本发明专利技术是提供一种芯片封装单元，适以与另一相同结构的芯片封装单元进行电性堆迭。该芯片封装单元包含一芯片及二导电结构。各该导电结构是通过一第一端部区域，以一第一表面与一主动面电性连接，并沿该芯片的其中一端面弯折。该芯片封装单元的一第二端部区域，适可通过一第一表面，与该另一芯片封装单元的相对应导电结构的一第二表面呈电性连接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种芯片封装单元；特别是关于可应用于一堆迭封装结构的芯片 封装单元。
技术介绍
随着半导体技术的进步，各种封装技术己被广泛使用于各种电子产品中。例如 将芯片封装单元与另一基本相同结构的芯片封装单元以电性连接方式堆迭的技术， 此先前技术在不增加电路板面积条件下，可置入更高密度的芯片。故当电子产品需 要节省电路板所占空间时，芯片封装单元便成为不可或缺的组件。先前技术己提出可实现芯片封装单元应用的封装堆迭架构，目前己知先前技术 揭露利用一导线架来作为电性连接芯片封装单元的中介层，请参图1以便说明。图1为己知的一芯片封装单元1与另一芯片封装单元la堆迭的一实例的示意 图，其芯片封装单元与l与另一芯片封装单元la具有基本相同结构。芯片封装单 元1包含一芯片10及一导线架11。在该导线架11具有一第一表面12与一第二表 面13，且该导线架11包含有多个针通孔(Pin Through Hole, PTH) 14，各该针 通孔14在第二表面13下有对应的各该焊点凸块15，如此形成一芯片封装单元1。 一芯片封装单元1的各该焊点凸块15与另一芯片封装单元la的多个针通孔16电 性连接，其电性连接处用一锡膏17来固接，该锡膏17可辅助并加强连接结构的稳 固。并将堆迭之后的芯片封装单元1电性连接于一印刷电路板18上。图2为己知的一芯片封装单元2与另一芯片封装单元2a堆迭时的一实例的示 意图，其芯片封装单元与2与另一芯片封装单元2a具有基本相同结构。本实施例 与前一实施例不同之处在于一芯片封装单元2于导线架21的第一表面22及第二表 面23上分别各使用多个焊点凸块24来作为电性连接方式。其方式是为在芯片封装 单元2的各该多个针通孔25的第一表面22与第二表面23上分别形成一焊点凸块 24，借此与另一相同结构的芯片封装单元2a进行堆迭，各该焊点凸块24与各该针 通孔25电性连接处用一锡膏26来辅助与加强结构稳固。并将堆迭之后的芯片封装单元2堆迭的电性连接于一印刷电路板27上。通常来说，芯片封装单元1的堆迭需在导线架11上通过针通孔14使用焊点凸 块15来做电性连接，但焊点凸块15的厚度相当厚，其占据了大部分堆迭的空间， 使该芯片封装单元1与芯片封装单元la所进行的堆迭结构具有相当的厚度。同时 焊点凸块15在接点处容易造成裂缝，导致品质成本增加。且一般传统封装芯片单 元为非芯片级封装(Non Chip Scale Package)，其芯片在封装后的引脚尺寸较大， 造成其封装芯片单元面积较大，在堆迭时造成封装结构内部散热不良。有鉴于此，提供一种改良的封装芯片单元，使堆迭后的整体厚度縮减，并使接 点处不易断裂进而减少品质成本，为此一业界亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种芯片封装单元，于芯片封装单元与芯片封装单元之 间采用一导线架，以提供一导电路径。该导线架上使用单面平板焊球来以固接各芯 片封装单元间的堆迭，适以与另一基本相同结构的芯片封装单元进行电性堆迭。借此，可达到减低堆迭后芯片封装单元厚度的目的，使堆迭后的整体厚度縮减，同时 减少工艺成本。本专利技术的另一 目的在于提供一种芯片封装单元，于芯片封装单元与芯片封装单 元之间采用一导线架或一可挠性基板，以提供一导电路径。该导线架上使用双面平 板焊球来固接各芯片封装单元间的堆迭，适以与另一基本相同结构的芯片封装单元 进行电性堆迭。借此，可达到减低堆迭后芯片封装单元厚度的目的，使堆迭后的整 体厚度縮减，并减少制造成本。为达上述目的，本专利技术揭露一种芯片封装单元，适以与另一基本相同结构的芯 片封装单元进行电性堆迭。该芯片封装单元包含一芯片及二导电结构。该芯片具有 二端面及位于该二端面间的一主动面。各该导电结构具有一第一端部区域与该第一 端部区域相对的一第二端部区域、 一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面。 各该导电结构通过该第一端部区域，以该第一表面与该主动面电性连接，并沿该芯 片的其中一端面弯折。借此该芯片封装单元的第二端部区域,适可通过该第一表面， 与该另一芯片封装单元的相对应导电结构的一第二表面呈电性连接。本专利技术还揭露一种芯片封装单元，适以与另一基本相同结构的芯片封装单元进 行电性堆迭。该芯片封装单元包含一芯片及二导电结构。该芯片具有二端面及位于 该二端面间的一主动面及一非主动面。各该导电结构具有一第一端部区域、与该第5一端部区域相对的一第二端部区域、 一第一表面及与该第一表面相对的一第二表 面。各该导电结构通过该第一端部区域，以该第一表面与该主动面电性连接，并沿 该芯片的其中一端面，弯折至该非主动面上。借此该芯片的第二端部区域，适可通 过该第二表面，与该另一芯片封装单元的相对应导电结构的一第二表面呈电性连 接。附图说明为让本专利技术的上述目的、技术特征、和优点能更明显易懂，下面将配合附图对 本专利技术的较佳实施例进行详细说明，其中图1是己知的芯片封装单元与另一芯片封装单元堆迭的一实例的示意图2是已知的芯片封装单元与另一芯片封装单元在堆迭时另一不同电性连接 方式一实例的示意图3是本专利技术的芯片封装单元的结构的一实施例的示意图4是本专利技术芯片封装单元与另一基本相同结构的芯片封装单元进行电性堆 迭的一实施例示意图5是本专利技术另一种芯片封装单元的另一实施例示意图6是本专利技术芯片封装单元与另一基本相同结构的芯片封装单元进行电性堆 迭另一实施例示意图7是本专利技术另一芯片封装单元的结构的另一实施例示意图8是本专利技术另一芯片封装单元与另一基本相同结构的芯片封装单元进行电 性堆迭的另一实施例示意图；以及图9是本专利技术另一芯片封装单元的结构的另一实施例示意图。主要元件符号说明1芯片封装单元 la芯片封装单元10芯片 U导线架12第一表面 13第二表面14针通孔 15焊点凸块16针通孔 17锡膏18印刷电路板2a芯片封装单元 22第一表面 24焊点凸块 26锡膏3 芯片封装单元31a导电结构32a端面33主动面35第二端部区域37第二表面39第一连接件40a导电结构41第二表面43散热装置5 芯片封装单元51a导电结构52a端面53主动面55第一端部区域57第一表面59衬垫60第一连接件2 芯片封装单元 21导线架 23第二表面 25针通孔 27印刷电路板 30芯片 31b导电结构 32b端面34第一端部区域 36第一表面 38衬垫4 芯片封装单元40b导电结构42第二连接件44印刷电路板50芯片51b导电结构52b端面54非主动面56第二端部区域58第二表面6 芯片封装单元61第二连接件62a导电结构62b导电结构63第二表面64第一支撑件65印刷电路板7芯片封装单元70可挠性基板70a导电结构71第一端部区域72第二端部区域73第一表面74第二表面75心片76非主动面77a端面77b端面78主动面79衬垫8芯片封装单元80第一连接件81导电结构82第二表面83第二连接件84第一支撑件85印刷电路板9芯片封装单元90晶粒91导电结构92焊垫93第一连接件具体实施例方式以下将通过实施例来解释本
技术实现思路
，其是关于一种芯片封装单元，适以与另 一基本相同结构的芯片封装单元进行电性堆迭，以达到减低堆迭后芯片封装单元厚 度的目的，并改进先前技术中使用针通孔、焊点凸块来做为导电路径的缺点。然而，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种芯片封装单元，适以与另一相同结构的芯片封装单元进行电性堆迭，该芯片封装单元包含： 一芯片，具有二端面及位于该二端面间的一主动面；以及 二导电结构，各该导电结构具有一第一端部区域、与该第一端部区域相对的一第二端部区域、一第一表 面及与该第一表面相对的一第二表面；其中各该导电结构，通过该第一端部区域，以该第一表面与该主动面电性连接，并沿该芯片的其中一端面弯折； 借此，该芯片封装单元的第二端部区域，适可通过该第一表面，与该另一芯片封装单元的相对应导电结构的一第二 表面呈电性连接。
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装单元，适以与另一相同结构的芯片封装单元进行电性堆迭，该芯片封装单元包含一芯片，具有二端面及位于该二端面间的一主动面；以及二导电结构，各该导电结构具有一第一端部区域、与该第一端部区域相对的一第二端部区域、一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面；其中各该导电结构，通过该第一端部区域，以该第一表面与该主动面电性连接，并沿该芯片的其中一端面弯折；借此，该芯片封装单元的第二端部区域，适可通过该第一表面，与该另一芯片封装单元的相对应导电结构的一第二表面呈电性连接。2. 根据权利要求1所述的芯片封装单元，其特征是还包含多个第一连接件，形 成于各该第一端部区域，以使该主动面通过这些第一连接件与该主动面电性连接。3. 根据权利要求l所述的芯片封装单元，其特征是还包含多个第二连接件，形 成于各该第二端部区域，以使芯片封装单元通过这些第二连接件，与该另一芯片封 装单元的相对应导电结构的该第二表面呈电性连接。4. 根据权利要求2所述的芯片封装单元，其特征是各该第一连接件是一平板式 锡球，且各该导电结构是一设计为具有50欧姆阻抗匹配之导线架。5. 根据权利要求3所述的芯片封装单元，其特征是各该第二连接件是一平板式 锡球、且各该导电结构是一设计为具有50欧姆阻抗匹配之导线架。6. —种芯片封装单元，适以与另一相同结构的芯片封装单元进行电...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄祥铭，刘安鸿，李宜璋，蔡豪殷，何淑静，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，百慕达南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。