【技术实现步骤摘要】
本申请属于传感器，具体涉及一种传感器及其制造方法。
技术介绍
1、红外气体传感器在工业生产、家用领域、环境监测以及科学研究等众多领域有着广泛的应用，能够精确的检测到气体的泄露情况，而滤光片是气体传感器的关键部件，根据气体的波长能够滤过特定波长的光波，进而检测出气体泄露。
2、相关技术中，传感器包括传感器芯片与滤光片，传感器芯片、滤光片与焊料层围设成空腔，焊料层的至少部分表面在空腔周围。特定波长范围的光波通过滤光片进入空腔，经吸收部吸收在空腔内可以聚集较多的热量，传感器芯片能够根据空腔内热量的多少传输检测信号，聚集的热量越多，检测精度越高；由于焊料层一般是具有优良导热性能的合金，会损失空腔内吸收部的热量，降低了传感器的检测精度。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种传感器，包括传感器芯片与滤光片，所述传感器芯片包括衬底与光吸收部，所述衬底与所述滤光片直接连接；
2、所述传感器具有第一腔，至少部分所述光吸收部位于所述第一腔，形成所述第一腔的壁面包括所述滤光片的侧面和所述传感器芯片的至少部分表面。
3、本申请中，传感器包括传感器芯片与滤光片，传感器芯片具有衬底，由于衬底与滤光片直接连接，因此第一腔具有较好的隔热保温效果，减少第一腔内光吸收部热量的散失，提高了传感器的检测精度。
4、本申请还提供一种传感器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
5、提供传感器芯片与滤光片；所述传感器芯片包括衬底和光吸收部，将所述滤光片至少部分
6、直接连接所述衬底与所述滤光片。
7、在本申请的传感器的制造方法中，将滤光片至少部分覆盖于光吸收部的外围，滤光片与衬底直接连接，减少了光吸收部的热量损失，提高了传感器的检测精度。
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1.一种传感器，包括传感器芯片与滤光片，所述传感器芯片包括衬底与光吸收部，所述衬底与所述滤光片直接连接；
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述衬底与所述滤光片阳极键合连接，所述滤光片选自玻璃或半导体材料，所述衬底选自硅。
3.根据权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，所述传感器芯片包括热电偶部，所述热电偶部位于所述光吸收部的周侧；
4.根据权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，所述传感器芯片包括热电偶部，所述滤光片具有第一通口，所述热电偶部部分位于所述第一通口；所述第一通口对应的壁与所述热电偶部之间有间距；
5.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述光吸收部包括第一结构层与第二结构层，所述第一结构层与所述第二结构层均位于所述第一腔，所述第二结构层覆设于所述第一结构层的至少部分表面，沿所述传感器芯片的厚度方向，所述第二结构层相对于所述第一结构层远离所述衬底；
6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述传感器芯片包括第一绝缘层，所述第一绝缘层覆设于所述衬底的至少部分表面；所述热电偶部与所述第一绝缘
7.根据权利要求1或2或5或6所述的传感器，其特征在于，所述滤光片具有凹槽，所述衬底具有第二腔，所述凹槽与所述第二腔连通，所述凹槽至少部分形成所述第一腔，所述第二腔至少部分形成所述第一腔。
8.根据权利要求7所述的传感器，其特征在于，所述传感器芯片包括输出部，定义垂直于传感器芯片的厚度方向为水平方向，沿所述水平方向，所述输出部位于所述热电偶部的一侧，所述输出部与所述第一半导体层连接，所述输出部相对于所述热电偶部远离所述光吸收部；
9.一种传感器的制造方法，其特征在于，所述传感器的制造方法包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述提供传感器芯片包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种传感器，包括传感器芯片与滤光片，所述传感器芯片包括衬底与光吸收部，所述衬底与所述滤光片直接连接；
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述衬底与所述滤光片阳极键合连接，所述滤光片选自玻璃或半导体材料，所述衬底选自硅。
3.根据权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，所述传感器芯片包括热电偶部，所述热电偶部位于所述光吸收部的周侧；
4.根据权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，所述传感器芯片包括热电偶部，所述滤光片具有第一通口，所述热电偶部部分位于所述第一通口；所述第一通口对应的壁与所述热电偶部之间有间距；
5.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述光吸收部包括第一结构层与第二结构层，所述第一结构层与所述第二结构层均位于所述第一腔，所述第二结构层覆设于所述第一结构层的至少部分表面，沿所述传感器芯片的厚度方向，所述第二结构层相对于所述第一结构层远...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：浙江三花智能控制股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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