【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种半导体功率模块、电机控制器和车辆。
技术介绍
1、相关技术中的半导体功率模块通过设有基体和安装于基体的芯片，并且在基体上设置有直流正极导电区、直流负极导电区和交流导电区，以使半导体功率模块能够实现交直流转换的功能，但是半导体功率模块的体积较大，且散热效率低。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种半导体功率模块，该半导体功率模块具有体积小、散热效率高等优点。
2、本专利技术还提出一种具有上述半导体功率模块的电机控制器。
3、本专利技术还提出一种具有上述电机控制器的车辆。
4、为了实现上述目的，根据本专利技术的第一方面实施例提出了一种半导体功率模块，包括：第一基板，所述第一基板设有直流正极导电区和直流负极导电区；第二基板，所述第二基板设有交流导电区；第一芯片，所述第一芯片安装于所述直流正极导电区，且电连接所述直流正极导电区和所述交流导电区；第二芯片，所述第二芯片安装于所述交流导电区，且电连接所述直流负极导电区和所述交流导电区。
5、本专利技术实施例的半导体功率模块具有体积小、散热效率高等优点。
6、根据本专利技术的一些实施例，所述第一基板和所述第二基板层叠设置，所述直流正极导电区和所述直流负极导电区设于所述第一基板的朝向所述第二基板的一侧，所述交流导电区设于所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧。
7、根据本专
8、根据本专利技术的一些实施例，所述直流正极导电区为多个且至少包括间隔排布的第一直流正极导电区和第二直流正极导电区，所述直流负极导电区为多个且至少包括间隔排布的第一直流负极导电区和第二直流负极导电区；所述交流导电区为多个且至少包括间隔排布的第一交流导电区、第二交流导电区和第三交流导电区；其中，所述第一直流正极导电区通过所述第一芯片与所述第一交流导电区电连接，所述第二直流正极导电区通过所述第一芯片分别与所述第二交流导电区和所述第三交流导电区电连接；所述第一交流导电区通过所述第二芯片与所述第一直流负极导电区电连接，所述第二交流导电区通过所述第二芯片与所述第一直流负极导电区电连接，所述第三交流导电区通过所述第二芯片与所述第二直流负极导电区电连接。
9、根据本专利技术的一些实施例，所述第一交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第二交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第三交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第一交流导电区所连接的第一芯片的数量、所述第二交流导电区所连接的第一芯片的数量和所述第三交流导电区所连接的第一芯片的数量相同。
10、根据本专利技术的一些实施例，所述半导体功率模块具有彼此正交的第一方向和第二方向；所述第一直流正极导电区、所述第一直流负极导电区、所述第二直流正极导电区和所述第二直流负极导电区沿所述第一方向依次交替且间隔排布，且所述第一直流正极导电区、所述第一直流负极导电区、所述第二直流正极导电区和所述第二直流负极导电区均沿所述第二方向延伸；所述第一交流导电区、所述第二交流导电区和所述第三交流导电区沿所述第一方向依次间隔排布，且所述第一交流导电区、所述第二交流导电区和所述第三交流导电区均沿所述第二方向延伸。
11、根据本专利技术的一些实施例，多个所述直流正极导电区包括第一直流正极导电区和第二直流正极导电区，多个所述直流负极导电区包括第一直流负极导电区和第二直流负极导电区；多个所述交流导电区包括第一交流导电区、第二交流导电区和第三交流导电区；其中，所述第一直流正极导电区通过所述第一芯片与所述第一交流导电区连接，所述第二直流正极导电区通过所述第一芯片分别与所述第二交流导电区和所述第三交流导电区连接；所述第一交流导电区通过所述第二芯片与所述第一直流负极导电区连接，所述第二交流导电区通过所述第二芯片与所述第一直流负极导电区连接，所述第三交流导电区通过所述第二芯片与所述第二直流负极导电区连接。
12、根据本专利技术的一些实施例，所述第一交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第二交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第三交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第一交流导电区所连接的第一芯片的数量、所述第二交流导电区所连接的第一芯片的数量和所述第三交流导电区所连接的第一芯片的数量相同。
13、根据本专利技术的一些实施例，多个所述第一芯片排列为沿所述第一方向间隔的第一排、第二排和第三排，所述第一排、所述第二排和所述第三排中的每一个均包括沿所述第二方向间隔排布的多个第一芯片；其中，所述第一排安装于所述第一直流正极导电区且与所述第一交流导电区连接，所述第二排安装于所述第二直流正极导电区且与所述第二交流导电区连接，所述第三排安装于第二直流正极导电区且与所述第三交流导电区连接。
14、根据本专利技术的一些实施例，多个所述第二芯片排列为沿所述第一方向间隔的第四排、第五排和第六排，所述第四排、所述第五排和所述第六排中的每一个均包括沿所述第二方向间隔排布的多个第二芯片；其中，所述第四排安装于所述第一交流导电区且与所述第一直流负极导电区连接，所述第五排安装于所述第二交流导电区且与所述第一直流负极导电区连接，所述第六排安装于所述第三交流导电区且与所述第二直流负极导电区连接。
15、根据本专利技术的一些实施例，所述第一排、所述第四排、所述第五排、所述第二排、所述第三排和所述第六排沿所述第一方向间隔排布。
16、根据本专利技术的一些实施例，所述半导体功率模块还包括：第一正极端子和第二正极端子，所述第一正极端子与所述第一直流正极导电区连接，所述第二正极端子与所述第二直流正极导电区连接；第一负极端子和第二负极端子，所述第一负极端子与所述第一直流负极导电区连接，所述第二负极端子与所述第二直流负极导电区连接；第一交流端子、第二交流端子和第三交流端子，所述第一交流端子与所述第一交流导电区连接，所述第二交流端子与所述第二交流导电区连接，所述第三交流端子与所述第三交流导电区连接。
17、根据本专利技术的一些实施例，所述第一正极端子、第二正极端子、所述第一负极端子和所述第二负极端子沿所述第二方向伸出所述第一基板和所述第二基板的一侧；所述第一交流端子、所述第二交流端子和所述第三交流端子沿所述第二方向伸出所述第一基板和所述第二基板的另一侧。
18、根据本专利技术的一些实施例，所述半导体功率模块还包括：第一散热板，所述第一散热板连接于所述第一基板的背向所述第二基板的一侧；第二散热板，所述第二散热板连接于所述第二基板的背向所述第一基板的一侧。
19、根据本专利技术的一些实施例，所述第一散热板和所述第二散热板均开设有液体通道，所述液体通道配置为供换热工质流动以带走所述第一芯片和所述第二芯片产生的热量。
20、根据本专利技术的一些实施例，所述第一散热板的背向所述第一基板的一侧设有第一散热针和本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体功率模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板层叠设置，所述直流正极导电区和所述直流负极导电区设于所述第一基板的朝向所述第二基板的一侧，所述交流导电区设于所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧。
3.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一芯片位于所述直流正极导电区和所述交流导电区之间，所述第二芯片位于所述直流负极导电区和所述交流导电区之间。
4.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述直流正极导电区为多个且至少包括间隔排布的第一直流正极导电区和第二直流正极导电区，所述直流负极导电区为多个且至少包括间隔排布的第一直流负极导电区和第二直流负极导电区；
5.根据权利要求4所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第二交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第三交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第一交流导电区所连接的第一芯片的数量、所述第二交流导电区所连接的第一芯片的数量和所述第三交流导电区所连接的
6.根据权利要求4所述的半导体功率模块，其特征在于，所述半导体功率模块具有彼此正交的第一方向和第二方向；
7.根据权利要求6所述的半导体功率模块，其特征在于，多个所述第一芯片排列为沿所述第一方向间隔的第一排、第二排和第三排，所述第一排、所述第二排和所述第三排中的每一个均包括沿所述第二方向间隔排布的多个第一芯片；
8.根据权利要求7所述的半导体功率模块，其特征在于，多个所述第二芯片排列为沿所述第一方向间隔的第四排、第五排和第六排，所述第四排、所述第五排和所述第六排中的每一个均包括沿所述第二方向间隔排布的多个第二芯片；
9.根据权利要求8所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一排、所述第四排、所述第五排、所述第二排、所述第三排和所述第六排沿所述第一方向间隔排布。
10.根据权利要求4-9中任一项所述的半导体功率模块，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一正极端子、第二正极端子、所述第一负极端子和所述第二负极端子沿所述第二方向伸出所述第一基板和所述第二基板的一侧；
12.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一散热板和所述第二散热板均开设有液体通道，所述液体通道配置为供换热工质流动以带走所述第一芯片和所述第二芯片产生的热量。
14.根据权利要求12所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一散热板的背向所述第一基板的一侧设有第一散热针和第一散热翅片中的至少一个；
15.根据权利要求12所述的半导体功率模块，其特征在于，还包括：
16.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一基板设有直流采样导电区和直流控制导电区，所述第一芯片通过直流导线与所述直流采样导电区和所述直流控制导电区中的至少一个连接；
18.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一基板包括层叠设置的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第一绝缘层的背向所述第二基板的一侧，所述第二金属层位于所述第一绝缘层的朝向所述第二基板的一侧，所述直流正极导电区和所述直流负极导电区设于所述第二金属层；
19.一种电机控制器，其特征在于，包括根据权利要求1-18中任一项所述的半导体功率模块。
20.一种车辆，其特征在于，包括根据权利要求19所述的半导体功率模块。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体功率模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板层叠设置，所述直流正极导电区和所述直流负极导电区设于所述第一基板的朝向所述第二基板的一侧，所述交流导电区设于所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧。
3.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一芯片位于所述直流正极导电区和所述交流导电区之间，所述第二芯片位于所述直流负极导电区和所述交流导电区之间。
4.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述直流正极导电区为多个且至少包括间隔排布的第一直流正极导电区和第二直流正极导电区，所述直流负极导电区为多个且至少包括间隔排布的第一直流负极导电区和第二直流负极导电区；
5.根据权利要求4所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第二交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第三交流导电区所连接的第二芯片的数量、所述第一交流导电区所连接的第一芯片的数量、所述第二交流导电区所连接的第一芯片的数量和所述第三交流导电区所连接的第一芯片的数量相同。
6.根据权利要求4所述的半导体功率模块，其特征在于，所述半导体功率模块具有彼此正交的第一方向和第二方向；
7.根据权利要求6所述的半导体功率模块，其特征在于，多个所述第一芯片排列为沿所述第一方向间隔的第一排、第二排和第三排，所述第一排、所述第二排和所述第三排中的每一个均包括沿所述第二方向间隔排布的多个第一芯片；
8.根据权利要求7所述的半导体功率模块，其特征在于，多个所述第二芯片排列为沿所述第一方向间隔的第四排、第五排和第六排，所述第四排、所述第五排和所述第六排中的每一个均包括沿所述第二方向间隔排布的多个第二芯片；
9.根据权利要求8所述的半导体功率模块，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：廉玉波，凌和平，翟震，刘海军，张海星，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。