【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及籽晶生长，特别涉及一种晶体生长装置。
技术介绍
1、晶体生长技术是利用物质(液态、固态或气态)的物理化学性质控制相变过程，获得具有一定结构、尺寸、形状和性能的晶体的技术。晶体生长的过程一般在坩埚中进行。晶体生长方法包括熔体生长方法、溶液生长方法、气相生长方法和固相生长方法。
2、利用气相生长方法时，放在坩埚下部的原料在高温环境下气化形成气象组分，气象组分会上升与坩埚上部的籽晶接触从而实现长晶。气象组分上升的高度会受到坩埚内温场分布的影响。如果坩埚尺寸较大，坩埚的高度较高，气象组分上升的高度会低于籽晶的高度，从而导致无法正常长晶。如果坩埚尺寸较小，坩埚的高度较小，坩埚的长晶效率较低，晶体生长的尺寸会受到限制。
3、因此，有必要提供一种改进的晶体生长装置，以提高长晶的效率。
技术实现思路
1、本说明书实施例之一提供一种晶体生长装置。所述装置包括：坩埚；所述坩埚包括沿轴向设置的多个生长腔，所述多个生长腔之间相互隔断，所述多个生长腔中的每一个生长腔包括籽晶安装区。
2、在一些实施例中，所述坩埚还包括坩埚盖和多个子坩埚层；所述多个子坩埚层沿轴向从下往上依次连接；在相邻的两个子坩埚层中，上层的所述子坩埚层的底壁与下层的所述子坩埚层的开口可拆卸连接；所述坩埚盖与最上层的所述子坩埚层的开口连接；每个所述子坩埚层内形成一个所述生长腔。
3、在一些实施例中，所述籽晶安装区设于所述子坩埚层的底壁下表面或所述坩埚盖下表面。
4、在一些
5、在一些实施例中，所述多个生长腔的高度相同。
6、在一些实施例中，所述生长腔的高度小于或等于100mm。
7、在一些实施例中，所述多个生长腔的高度不同。
8、在一些实施例中，最上层所述生长腔的高度小于最底层所述生长腔的高度。
9、在一些实施例中，所述坩埚的高度为470mm-490mm。
10、在一些实施例中，还包括加热线圈，用于加热坩埚；所述加热线圈环绕设置在所述坩埚的周侧。
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1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括坩埚；
2.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚还包括坩埚盖和多个子坩埚层；
3.如权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述籽晶安装区设于所述子坩埚层的底壁下表面或所述坩埚盖下表面。
4.如权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述拆卸连接包括螺纹连接。
5.如权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述多个生长腔的高度相同。
6.如权利要求5所述的晶体生长装置，其特征在于，所述生长腔的高度小于或等于100mm。
7.如权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述多个生长腔的高度不同。
8.如权利要求7所述的晶体生长装置，其特征在于，最上层所述生长腔的高度小于最底层所述生长腔的高度。
9.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚的高度小于或等于490mm。
10.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，还包括加热线圈，用于加热坩埚；
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括坩埚；
2.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚还包括坩埚盖和多个子坩埚层；
3.如权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述籽晶安装区设于所述子坩埚层的底壁下表面或所述坩埚盖下表面。
4.如权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述拆卸连接包括螺纹连接。
5.如权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述多个生长腔的高度相同。
6.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，付君，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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