System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 保持构件和保持构件的制造方法技术_技高网

保持构件和保持构件的制造方法技术

技术编号:42615468 阅读:12 留言:0更新日期:2024-09-03 18:21
一种保持构件,其将α‑氧化铝作为主要成分,保持对象物,其特征在于,所述保持构件具有作为保持所述对象物的那一侧的面的保持面,在所述保持面形成有凸部和凹部,在底面包含γ‑氧化铝,所述底面划分出所述凹部的底部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及保持构件和保持构件的制造方法


技术介绍

1、已知有利用静电引力保持对象物的保持构件。例如,在专利文献1中公开了一种静电卡盘,其通过喷丸加工而在作为保持构件的陶瓷构件中的保持对象物的那一侧的保持面形成有凹部。喷丸加工是使介质碰撞而研磨保持面的加工。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2020-129632号公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、但是,在专利文献1所记载的静电卡盘中,由于通过介质的碰撞而在保持构件形成有凹部,因此有可能在凹部产生微裂纹、或者在凹部表面累积应变。若在凹部产生微裂纹,则因在保持对象物时的对保持构件进行的加热和冷却(热循环)的过程中在保持构件产生的热应力,而有时产生以微裂纹为起点的微粒。此外,若在凹部累积应变,则在使用保持构件时有时引起裂纹的产生,以该裂纹为起点地产生微粒。因此,在抑制微粒的产生这个方面还有改善的余地。

3、本专利技术是为了解决上述的课题的至少一部分而完成的,其目的在于提供一种能够抑制微粒的产生的技术。

4、用于解决问题的方案

5、本专利技术是为了解决上述的课题的至少一部分而完成的,能够作为以下的技术方案而实现。

6、(1)根据本专利技术的一技术方案,提供一种保持构件。该保持构件将α-氧化铝作为主要成分,保持对象物,其特征在于,所述保持构件具有作为保持所述对象物的那一侧的面的保持面,在所述保持面形成有凸部和凹部,在底面包含γ-氧化铝,所述底面划分出所述凹部的底部。

7、根据该结构,在形成于作为保持对象物的那一侧的面的保持面的凹部中,在划分出其底部的底面包含γ-氧化铝,该γ-氧化铝与作为保持构件的主要成分的α-氧化铝相比杨氏模量较低。因此,能够缓和在热循环的过程中在保持构件产生的热应力中的、在凹部的底面产生的热应力。因而,能够在凹部的底面中抑制由热应力引起的微裂纹的产生,因此能够抑制微粒的产生。

8、(2)在上述技术方案的保持构件中,也可以是,在所述底面还包含无定形的部分。

9、根据该结构,在凹部的底面,除了γ-氧化铝以外还包含与γ-氧化铝相比杨氏模量较低的无定形的部分。因此,能够进一步缓和在热循环的过程中在保持构件产生的热应力中的、在凹部的底面产生的热应力。热应力的进一步的缓和进一步抑制微裂纹的产生,其结果,进一步抑制微粒的产生。

10、(3)在上述技术方案的保持构件中,也可以是,所述底面所包含的γ-氧化铝的比例为5%以上且20%以下。

11、由于γ-氧化铝与α-氧化铝相比杨氏模量较低,因此通过在凹部的底面中适量包含该γ-氧化铝,从而有助于在热循环的过程中在保持构件产生的热应力的缓和。另一方面,由于γ-氧化铝与α-氧化铝相比耐等离子体性低,因此若在凹部的底面中过量包含该γ-氧化铝,则γ-氧化铝自身会成为微粒的产生源。根据该结构,能够在抑制凹部的底面所包含的γ-氧化铝成为微粒的产生源的同时,有利于缓和热应力。

12、(4)根据本专利技术的另一技术方案,提供一种保持构件的制造方法。该保持构件的制造方法的特征在于,该制造方法具备凹部形成工序,在该凹部形成工序中,通过向将α-氧化铝作为主要成分的构件的加工对象面照射超短脉冲激光,从而在所述加工对象面形成凹部。

13、根据该结构,在通过向将α-氧化铝作为主要成分的构件的加工对象面照射超短脉冲激光而形成的凹部中包含γ-氧化铝、无定形的部分。因此,能够缓和在热循环的过程中在保持构件产生的热应力中的、在凹部的底面产生的热应力。因而,根据该结构,由于能够在凹部的底面中抑制由热应力引起的微裂纹的产生,因此能够制造抑制微粒的产生的保持构件。

14、(5)根据本专利技术的一技术方案,提供一种保持构件。该保持构件将陶瓷作为主要成分,保持对象物,其特征在于,所述保持构件具有作为保持所述对象物的那一侧的面的保持面,所述保持面中的至少一部分的表面由第1陶瓷晶体颗粒构成,所述保持构件中的比所述保持面靠内侧的部分由第2陶瓷晶体颗粒构成,作为所述第1陶瓷晶体颗粒的粒径的第1粒径小于作为所述第2陶瓷晶体颗粒的粒径的第2粒径。

15、根据该结构,保持面中的至少一部分的表面由第1陶瓷晶体颗粒构成,保持构件中的比保持面靠内侧的部分由第2陶瓷晶体颗粒构成。而且,作为第1陶瓷晶体颗粒的粒径的第1粒径小于作为第2陶瓷晶体颗粒的粒径的第2粒径。因此,保持面中的至少一部分的表面由比第2粒径小的第1粒径的第1陶瓷晶体颗粒构成,因此能够减小在使用保持构件时从保持面产生的微粒尺寸。此外,由于第1陶瓷晶体颗粒相当于第2陶瓷晶体颗粒的一部分被切削了的陶瓷晶体颗粒,因此在由第1陶瓷晶体颗粒构成的表面中包含使晶粒内(晶体颗粒中的比晶界靠内侧的部分)朝向该表面暴露的陶瓷晶体颗粒。即,在这样的表面中,由于在表面暴露的晶界变少,因此能够提升包含这样的表面的保持面的耐等离子体性。

16、(6)在上述技术方案的保持构件中,也可以是,在所述保持面形成有凸部和凹部,所述表面是划分出所述凹部的底面。

17、根据该结构,划分出凹部的底面由第1陶瓷晶体颗粒构成。因此,在保持构件保持对象物时,能够减小因非活性气体在对象物和凹部之间流动而从保持面产生的微粒尺寸。

18、(7)在上述技术方案的保持构件中,也可以是,所述表面为激光加工面。

19、根据该结构,由于作为实施了激光加工的面的激光加工面是从晶界朝向晶粒内微细地持续切削各个晶体颗粒而成的面,因此第1陶瓷晶体颗粒的第1粒径小于第2粒径。因而,能够精度较佳地提供第1粒径小于第2粒径的保持构件。此外,与实施了沿着晶界使晶体颗粒逐个颗粒地脱离的喷丸加工的喷丸加工面相比,激光加工面能够减小表面粗糙度。即,能够减小由表面粗糙度引起的表面积的增大。其结果,由于被等离子体腐蚀的表面积变小,因此能够抑制由等离子体腐蚀引起的微粒的产生。

20、另外,本专利技术能够以各种技术方案来实现,例如能够以保持构件、具备保持构件和在保持构件的保持面产生静电引力的静电电极的静电卡盘、真空卡盘、陶瓷加热器、半导体制造装置、以及具备这些装置的部件及其制造方法等的技术方案来实现。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种保持构件,其将α-氧化铝作为主要成分,保持对象物,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的保持构件,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的保持构件,其特征在于,

4.一种保持构件的制造方法,其特征在于,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种保持构件,其将α-氧化铝作为主要成分,保持对象物,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的保持构件,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:上松秀树南端友哉
申请(专利权)人:日本特殊陶业株式会社
类型:发明
国别省市:

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