【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所提供的实施例总体上涉及用于确定可在带电粒子装置中的多个束波上操作的电子光学组件的对准的方法和计算机程序。
技术介绍
1、当制造半导体集成电路(ic)芯片时，在制造过程期间，不期望的图案缺陷经常出现在衬底(即晶片)或掩模上，从而降低了产量。此类缺陷可以由于例如光学效应和附带粒子以及后续加工步骤诸如蚀刻、沉积或化学机械抛光而出现。因此，监测不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般而言，衬底或其他物体/材料的表面的检查和/或测量(或一起评估)是其制造期间和/或之后的重要过程。
2、具有带电粒子束的图案检查工具已被用于检查物体(例如检测图案缺陷)。这些工具典型地使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，以相对较高的能量对电子的初级电子束(或初级束)以最终减速步骤为目标，以便以相对低的着陆能量着陆在样品上。电子束被聚焦为样品上的探测点(spot)。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用造成信号电子从表面发射，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。所生成的信号电子可以从样品的材料结构中发射。通过在样品表面之上扫描作为探测点的初级束，信号电子(或信号粒子)可以跨样品表面发射。通过从样品表面收集这些发射的信号电子(或信号粒子)，图案检查工具可以获得表示样品表面的材料结构的特性的图像。
3、一般需要提高带电粒子评估装置的吞吐量和其他特性。特别地，如果需要，带电粒子评估装置的各种元件的对准必须被确定和校正。这是一个需要改进的耗时过程。
技
1、本文所提供的实施例公开了一种用于确定可以在带电粒子装置中的多个束波上操作的电子光学组件的对准的方法和计算机程序。
2、根据本专利技术的第一方面，提供了一种确定可在带电粒子装置中的多个束波上操作的电子光学组件的对准的方法，该带电粒子装置包括：
3、孔径阵列和检测器，该检测器被配置为检测与穿过孔径阵列中的对应的孔径的束波相对应的带电粒子，该检测器被定位在沿着束波的路径的相对于孔径阵列的下游，该方法包括：
4、在孔径阵列的一部分之上扫描孔径阵列的平面中的每个束波，在该孔径阵列的一部分中限定了孔径阵列的对应的孔径，使得每个束波的带电粒子可以穿过对应的孔径；
5、在扫描期间检测对应于穿过对应的孔径的每个束波的任何带电粒子；
6、基于在扫描的间隔对与每个束波的带电粒子相对应的检测，生成针对每个束波的检测像素；以及
7、收集包括在检测像素中的信息，诸如带电粒子的强度。
8、根据本专利技术的第二方面，提供了一种计算机程序，包括用于确定可以在带电粒子装置中的多个束波上操作的电子光学组件的对准的指令，该带电粒子装置包括：孔径阵列和检测器，该检测器被配置为检测与穿过孔径阵列中的对应的孔径的束波相对应的带电粒子，该检测器被定位在沿着束波的路径的相对于孔径阵列的下游，该计算机程序包括被配置为执行以下操作的指令：
9、控制带电粒子装置在孔径阵列的一部分之上扫描孔径阵列的平面中的每个束波，在该孔径阵列的一部分中限定了孔径阵列的对应的孔径，使得每个束波的带电粒子可以穿过对应的孔径；
10、控制带电粒子装置以在扫描期间检测与穿过对应的孔径的每个束波相对应的任何带电粒子，
11、基于在扫描间隔对与每个束波相对应的带电粒子的检测，生成针对每个束波的检测像素；以及
12、收集包括在检测像素中的信息，诸如带电粒子的强度。
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1.一种确定电子光学组件的对准的方法，所述电子光学组件能够在带电粒子装置中的多个束波上操作，所述带电粒子装置包括：孔径阵列和检测器，所述检测器被配置为检测与穿过所述孔径阵列中的对应的孔径的所述束波相对应的带电粒子，所述检测器被定位在沿着所述束波的路径的相对于所述孔径阵列的下游，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述检测包括检测与在所述扫描期间在所述间隔穿过对应的所述孔径的每个束波相对应的任何带电粒子。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，还包括针对每个束波生成图像，所述图像表示与所述束波在所述孔径阵列的所述一部分之上的所述扫描相对应的所检测的信号粒子的所述强度，在所述孔径阵列的所述一部分中限定有所述孔径阵列的对应的孔径。
4.根据权利要求3所述的方法，包括基于针对所述多个束波的多个所述图像生成组合图像，所述组合图像表示所述多个束波在所述孔径阵列之上的所述扫描。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述组合图像包括针对所述多个束波的每个间隔的所收集的所述信息。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述
7.根据权利要求4、5或6所述的方法，其中所述组合图像中所表示的所述图像之间的距离基于所述孔径阵列中的对应的所述孔径的相对位置而确定。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的方法，还包括基于与所述束波或每个束波相对应的所述图像，确定与所述束波或每个束波在所述孔径阵列的平面中的尺寸相关的至少一个束波的参数集合。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述参数集合包括所述束波或每个束波在所述孔径阵列的所述平面中的形状和/或所述束波或每个束波在所述孔径阵列的所述平面中的一个或多个尺寸。
10.根据权利要求7或9所述的方法，其中所述参数集合包括所述检测像素的信息的特性，例如所述检测像素的所述特性的变化，诸如所述检测像素的所述强度的所述变化。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，其中所述参数集合与多个束波相关。
12.根据权利要求11所述的方法，其中确定所述参数集合包括确定多个单独的束参数集合，每个参数集合与单个束波相关，并且从所述多个单独的束参数集合生成所述参数集合，或者从包括与多个束波相关的检测像素的组合图像中确定所述参数集合。
13.根据权利要求11和12中任一项所述的方法，其中所述参数集合包括所述孔径阵列的所述平面中的所述多个束波的对准参数集合。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述对准参数集合包括所述参数集合中表示的所述束波的所述相对强度、位置和/或形状。
15.根据权利要求8至14中任一项所述的方法，所述带电粒子装置具有一组设置，所述方法还包括基于所述参数集合改变所述一组设置中的至少一个设置。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种确定电子光学组件的对准的方法，所述电子光学组件能够在带电粒子装置中的多个束波上操作，所述带电粒子装置包括：孔径阵列和检测器，所述检测器被配置为检测与穿过所述孔径阵列中的对应的孔径的所述束波相对应的带电粒子，所述检测器被定位在沿着所述束波的路径的相对于所述孔径阵列的下游，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述检测包括检测与在所述扫描期间在所述间隔穿过对应的所述孔径的每个束波相对应的任何带电粒子。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，还包括针对每个束波生成图像，所述图像表示与所述束波在所述孔径阵列的所述一部分之上的所述扫描相对应的所检测的信号粒子的所述强度，在所述孔径阵列的所述一部分中限定有所述孔径阵列的对应的孔径。
4.根据权利要求3所述的方法，包括基于针对所述多个束波的多个所述图像生成组合图像，所述组合图像表示所述多个束波在所述孔径阵列之上的所述扫描。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述组合图像包括针对所述多个束波的每个间隔的所收集的所述信息。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述组合图像中表示的所述图像的位置基于所述孔径阵列中的对应的所述孔径的物理位置而确定。
7.根据权利要求4、5或6所述的方法，其中所述组合图像中所表示的所述图像之间的距离基于所述孔径阵列中的对应的所述孔径的相对位置而确定。
8.根据权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·斯洛特，N·弗奇尔，V·S·凯伯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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