【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种单晶圆清洗装置，尤指一种多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置及一种晶圆处理方法。
技术介绍
1、现有的清洗制程需要晶圆表面有充分浸泡于清洗用的化学药液中的时间，才能产生有效的化学清洗反应。一般的半导体单晶圆旋转清洗制程设备，无法在晶圆转盘上进行浸泡处理，因此晶圆必需先于专用的浸泡槽体(soaking tank)执行浸泡清洗制程，让药液与晶圆能产生充分化学反应，以进行初步清洗制程。接着，初步清洗后的晶圆经由机械手臂(transfer robot)传送到单晶圆旋转清洗腔体，再进行晶圆旋转清洗与旋干等后续制程。
2、上述多个清洗步骤须将晶圆分别置于不同设备处方能完成，这使得整体清洗制程趋于复杂，进而增加制程时间与生产成本。
3、因此，在当今晶圆清洗制程领域上，迫切需要能连续完成上述复杂清洗步骤，并且将多道清洗步骤整合在单一晶圆清洗装置上进行，以提高制程效率与降低生产成本。
技术实现思路
1、本专利技术主要目的在于提供一种多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其在晶圆转盘外围设置一环绕所述晶圆转盘的晶圆承接盘，所述晶圆承接盘可相对所述晶圆转盘升降，并在晶圆承接盘上升位置时让晶圆位于所述晶圆承接盘内的浸泡槽，以达到晶圆充分浸泡于药液中之目的。
2、为达上述目的，本专利技术提供一种多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，包括：
3、一旋转驱动装置；
4、一晶圆转盘，连接在所述旋转驱动装置上，经由所述旋转驱动装置的驱动而旋转，且用于固定一放置于
5、一晶圆承接盘，呈环状而环绕设置于所述晶圆转盘外侧，且用于相对所述晶圆转盘上升到一晶圆承接位置或相对所述晶圆转盘下降到一晶圆脱离位置，所述晶圆承接盘具有一底盘部以及一自所述底盘部的外缘突伸出的外环墙部，在所述底盘部与所述外环墙部之间形成一浸泡槽以用于容纳所述晶圆，在所述底盘部的晶圆接触顶面上设置有一水密接触垫片以用于水密性地接触所述晶圆，在所述晶圆承接盘上贯穿形成有一与所述浸泡槽相连通的容置孔以用于供所述晶圆转盘进出所述容置孔；
6、其中，当所述晶圆承接盘上升到所述晶圆承接位置时，所述底盘部的所述水密接触垫片对齐所述晶圆转盘的所述上表面；当所述晶圆承接盘下降到所述晶圆脱离位置时，所述底盘部的所述水密接触垫片低于所述晶圆转盘的所述上表面。
7、在本专利技术一较佳实施例中，所述水密接触垫片为环形，且部分或完全覆盖所述晶圆接触顶面。
8、在本专利技术一较佳实施例中，所述晶圆承接盘的所述底盘部的所述晶圆接触顶面形成有一集液槽，且所述集液槽位于所述浸泡槽下方且与所述浸泡槽相连通。
9、在本专利技术一较佳实施例中，所述水密接触垫片为环形且环绕所述集液槽。
10、在本专利技术一较佳实施例中，所述水密接触垫片为环形且分布于所述集液槽上方，所述水密接触垫片的环形外侧边到所述容置孔的距离大于所述集液槽与所述容置孔之间的最远距离，且在所述水密接触垫片上贯穿形成有至少一对齐且连通所述集液槽的贯穿孔。
11、在本专利技术一较佳实施例中，所述集液槽为环形，且在所述底盘部上形成有一介于所述集液槽与所述容置孔之间的内环墙部。
12、在本专利技术一较佳实施例中，所述内环墙部的顶端与所述晶圆接触顶面齐平。
13、在本专利技术一较佳实施例中，所述集液槽与所述外环墙部之间相隔一间距。
14、在本专利技术一较佳实施例中，所述底盘部贯穿形成有至少一与所述集液槽相连通的排液孔。
15、在本专利技术一较佳实施例中，在所述底盘部的底面上突伸形成有对应各所述排液孔的排放管。
16、在本专利技术一较佳实施例中，所述底盘部的所述晶圆接触顶面为平坦面。
17、在本专利技术一较佳实施例中，所述旋转驱动装置上设置一真空泵连接埠，且所述晶圆转盘上贯穿形成一与所述真空泵连接埠相连通的真空吸孔，且所述真空吸孔用于固定所述晶圆于所述晶圆转盘上。
18、在本专利技术一较佳实施例中，在所述晶圆承接盘的所述外环墙部上设置有至少一突伸入所述浸泡槽内的液体喷嘴。
19、在本专利技术一较佳实施例中，所述晶圆承接盘连接一升降驱动机构，且所述升降驱动机构用于驱动所述晶圆承接盘，相对所述晶圆转盘进行上升或下降。
20、在本专利技术一较佳实施例中，所述晶圆转盘连接一升降驱动机构，且所述升降驱动机构用于驱动所述晶圆转盘，相对所述晶圆承接盘进行上升或下降。
21、在本专利技术一较佳实施例中，所述升降驱动机构固定在所述旋转驱动装置上。
22、在本专利技术一较佳实施例中，所述升降驱动机构为气压缸、液压缸、电磁阀、以及马达的其中一种。
23、在本专利技术一较佳实施例中，所述旋转驱动装置包括一马达，所述马达以一转轴连接所述晶圆转盘以用于驱动所述晶圆转盘进行旋转。
24、本专利技术另一目的在于提供一种晶圆处理方法，包括：
25、一装置提供步骤，包括提供一多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，包括：
26、一旋转驱动装置；
27、一晶圆转盘，连接在所述旋转驱动装置上，经由所述旋转驱动装置的驱动而旋转；以及
28、一晶圆承接盘，呈环状而环绕设置于所述晶圆转盘外侧，且用于相对所述晶圆转盘上升或下降，所述晶圆承接盘具有一底盘部以及一自所述底盘部的外缘突伸出的外环墙部，在所述底盘部与所述外环墙部之间形成一浸泡槽以用于容纳所述晶圆，在所述底盘部的晶圆接触顶面上设置有一水密接触垫片，在所述晶圆承接盘上贯穿形成有一与所述浸泡槽相连通的容置孔；
29、一第一升降步骤，包括将所述晶圆承接盘相对所述晶圆转盘上升或下降到一晶圆脱离位置；
30、一晶圆放置步骤，包括将一晶圆放置到所述晶圆转盘上；
31、一第二升降步骤，包括将所述晶圆承接盘相对所述晶圆转盘上升或下降到一晶圆承接位置，其中所述水密接触垫片水密性地接触所述晶圆；
32、一浸泡步骤，包括喷洒药液到所述晶圆上方并使所述药液流入所述浸泡槽中，并使得所述药液的液位升高到足以浸泡所述晶圆的至少一部份，其中所述水密接触垫片与所述晶圆之间的水密状态阻挡所述浸泡槽中的所述药液进一步往所述容置孔的方向流动；
33、一第三升降步骤，包括将所述晶圆承接盘相对所述晶圆转盘上升或下降到所述晶圆脱离位置，以使所述水密接触垫片自所述晶圆底部分离而产生一间隙，并让所述药液自所述间隙泄漏到所述浸泡槽之外；以及
34、一旋转清洗步骤，包括转动所述晶圆转盘以及所述晶圆，在所述晶圆上方喷洒药液以持续清洗所述晶圆。
35、在本专利技术一较佳实施例中，在所述旋转清洗步骤之后进一步包括：一去离子水清洗步骤，包括停止喷洒所述药液，持续旋转所述晶圆转盘以及所述晶圆，并在所述晶圆上方喷洒去离子水以清洗掉所述药液；以及一旋干步骤，包括停止喷洒所述去离子水，持续旋转所述晶圆转盘以及所述晶圆直到所述晶圆完全干燥。
36、在本专利技术一较佳实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述水密接触垫片为环形，且部分或完全覆盖所述晶圆接触顶面。
3.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述晶圆承接盘的所述底盘部的所述晶圆接触顶面形成有一集液槽，且所述集液槽位于所述浸泡槽下方且与所述浸泡槽相连通。
4.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述水密接触垫片为环形且环绕所述集液槽。
5.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述水密接触垫片为环形且分布于所述集液槽上方，所述水密接触垫片的环形外侧边到所述容置孔的距离大于所述集液槽与所述容置孔之间的最远距离，且在所述水密接触垫片上贯穿形成有至少一对齐且连通所述集液槽的贯穿孔。
6.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述集液槽为环形，且在所述底盘部上形成有一介于所述集液槽与所述容置孔之间的内环墙部。
7.根据权利要求6所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述内环墙
8.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述集液槽与所述外环墙部之间相隔一间距。
9.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述底盘部贯穿形成有至少一与所述集液槽相连通的排液孔。
10.根据权利要求9所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中在所述底盘部的底面上突伸形成有对应各所述排液孔的排放管。
11.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述底盘部的所述晶圆接触顶面为平坦面。
12.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述旋转驱动装置上设置一真空泵连接埠以用于连接一真空泵，且所述晶圆转盘上贯穿形成一与所述真空泵连接埠相连通的真空吸孔，且所述真空吸孔用于固定所述晶圆于所述晶圆转盘上。
13.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中在所述晶圆承接盘的所述外环墙部上设置有至少一突伸入所述浸泡槽内的液体喷嘴。
14.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述晶圆承接盘连接一升降驱动机构，且所述升降驱动机构用于驱动所述晶圆承接盘，相对所述晶圆转盘进行上升或下降。
15.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述晶圆转盘连接一升降驱动机构，且所述升降驱动机构用于驱动所述晶圆转盘，相对所述晶圆承接盘进行上升或下降。
16.根据权利要求14或15所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述升降驱动机构固定在所述旋转驱动装置上。
17.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：
18.根据权利要求17所述的晶圆处理方法，在所述旋转清洗步骤之后进一步包括：
19.根据权利要求17所述的晶圆处理方法，其中当所述晶圆承接盘上升到所述晶圆承接位置时，所述底盘部的所述水密接触垫片对齐所述晶圆转盘的上表面；当所述晶圆承接盘下降到所述晶圆脱离位置时，所述底盘部的所述水密接触垫片低于所述晶圆转盘的所述上表面。
20.根据权利要求17所述的晶圆处理方法，其中所述水密接触垫片为环形，且部分或完全覆盖所述晶圆接触顶面。
21.根据权利要求17所述的晶圆处理方法，其中所述晶圆承接盘的所述底盘部的所述晶圆接触顶面形成有一集液槽，且所述集液槽位于所述浸泡槽下方且与所述浸泡槽相连通。
22.根据权利要求21所述的晶圆处理方法，其中所述水密接触垫片为环形且环绕所述集液槽。
23.根据权利要求21所述的晶圆处理方法，其中所述水密接触垫片为环形且分布于所述集液槽上方，所述水密接触垫片的环形外侧边到所述容置孔的距离大于所述集液槽与所述容置孔之间的最远距离，且在所述水密接触垫片上贯穿形成有至少一对齐且连通所述集液槽的贯穿孔。
24.根据权利要求21所述的晶圆处理方法，其中所述集液槽为环形，且在所述底盘部上形成有一介于所述集液槽与所述容置孔之间的内环墙部。
...【技术特征摘要】
1.一种多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述水密接触垫片为环形，且部分或完全覆盖所述晶圆接触顶面。
3.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述晶圆承接盘的所述底盘部的所述晶圆接触顶面形成有一集液槽，且所述集液槽位于所述浸泡槽下方且与所述浸泡槽相连通。
4.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述水密接触垫片为环形且环绕所述集液槽。
5.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述水密接触垫片为环形且分布于所述集液槽上方，所述水密接触垫片的环形外侧边到所述容置孔的距离大于所述集液槽与所述容置孔之间的最远距离，且在所述水密接触垫片上贯穿形成有至少一对齐且连通所述集液槽的贯穿孔。
6.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述集液槽为环形，且在所述底盘部上形成有一介于所述集液槽与所述容置孔之间的内环墙部。
7.根据权利要求6所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述内环墙部的顶端与所述晶圆接触顶面齐平。
8.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述集液槽与所述外环墙部之间相隔一间距。
9.根据权利要求3所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述底盘部贯穿形成有至少一与所述集液槽相连通的排液孔。
10.根据权利要求9所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中在所述底盘部的底面上突伸形成有对应各所述排液孔的排放管。
11.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述底盘部的所述晶圆接触顶面为平坦面。
12.根据权利要求1所述的多功能单晶圆浸泡旋转清洗装置，其中所述旋转驱动装置上设置一真空泵连接埠以用于连接一真空泵，且所述晶圆转盘上贯穿形成一与所述真空泵连接埠相连通的真空吸孔，且所述真空吸孔用于固定所述晶圆于所述晶圆转盘上。
13.根据权利要求1所述的多功...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄立佐，张修凯，吴进原，许明哲，
申请(专利权)人：弘塑科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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