层的一侧形成阻挡层，由于第一沉积工艺的第一温度小于第二沉积工艺的第二温度，从而使得吸收层的致密性小于阻挡层的致密性，吸收层能够将碳化硅衬底在退火时析出的碳进行吸收，若吸收层已经饱和不再吸收碳，阻挡层的高致密性也能够将从饱和的吸收层中析出的碳进行阻挡，进而能够有效阻挡碳的析出，提高了欧姆接触结构的性能。
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1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用第二沉积工艺在所述吸收层背离所述金属层的一侧形成阻挡层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度小于所述第一子温度。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一子温度为150℃～300℃，所述第二子温度为350℃～500℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述吸收层的厚度为200nm～400nm。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为50nm～100nm，所述第二阻挡层的厚度为50nm～100nm。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述吸收层与所述第一阻挡层的厚度比例为(4～5):1，所述吸收层与所述第二阻挡层的厚度比例为(2～4:1)，所述第一阻挡层与所述第二阻挡层的厚度比例为(1:2)～(4:5)。
8.一种欧姆接触结构，其特征在于，采用权利要求1至7中任一项所述的制备方法制备得到，
9.根据权利要求8所述的欧姆接触结构，其特征在于，所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，其中：
10.一种碳化硅器件，包括欧姆接触结构，其特征在于，所述欧姆接触结构由权利要求1至7中任一项所述的制备方法制备得到，或所述欧姆接触结构为权利要求8或9中所述的欧姆接触结构。
...【技术特征摘要】
1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用第二沉积工艺在所述吸收层背离所述金属层的一侧形成阻挡层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度小于所述第一子温度。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一子温度为150℃～300℃，所述第二子温度为350℃～500℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述吸收层的厚度为200nm～400nm。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为50nm～100nm，所述第二阻挡层的厚度为50nm～100...
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉斌，邱舜国，周天彪，钟泳生，陈铭杰，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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