【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域，具体而言，涉及一种晶圆片加工方法及加工装置。
技术介绍
1、在功率半导体领域，半导体器件的厚度越薄，可以得到更低的阈值电压vf和更高的浪涌参数，因此，超薄晶圆片是半导体领域的发展趋势。目前，如图1所示，为了对晶圆片进行减薄，常规的工艺流程为贴膜、进料、减薄、清洗、甩干、出料；在碳化硅晶圆片加工过程中，通过该常规减薄工艺能够将碳化硅晶圆片减薄至180-350um。
2、然而，当需要将碳化硅晶圆片减薄至100-150um厚度或更薄时，由于贴膜工艺会将膜贴设在晶圆片衬底正面。随着减薄的进行，膜中的压力无法及时释放出来，会导致晶圆片产生较大的翘曲，使得晶圆片在出料时易撞到卡夹导致碎片，增加了碎片风险。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种晶圆片加工方法及加工装置，以解决现有技术中的膜层应力累积导致晶圆片翘曲较大而使得出料时碎片风险较高的技术问题。
2、为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种晶圆片加工方法，包括：
3、将膜层贴设在晶圆片的第一表面处，并对晶圆片进行减薄处理；
4、在对晶圆片进行减薄处理后，沿膜层的厚度方向对膜层的至少部分进行刺入操作；
5、对晶圆片的第二表面进行挤压操作，以使膜层在膜层的受刺入部位处形成贯通膜层的厚度方向的刺穿孔；
6、其中，第一表面和第二表面分别位于晶圆片的两侧。
7、进一步地，沿膜层的厚度方向对膜层的至少部分进行刺
8、沿膜层的厚度方向对膜层的至少部分进行刺入深度为d1的刺入操作；
9、d0-d1≤30um；和/或，d0-d1≥10um；
10、其中，膜层的厚度为d0。
11、进一步地，在沿膜层的厚度方向对膜层的至少部分进行刺入操作之前，加工方法还包括：将晶圆片放置在承载基础上，并使第一表面位于第二表面的远离承载基础的一侧；
12、在对晶圆片的第二表面进行挤压操作之前，加工方法还包括：对晶圆片进行翻转，以使第二表面位于第一表面的远离承载基础的一侧。
13、根据本专利技术的另一方面，提供了一种晶圆片加工装置，适用于上述提供的晶圆片加工方法，晶圆片加工装置包括：
14、刺入结构，刺入结构用于对晶圆片的第一表面处的膜层进行刺入操作；
15、压合结构，压合结构用于对晶圆片的第二表面进行挤压操作。
16、进一步地，刺入结构包括主体部和刺针，刺针具有相互连接的连接段和刺入尖段，连接段与主体部连接，刺入尖段用于刺入膜层的至少部分；
17、其中，刺入尖段的最大直径为dmax，0.3mm≤dmax≤0.5mm；和/或，
18、刺入尖段的长度为l，0.5mm≤l≤2mm；和/或，
19、刺针为多个，多个刺针间隔设置在主体部上。
20、进一步地，晶圆片加工装置还包括：
21、载具，载具的承载面形成承载基础，以对第一表面或第二表面进行支撑。
22、进一步地，刺入结构包括相互连接的主体部和刺针，刺针为多个，多个刺针间隔设置在主体部的安装面上；
23、其中，沿安装面的中部至边缘的延伸方向，相邻两个刺针之间的间距逐渐增大；和/或，
24、多个刺针沿安装面的中部至边缘的延伸方向间隔设置以形成刺针组，刺针组为多个，多个刺针组围绕安装面的中部间隔设置；和/或，
25、安装面的尺寸与晶圆片的尺寸相适配。
26、进一步地，压合结构具有用于对晶圆片进行挤压的压合面；
27、其中，压合结构为压合板，压合板的板面形成压合面；或者，
28、压合结构包括相互连接的本体部和凸起，凸起为多个，多个凸起间隔设置在本体部上，多个凸起均凸出于本体部设置；多个凸起的远离本体部的一端的端面用于形成压合面。
29、进一步地，刺入结构包括相互连接的主体部和刺针，刺针为多个，多个刺针间隔设置在主体部上，多个凸起与多个刺针一一对应地设置，各个凸起用于对与经对应的刺针刺入的膜层的部位相对的第二表面的部位进行挤压。
30、进一步地，压合结构包括相互连接的本体部和凸起，凸起为多个，多个凸起间隔设置在本体部上，多个凸起均凸出于本体部设置；多个凸起沿本体部的中部至边缘的延伸方向间隔设置以形成凸起组，凸起组为多个，多个凸起组围绕本体部的中部间隔设置；或者，
31、压合结构包括相互连接的本体部和环形凸部，环形凸部为多个，多个环形凸部的尺寸依次增大，多个环形凸部依次套设。
32、应用本专利技术的技术方案，能够在贴膜和减薄处理完成后，通过沿膜层的厚度方向对膜层的至少部分进行刺入操作，随后挤压晶圆片的第二表面，使得膜层受刺入的部位形成贯通膜层的厚度方向的刺穿孔，这样，贴设在晶圆片表面的膜层在刺穿孔处被断开，减薄时累积在膜层内的应力得以释放，从而有效降低了晶圆片在膜层牵拉作用下产生的翘曲，进而有效避免了出料时由于晶圆片翘曲度过大而撞到卡夹处而被撞碎，进一步提高了出料的合格率，降低了废品率。因此，通过本专利技术提供的技术方案，能够解决现有技术中的膜层应力累积导致晶圆片翘曲较大而使得出料时碎片风险较高的技术问题。
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1.一种晶圆片加工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆片加工方法，其特征在于，所述沿所述膜层的厚度方向对所述膜层的至少部分进行刺入操作，包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆片加工方法，其特征在于，在所述沿所述膜层的厚度方向对所述膜层的至少部分进行刺入操作之前，所述加工方法还包括：将所述晶圆片放置在承载基础上，并使所述第一表面位于所述第二表面的远离所述承载基础的一侧；
4.一种晶圆片加工装置，其特征在于，适用于权利要求1至3中任一项所述的晶圆片加工方法，所述加工装置包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述刺入结构(20)包括主体部(21)和刺针(22)，所述刺针(22)具有相互连接的连接段(221)和刺入尖段(222)，所述连接段(221)与所述主体部(21)连接，所述刺入尖段(222)用于刺入所述膜层(40)的至少部分；
6.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述晶圆片加工装置还包括：
7.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述刺入结构(2
8.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述压合结构(30)具有用于对所述晶圆片(10)进行挤压的压合面；
9.根据权利要求8所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述刺入结构(20)包括相互连接的主体部(21)和刺针(22)，所述刺针(22)为多个，多个所述刺针(22)间隔设置在所述主体部(21)上，多个所述凸起(32)与多个所述刺针(22)一一对应地设置，各个所述凸起(32)用于对与经对应的所述刺针(22)刺入的膜层(40)的部位相对的所述第二表面(11)的部位进行挤压。
10.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述压合结构(30)包括相互连接的本体部(31)和凸起(32)，所述凸起(32)为多个，多个所述凸起(32)间隔设置在所述本体部(31)上，多个所述凸起(32)均凸出于所述本体部(31)设置；多个所述凸起(32)沿所述本体部(31)的中部至边缘的延伸方向间隔设置以形成凸起组，所述凸起组为多个，多个所述凸起组围绕所述本体部(31)的中部间隔设置；或者，
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆片加工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆片加工方法，其特征在于，所述沿所述膜层的厚度方向对所述膜层的至少部分进行刺入操作，包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆片加工方法，其特征在于，在所述沿所述膜层的厚度方向对所述膜层的至少部分进行刺入操作之前，所述加工方法还包括：将所述晶圆片放置在承载基础上，并使所述第一表面位于所述第二表面的远离所述承载基础的一侧；
4.一种晶圆片加工装置，其特征在于，适用于权利要求1至3中任一项所述的晶圆片加工方法，所述加工装置包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述刺入结构(20)包括主体部(21)和刺针(22)，所述刺针(22)具有相互连接的连接段(221)和刺入尖段(222)，所述连接段(221)与所述主体部(21)连接，所述刺入尖段(222)用于刺入所述膜层(40)的至少部分；
6.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述晶圆片加工装置还包括：
7.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述刺入结构(20)包括相互连接的主体部(21)和刺...
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉斌，邱舜国，周天彪，钟泳生，陈铭杰，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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