【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种ldmos器件的形成方法。
技术介绍
1、高压ldmos因其输入阻抗高、损耗低、开关速度快、安全工作区宽的特性和易于集成的特点，一直作为功率集成电路中的核心器件，广泛用于移动通信、汽车电子、led照明等各个领域中。
2、高压ldmos的性能往往要求能承受高压的同时尽可能降低比导通电阻，为实现这一目的，现有常用的技术包括横向超结和表面场降低(resurf)技术，都是通过在漂移区中引入相反的电荷补偿层，在关态时与漂移区相互耗尽达到优化电场并增加漂移区掺杂浓度的目的，从而降低开态时的比导通电阻。
3、然而，现有技术的常规超结和表面场降低技术的漂移区都只有来自两侧电荷补偿层的辅助耗尽，其对器件性能的改善已经越来越接近极限。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种ldmos器件的形成方法，可以改善靠近硅表面的表面电场，降低导通电阻，提高关断击穿电压。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种ldmos器件的形成方法，包括：
3、提供衬底，在所述衬底内依次形成p型体区以及位于所述p型体区内的n型漂移区，所述衬底、p型体区和n型漂移区的表面均齐平；
4、在所述p型体区的表面和n型漂移区的表面均形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分p型体区的表面和部分n型漂移区的表面；
5、在所述p型体区内形成轻掺杂离子区，所述轻掺杂离子区位于所述栅极结构的与所述n型漂移区相对的一侧；
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7、在所述n型漂移区内形成p型硅，所述p型硅沿着所述栅极结构的径向延升；
8、在所述p型硅内形成若干个间隔的n型硅。
9、可选的，在所述的ldmos器件的形成方法中，向所述p型体区内注入离子，以形成n型漂移区。
10、可选的，在所述的ldmos器件的形成方法中，注入离子的量为1.0e12~1.0e14。
11、可选的，在所述的ldmos器件的形成方法中，形成栅极结构的方法包括：
12、在所述p型体区的表面和n型漂移区的表面均形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层的表面形成栅极。
13、可选的，在所述的ldmos器件的形成方法中，在所述衬底内依次形成p型体区以及位于所述p型体区内的n型漂移区之后，还包括：
14、对所述n型漂移区进行退火处理。
15、可选的，在所述的ldmos器件的形成方法中，在所述栅极结构的表面、p型体区的表面和n型漂移区的表面均形成牺牲氧化层之后，还包括：在所述牺牲氧化层的表面形成硬掩膜层。
16、可选的，在所述的ldmos器件的形成方法中，在所述n型漂移区内形成p型硅，所述p型硅沿着所述栅极结构的径向延升的方法包括：
17、刻蚀所述牺牲氧化层和n型漂移区，以在所述n型漂移区内形成沟槽；
18、在所述沟槽内通过外延生长的方法形成p型硅。
19、可选的，在所述的ldmos器件的形成方法中，在所述p型硅内形成若干个间隔的n型硅的方法包括：
20、刻蚀所述p型硅，在所述p型硅内形成多个间隔的凹槽；
21、在所述凹槽内通过外延生长的方法形成n型硅。
22、可选的，在所述的ldmos器件的形成方法中，在所述p型硅内形成若干个间隔的n型硅的方法包括：
23、在所述牺牲氧化层的表面和p型硅的表面形成具有多个间隔的通孔的光刻胶层；
24、通过所述通孔向所述p型硅内注入离子，以在所述p型硅内形成若干个n型硅。
25、可选的，在所述的ldmos器件的形成方法中，在所述p型硅内形成若干个间隔的n型硅之后，还包括：
26、在栅极两侧形成侧墙，侧墙与栅极的侧面通过牺牲氧化层隔开。
27、在本专利技术提供的ldmos器件的形成方法中，包括：提供衬底，在衬底内依次形成p型体区以及位于p型体区内的n型漂移区，衬底、p型体区和n型漂移区的表面均齐平；形成栅极结构，栅极结构覆盖部分p型体区的表面和部分n型漂移区的表面；在p型体区内形成轻掺杂离子区，轻掺杂离子区位于栅极结构的与n型漂移区相对的一侧；在栅极结构的表面、p型体区的表面和n型漂移区的表面均形成牺牲氧化层；在n型漂移区内形成p型硅，p型硅沿着栅极结构的径向延升；在p型硅内形成若干个间隔的n型硅。本专利技术将n型硅和p型硅集成在一起，形成了若干个npn管和pnp管。从而改善了靠近硅表面的表面电场，降低了导通电阻，提高了关断击穿电压。
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1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，向所述P型体区内注入离子，以形成N型漂移区。
3.如权利要求2所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，注入离子的量为1.0e12~1.0e14。
4.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成栅极结构的方法包括：
5.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述衬底内依次形成P型体区以及位于所述P型体区内的N型漂移区之后，还包括：
6.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构的表面、P型体区的表面和N型漂移区的表面均形成牺牲氧化层之后，还包括：在所述牺牲氧化层的表面形成硬掩膜层。
7.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述N型漂移区内形成P型硅，所述P型硅沿着所述栅极结构的径向延升的方法包括：
8.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述P型硅内形成若干个间隔的N型硅的方
9.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述P型硅内形成若干个间隔的N型硅的方法包括：
10.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述P型硅内形成若干个间隔的N型硅之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种ldmos器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的ldmos器件的形成方法，其特征在于，向所述p型体区内注入离子，以形成n型漂移区。
3.如权利要求2所述的ldmos器件的形成方法，其特征在于，注入离子的量为1.0e12~1.0e14。
4.如权利要求1所述的ldmos器件的形成方法，其特征在于，形成栅极结构的方法包括：
5.如权利要求1所述的ldmos器件的形成方法，其特征在于，在所述衬底内依次形成p型体区以及位于所述p型体区内的n型漂移区之后，还包括：
6.如权利要求1所述的ldmos器件的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构的表...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏鹏，袁海江，杨勇胜，林仲强，
申请(专利权)人：杭州积海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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