【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于立体集成芯片制备及封装，涉及一种立体集成芯片、立体集成芯片的emc塑封方法。
技术介绍
1、目前芯片塑封技术主要采用环氧塑封料(epoxy molding compound，emc)对单个倒装或引线键合的芯片进行封装。
2、单个芯片结构较为简单，且塑封后不再进行焊接结构制备、通孔制备等。一种提到的5面塑封方法主要是对除平整顶面以外的其他5个面(包括有焊盘球等焊接结构表面)，平整顶面能够与封装基板紧密贴合，有效避免emc在渗入并残留至顶面。并且由于顶面不具有焊盘等连接结构，emc残留不影响后续芯片焊接或该顶面的进一步塑封。
3、而立体集成芯片的5面塑封是对除含有再布线层、焊盘的底面以外的面进行塑封。由于底面结构复杂，所以现有方法难以实现在保证底面不受损、无脏污的情况下进行5面塑封。并且存在无法实现多层立体集成芯片堆叠等技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种立体集成芯片、立体集成芯片的emc塑封方法，以解如何保证封装过程中芯片的底部不受损、无脏污的情况下，实现多层立体集成芯片的封装以及多层立体芯片的堆叠的技术问题。
2、本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种立体集成芯片的emc塑封方法，包括：
4、s1：对立体集成芯片切边；
5、s2：对立体集成芯片塑封前去杂质处理；
6、s3：对立体集成芯片进行5面或6面的emc塑封，得到塑封后的立体集成芯片；
7
8、s5：对通孔进行金属填充，完成立体集成芯片的emc塑封。
9、可选地，s1：对立体集成芯片切边包括：采用激光划槽与机械划片刀划切交替划片、在单个芯片立体集成前进行正面与背面进行激光划槽、高深宽比加工的激光切片方式一次性切割三种划片方式之一将立体集成芯片多余边缘进行切除。
10、可选地，s2：对立体集成芯片塑封前去杂质处理包括：对立体集成芯片进行等离子清洗、水洗、超声清洗任一方式或多种方式结合以去除杂质，以及进行烘烤等去除内部水汽等。
11、可选地，s3：对立体集成芯片进行5面的emc塑封，得到塑封后的立体集成芯片包括：
12、首先，将立体集成芯片划分为a顶面、b底面以及四个c侧面，b底面上含有与b底面齐平或略高于b底面的信号引出结构；b底面还设置有保护层，保护b底面与信号引出结构不受塑封过程的污染；
13、其次，通过站粘层将立体集成芯片通过b底面与基板进行粘贴；
14、最后，通过融化emc材料将a顶面与4个c侧面进行塑封，使得emc材料完全包裹立体集成芯片，得到5面塑封后的芯片。
15、该方法还包括：对5面塑封后的芯片进行分离与划切。
16、可选地，该方法还包括：在不塑封b底面情况下，首先在5面塑封后的芯片的b底面的信号引出结构制备信号引出焊接结构；
17、其次，对5面塑封后的芯片制备多个通孔；
18、最后，对5面塑封后的芯片的通孔进行金属填充，完成立体集成芯片的5面emc塑封。
19、可选地，对立体集成芯片进行6面的emc塑封包括：
20、将保留b底面的5面塑封后的芯片，将5面塑封后的芯片的顶面粘贴至201基板；
21、通过将emc材料融化包裹5面塑封后的芯片的b底面或将塑封膜压贴至b底面并进行固化，产生6面emc塑封后的立体集成芯片。
22、可选地，该方法还包括：
23、首先，对6面塑封后的立体集成芯片进行底面塑封料部分去除，以漏出信号引出焊接结构；
24、其次，将6面塑封后的立体集成芯片与基板分离，并进行清洗以及多余塑封料的切除；
25、再次，在6面塑封后的立体集成芯片上制备通孔；
26、最后，对通孔进行金属填充，完成立体集成芯片的6面emc塑封。
27、可选地，底面塑封料部分去除方法包括：化学试剂表面腐蚀、等离子刻蚀、激光烧蚀、机械减薄任一一种。
28、本专利技术还提供了一种立体集成芯片，立体集成芯片为多层芯片结构包括：
29、芯片层，芯片层包含数字芯片、存储芯片、埋置重构芯片、传感器芯片多种芯片；
30、再布线层，再布线层用于芯片引脚的再布线；
31、芯片层间焊接结构，包含焊盘焊球结构、微凸点或无凸点焊接多种结构；
32、芯片层间填充材料，用于芯片层间焊接后空隙的填充；
33、信号引出结构，为一种焊盘或微凸点结构，用于将立体集成芯片连接至其他基板或芯片；
34、芯片层、再布线层、芯片层间焊接结构、芯片层间填充材料、信号引出结构依次垂直堆叠而成，堆叠方法可以是回流焊接、液压热压焊接、键合任意一种。
35、本专利技术的有益效果是：
36、本专利技术提出一种立体集成芯片的emc塑封方法，包括立体集成芯片的划切、5面塑封、6面塑封以及金属填充通孔制备等。可在保证对立体集成芯片损伤较小的情况下，在立体集成芯片周围包裹emc以对其形成保护，减少外界作用力、湿气、温度变化、污染物等对芯片的影响。同时6面塑封结构可有效减小芯片与pcb等载板的热膨胀系数不匹配等，有效解决立体芯片难以直接焊接并在pcb上正常工作的问题。另外，通孔的制备可有效地促进立体集成芯片的进一步的集成。
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1.一种立体集成芯片的EMC塑封方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种立体集成芯片的EMC塑封方法，其特征在于，S1：对立体集成芯片切边包括：采用激光划槽与机械划片刀划切交替划片、在单个芯片立体集成前进行正面与背面进行激光划槽、高深宽比加工的激光切片方式一次性切割三种划片方式之一将所述立体集成芯片多余边缘进行切除。
3.如权利要求1所述的一种立体集成芯片的EMC塑封方法，其特征在于，S2：对所述立体集成芯片塑封前去杂质处理包括：对所述立体集成芯片进行等离子清洗、水洗、超声清洗任一方式或多种方式结合以去除杂质，以及进行烘烤等去除内部水汽等。
4.如权利要求1所述的一种立体集成芯片的EMC塑封方法，其特征在于，S3：对所述立体集成芯片进行5面的EMC塑封，得到塑封后的立体集成芯片包括：
5.如权利要求4所述的一种立体集成芯片的EMC塑封方法，其特征在于，还包括：对所述5面塑封后的芯片进行分离与划切。
6.如权利要求4所述的一种立体集成芯片的EMC塑封方法，其特征在于，还包括：在不塑封B底面情况下，首先在所述5面
7.如权利要求4所述的一种立体集成芯片的EMC塑封方法，其特征在于，对所述立体集成芯片进行6面的EMC塑封包括：
8.如权利要求7所述的一种立体集成芯片的EMC塑封方法，其特征在于，还包括：
9.如权利要求7所述的一种立体集成芯片的EMC塑封方法，其特征在于，所述底面塑封料部分去除方法包括：化学试剂表面腐蚀、等离子刻蚀、激光烧蚀、机械减薄任一一种。
10.一种立体集成芯片，其特征在于，所述立体集成芯片为多层芯片结构包括：
...【技术特征摘要】
1.一种立体集成芯片的emc塑封方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种立体集成芯片的emc塑封方法，其特征在于，s1：对立体集成芯片切边包括：采用激光划槽与机械划片刀划切交替划片、在单个芯片立体集成前进行正面与背面进行激光划槽、高深宽比加工的激光切片方式一次性切割三种划片方式之一将所述立体集成芯片多余边缘进行切除。
3.如权利要求1所述的一种立体集成芯片的emc塑封方法，其特征在于，s2：对所述立体集成芯片塑封前去杂质处理包括：对所述立体集成芯片进行等离子清洗、水洗、超声清洗任一方式或多种方式结合以去除杂质，以及进行烘烤等去除内部水汽等。
4.如权利要求1所述的一种立体集成芯片的emc塑封方法，其特征在于，s3：对所述立体集成芯片进行5面的emc塑封，得到塑封后的立体集成芯片包括：
5.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王根旺，李宝霞，潘鹏辉，乔亮，田怡，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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