【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种发光芯片、像素单元、显示面板及显示面板制备方法。
技术介绍
1、在实现发光芯片全彩化显示的技术方案中，光转换法因具有技术门槛低、花费少、易于产业化等特点而受到显示厂商的青睐。
2、目前，制备光处理层的技术主要有喷墨打印、激光直写和纳米压印等方法。这些方法的都是将不同颜色的转换材料图案化涂覆在不同发光芯片表面制作成一个像素单元，一个像素单元通常需要由至少三颗发光芯片制得，这使得制作得到的显示器件的分辨率大幅下降。
3、因此，如何提高显示器件的分辨率是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片、像素单元、显示面板及显示面板制备方法，旨在解决如何提高显示器件的分辨率。
2、本申请提供一种像素单元，包括：
3、发光芯片；以及
4、层叠于所述发光芯片的出光方向上的至少三层光处理层，各所述光处理层间隔设置；所述三层光处理层分别被配置为将同种波长的入射光处理成红光、绿光、蓝光后出射。
5、上述的像素单元通过层叠在发光芯片的出光方向上的至少三层光处理层间隔设置，提高了显示器件的分辨率。
6、可选地，所述光处理层包括：
7、第一电极；
8、介电层；
9、围坝；
10、第二电极；以及
11、光处理流体；
12、其中，所述第一电极、所述介电层与所述第二电极沿着所述出光方向依
13、可选地，所述发光芯片包括：
14、第一半导体层；
15、有源层；
16、第二半导体层；
17、第一芯片电极；
18、第二芯片电极；以及
19、欧姆接触层；
20、其中，所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层及所述欧姆接触层依次层叠；所述第一芯片电极与所述第一半导体层电连接，所述第二芯片电极与所述欧姆接触层电连接；且所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层及所述欧姆接触层中至少一层设置有通孔或边缘形成有缺口。
21、上述的发光芯片中第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层及所述欧姆接触层中至少一层在边缘处设置有通孔或缺口，其在光处理层中的光处理流体可在第一电极及第二电极施加电压的情形下改变在容纳槽的铺展程度，可以获得更均匀的白光或直接根据需要将显示的颜色进行切换。
22、可选地，各所述光处理层通过第一绝缘层间隔设置，且所述发光芯片与所述光处理层之间设置有第二绝缘层。
23、可选地，所述第二电极上方的预设位置设置有光阻挡层，所述光阻挡层在所述欧姆接触层的正投影与所述通孔或缺口位置重叠，且所述正投影面积大于等于所述通孔或缺口面积。
24、上述光阻挡层的设置，可避免在光处理流体收缩为点状时，光反射到此处，可阻挡杂散光。
25、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光芯片，发光芯片包括：
26、第一半导体层；
27、有源层；
28、第二半导体层；
29、第一芯片电极；
30、第二芯片电极；以及
31、欧姆接触层；
32、其中，所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层及所述欧姆接触层依次层叠；所述第一芯片电极与所述第一半导体层电连接，所述第二芯片电极与所述欧姆接触层电连接；且所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层及所述欧姆接触层中至少一层在边缘处设置有通孔或缺口，以使层叠于所述有源层的出光方向上的至少三层光处理层中预定位置缺光，所述预定位置在设有所述通孔或所述缺口的材料层上的正投影与所述通孔或所述缺口位置重叠。
33、上述的发光芯片中第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层及所述欧姆接触层中至少一层设置有通孔或边缘形成有缺口，以供层叠于所述有源层的出光方向上的至少三层光处理层中预定位置缺光，提高了显示器件的分辨率。
34、可选地，所述欧姆接触层的外径尺寸小于所述第二半导体层的外径尺寸；所述第二芯片电极的外径尺寸小于所述欧姆接触层的外径尺寸。
35、上述欧姆接触层的外径尺寸小于第二半导体层的外径尺寸可规避第二半导体层边缘蚀刻导致的侧壁损伤，避免芯片出现漏电现象及非辐射复合。基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，包括：驱动背板；以及
36、若干个如上述像素单元，所述像素单元与所述驱动背板电连接。
37、上述显示面板中的各像素单元通过层叠在发光芯片的出光方向上的至少三层光处理层的设置，提高了显示器件的分辨率。
38、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板制备方法，包括：提供一外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层与第二半导体层；
39、设置与所述第二半导体层电连接的第二芯片电极；
40、提供一驱动背板，并将所述第二芯片电极与所述外延层键合，以将所述外延层设置到所述驱动背板上；
41、在所述第一半导体层上设置第一芯片电极，并将所述第一芯片电极与所述驱动背板电连接；
42、在所述外延层远离所述驱动背板的一侧依次层叠设置至少三层层光处理层，各所述光处理层间隔设置；所述三层光处理层分别被配置将同种波长的入射光处理成红光、绿光、蓝光后出射。
43、上述的显示面板的制备方法在所述外延层远离所述驱动背板的一侧依次层叠设置至少三层层光处理层，各所述光处理层间隔设置；各所述光处理层被配置为同种波长的入射光处理成红光、绿光及蓝光中任一种后出射，且三层光处理层产生的光的颜色各不相同，提高了显示面板的分辨率。
44、可选地，设置所述光处理层包括：
45、在所述第一芯片电极远离所述驱动背板的一侧依次设置第一电极、介电层；
46、在所述介电层上制作围坝，所述围坝与所述介电层围合形成容纳所述光处理流体的容纳槽；
47、将光处理流体注入所述容纳槽内，所述光处理流体被配置为对所述入射光进行波长转换；
48、在所述围坝上制作第二电极，所述第二电极将所述光处理流体覆盖，所述第一电极及所述第二电极被配置为向其施加电压时，所述光处理流体在所述容纳槽内的铺展程度改变。
49、可选地，所述设置与所述第二半导体层电连接的第二芯片电极包括：
50、在所述第二半导体层上设置欧姆接触层，所述欧姆接触层的边缘处设置有通孔或缺口；
51、在所述欧姆接触层上设置所述第二芯片电极本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种像素单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述光处理层包括：
3.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述发光芯片包括：
4.如权利要求3所述的像素单元，其特征在于，各所述光处理层通过第一绝缘层间隔设置，且所述发光芯片与所述光处理层之间设置有第二绝缘层。
5.如权利要求3或4所述的像素单元，其特征在于，所述第二电极上方设置有光阻挡层，所述光阻挡层在所述欧姆接触层的正投影与所述通孔或所述缺口位置重叠，且所述正投影的面积大于等于所述通孔或所述缺口的面积。
6.一种发光芯片，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的发光芯片，其特征在于，所述欧姆接触层的外径尺寸小于所述第二半导体层的外径尺寸；所述第二芯片电极的外径尺寸小于所述欧姆接触层的外径尺寸。
8.一种显示面板，其特征在于，包括：
9.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的显示面板制备方法，其特征在于，其特征在于，设置所述光处理层包括：
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...【技术特征摘要】
1.一种像素单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述光处理层包括：
3.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述发光芯片包括：
4.如权利要求3所述的像素单元，其特征在于，各所述光处理层通过第一绝缘层间隔设置，且所述发光芯片与所述光处理层之间设置有第二绝缘层。
5.如权利要求3或4所述的像素单元，其特征在于，所述第二电极上方设置有光阻挡层，所述光阻挡层在所述欧姆接触层的正投影与所述通孔或所述缺口位置重叠，且所述正投影的面积大于等于所述通孔或所述缺口的面积。
【专利技术属性】
技术研发人员：赵永周，马非凡，戴广超，陈德伪，赵世雄，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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