System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种偏振隔离器制造技术_技高网

一种偏振隔离器制造技术

技术编号:42613837 阅读:6 留言:0更新日期:2024-09-03 18:20
本发明专利技术公开了一种偏振隔离器,包括:两个第一碲光子晶体阵列,两个第一碲光子晶体阵列间隔设置,每个第一碲光子晶体阵列包括多个第一碲光子晶体;第二碲光子晶体阵列,第二碲光子晶体阵列位于两个第一碲光子晶体阵列之间,包括至少四个第二碲光子晶体;其中,第二碲光子晶体的外廓尺寸小于第一碲光子晶体的外廓尺寸。通过在两个第一碲光子晶体阵列之间设置第二碲光子晶体阵列,并将构成第二碲光子晶体阵列的第二碲光子晶体的外廓尺寸设置为小于构成第一碲光子晶体阵列的第一碲光子晶体的外廓尺寸,从而可利用第二碲光子晶体实现对高频微波段光线的分离,且其具有结构简单、体积小、隔离效果好的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导波器件领域,特别涉及一种偏振隔离器


技术介绍

1、偏振隔离器是一种可将不同模式的电磁波进行分离输出的导波器件。偏振光在现代光学测试和光学应用中有着广泛的应用,而普通光波在普通介质中传播时,并不是处于完全偏振态,而是包含横电波(transverse electric,te)和横磁波(transversemagnetic,tm)两种相互正交的偏振态的复合态。偏振隔离器是一种能够把这两种正交偏振态在空间上分离的导波器件,在传统光学光路、光通信、集成光路中都有着广泛、重要的应用。

2、相关技术提供了一种偏振分束元件,该偏振分束元件包括周期性交替叠加的电介质薄膜和金属薄膜,一层电介质薄膜和一层金属薄膜构成一个周期性重复单元,当光线以平行于偏振分束元件界面入射时,光线中的横电波(te波)与横磁波(tm波)由于在偏振分束元件中的色散关系不同从而可以实现分离。

3、但上述方案主要应用于可见光波段电磁波tm和te波的分离,不能用于高频微波段tm和te波的分离。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提出一种偏振隔离器,旨在解决如何分离高频微波段的光线的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术提出一种偏振隔离器,包括:两个第一碲光子晶体阵列,所述两个第一碲光子晶体阵列间隔设置,每个所述第一碲光子晶体阵列包括多个第一碲光子晶体;

3、第二碲光子晶体阵列,所述第二碲光子晶体阵列位于所述两个第一碲光子晶体阵列之间,包括少四个第二碲光子晶体;</p>

4、其中,所述第二碲光子晶体的外廓尺寸小于所述第一碲光子晶体的外廓尺寸。

5、进一步的,所述第一碲光子晶体和所述第二碲光子晶体都呈圆柱状,所述第二碲光子晶体的半径小于所述第一碲光子晶体的半径。

6、进一步的,所述第一碲光子晶体的高度和所述第二碲光子晶体的高度相等;且所述第一碲光子晶体的一端和所述第二碲光子晶体的一端平齐,所述第一碲光子晶体的另一端和所述第二碲光子晶体的另一端平齐。

7、进一步的,所述第二碲光子晶体的半径大于或等于6.58μm且小于或等于6.62μm;或者,

8、所述第二碲光子晶体的半径大于或等于8.08μm且小于或等于8.12μm。

9、进一步的,所述第一碲光子晶体的半径大于或等于13μm且小于或等于19μm。

10、进一步的,所述两个第一碲光子晶体阵列沿第一方向间隔设置;

11、所述第二碲光子晶体阵列包括至少两组碲光子晶体组,所述至少两组碲光子晶体组沿所述第一方向间隔设置,每组所述碲光子晶体组包括至少两个沿第二方向间隔分布的所述第二碲光子晶体;

12、其中,所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

13、进一步的,所述第二碲光子晶体阵列包括两组所述碲光子晶体组;且/或,

14、每组所述碲光子晶体组包括三个沿所述第二方向间隔分布的所述第二碲光子晶体。

15、进一步的,每个所述第一碲光子晶体阵列都包括至少三个沿所述第一方向间隔分布的所述第一碲光子晶体和多个沿所述第二方向间隔分布的所述第一碲光子晶体;且/或,

16、所述两个第一碲光子晶体阵列之间的间隔大于或等于110μm且小于或等于130μm。

17、进一步的,同一所述第一碲光子晶体阵列中任一相邻的两个所述第一碲光子晶体的中心之间的距离为40μm;且/或,

18、同一所述第二碲光子晶体阵列中任一相邻的两个所述第二碲光子晶体的中心之间的距离为40μm。

19、进一步的,所述两个第一碲光子晶体阵列对称分布于所述第二碲光子晶体阵列相对的两侧。

20、本专利技术技术方案的有益效果在于:通过在两个第一碲光子晶体阵列之间设置第二碲光子晶体阵列,并将构成第二碲光子晶体阵列的第二碲光子晶体的外廓尺寸设置为小于构成第一碲光子晶体阵列的第一碲光子晶体的外廓尺寸,从而可利用第二碲光子晶体实现对高频微波段光线的分离,且其具有结构简单、体积小、隔离效果好的效果。

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【技术保护点】

1.一种偏振隔离器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的偏振隔离器,其特征在于,所述第一碲光子晶体和所述第二碲光子晶体都呈圆柱状,所述第二碲光子晶体的半径小于所述第一碲光子晶体的半径。

3.根据权利要求2所述的偏振隔离器,其特征在于,所述第一碲光子晶体的高度和所述第二碲光子晶体的高度相等;且所述第一碲光子晶体的一端和所述第二碲光子晶体的一端平齐,所述第一碲光子晶体的另一端和所述第二碲光子晶体的另一端平齐。

4.根据权利要求2所述的偏振隔离器,其特征在于,所述第二碲光子晶体的半径大于或等于6.58μm且小于或等于6.62μm;或者,

5.根据权利要求2至4任一项所述的偏振隔离器,其特征在于,所述第一碲光子晶体的半径大于或等于13μm且小于或等于19μm。

6.根据权利要求1至4任一项所述的偏振隔离器,其特征在于,所述两个第一碲光子晶体阵列沿第一方向间隔设置;

7.根据权利要求6所述的偏振隔离器,其特征在于,所述第二碲光子晶体阵列包括两组所述碲光子晶体组;且/或,

8.根据权利要求6所述的偏振隔离器,其特征在于,每个所述第一碲光子晶体阵列都包括至少三个沿所述第一方向间隔分布的所述第一碲光子晶体和多个沿所述第二方向间隔分布的所述第一碲光子晶体;且/或,

9.根据权利要求6所述的偏振隔离器,其特征在于,同一所述第一碲光子晶体阵列中任一相邻的两个所述第一碲光子晶体的中心之间的距离为40μm;且/或,

10.根据权利要求1至4任一项所述的偏振隔离器,其特征在于,所述两个第一碲光子晶体阵列对称分布于所述第二碲光子晶体阵列相对的两侧。

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【技术特征摘要】

1.一种偏振隔离器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的偏振隔离器,其特征在于,所述第一碲光子晶体和所述第二碲光子晶体都呈圆柱状,所述第二碲光子晶体的半径小于所述第一碲光子晶体的半径。

3.根据权利要求2所述的偏振隔离器,其特征在于,所述第一碲光子晶体的高度和所述第二碲光子晶体的高度相等;且所述第一碲光子晶体的一端和所述第二碲光子晶体的一端平齐,所述第一碲光子晶体的另一端和所述第二碲光子晶体的另一端平齐。

4.根据权利要求2所述的偏振隔离器,其特征在于,所述第二碲光子晶体的半径大于或等于6.58μm且小于或等于6.62μm;或者,

5.根据权利要求2至4任一项所述的偏振隔离器,其特征在于,所述第一碲光子晶体的半径大于或等于13μm且小于或等于19μm。

【专利技术属性】
技术研发人员:曾志锋黄宏伟许卓姿刘宇函王勇艾宴清李世国
申请(专利权)人:深圳信息职业技术学院
类型:发明
国别省市:

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