【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、半导体装置包括半导体模块和冷却装置。冷却装置包括供制冷剂流入内部的流入口和供制冷剂从内部向外部流出的流出口。冷却装置的流入口和流出口分别与配水管连接。在各个配水管连接有泵。制冷剂通过泵从流入口流入冷却装置的内部，在冷却装置的内部流通，并从流出口流出。流出的制冷剂通过泵再次从流入口流入冷却装置的内部。在这样的冷却装置的冷却面配置半导体模块。冷却装置对发热的半导体模块进行冷却来保持半导体模块的可靠性（例如，参照专利文献1~5）。
2、另外，半导体装置包括半导体模块和电容器。电容器设置于半导体模块的附近。另一方面，在半导体装置中，电容器的布置位置根据冷却装置的配水管的安装位置而受到限制。因此，要求冷却装置的配水管的连接部位是不妨碍电容器的设置的部位。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2013-058518号公报
6、专利文献2：日本特开2016-096272号公报
7、专利文献3：国际公开第2011/132736号
8、专利文献4：国际公开第2016/047335号
9、专利文献5：国际公开第2014/069174号
技术实现思路
1、技术问题
2、然而，在冷却装置中，根据流入口和流出口的位置，从流入口流入的制冷剂无法在整个冷却装置内流通，冷却装置的冷却面的冷却能力有时会产生偏差。这样，如果冷却能力降低，则无法适
3、本专利技术是鉴于这样的点而完成的，其目的在于提供抑制了冷却能力降低的半导体装置。
4、技术方案
5、根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置，包括半导体芯片和冷却装置，所述冷却装置供所述半导体芯片搭载，所述冷却装置具备：顶板，其包括供所述半导体芯片配置的第一上表面以及与所述第一上表面相反的一侧的第一下表面；以及冷却壳体，其在俯视时呈矩形状，并在依次被第一外侧面、第二外侧面、第三外侧面、第四外侧包围四周的第二上表面形成有流路区域，该流路区域呈凹状，并包括比所述第二上表面更为凹陷的流路底面，在所述第二上表面配置有所述顶板的所述第一下表面，用所述顶板将所述流路区域封盖，在俯视时，所述冷却壳体的所述第一外侧面和所述第三外侧面位于长边侧，所述第二外侧面和所述第四外侧面位于短边侧，所述冷却壳体在所述第二外侧面的靠所述第三外侧面的附近形成有流入口，该流入口与所述流路区域连通，供冷却介质朝向所述流路区域沿长边方向流入，在所述流路底面的所述流入口的附近形成有流入区域，该流入区域呈凹状，比所述流路底面更为凹陷并与所述流入口相通，所述流入区域包括与所述流入口相对的扩散面。
6、技术效果
7、根据公开的技术，能够不限制电容器的配置区域地抑制冷却能力降低，防止半导体装置的可靠性降低。
8、本专利技术的上述以及其他目的、特征以及优点通过表示作为本专利技术的例子而优选的实施方式的附图以及相关的以下说明而变得明确。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
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