半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括在纵向晶体管上附加地形成金属字线以获得多层结构，从而通过防止将纵向晶体管的环绕栅极连接起来的镶嵌字线的电阻增加，来防止半导体器件的操作速度降低。因此，可以提高半导体器件的良品率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　第一字线，其连接至纵向晶体管的栅极；以及　第二字线，其构造成将栅极电源供应至所述第一字线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑星雄，黄祥珉，金贤贞，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]