【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种基板研磨方法及研磨设备。
技术介绍
1、半导体芯片制备过程中需要在衬底两侧分别镀金属层，其中衬底通常选用陶瓷片，金属层通常为铜层或金层。而在衬底两侧形成的镀层结构表面凹凸不平，因此需要通过研磨设备，将镀层表面研磨平整。
2、其中研磨设备通常包括吸附平台和研磨砂轮，其中吸附平台的上表面为平面，研磨砂轮的研磨面也为平面，且研磨面和吸附平台的上表面平行。研磨镀层时，先将下镀层放在吸附平台上，然后通过研磨砂轮将上镀层表面研磨平整；然后翻转衬底结构，使上镀层表面放置于吸附平台上，然后对下镀层表面研磨平整。
3、虽然上述镀层研磨工艺能够保证基板与镀层整体厚度满足要求，但是由于上镀层和下镀层开始时表面不平整，下镀层放置于吸附平台上时，导致基板相对于吸附平台是倾斜的，而研磨砂轮的研磨面与吸附平台表面是平行的，因此通过研磨砂轮对于上镀层研磨后得到的上镀层各个区域厚度不一致；在研磨下镀层时，由于上镀层研磨后的表面放置于吸附平台上，研磨后的上镀层表面是平整的，因此在上镀层表面贴附于吸附平台后，衬底的位置相对于吸附平台仍然是倾斜的，因此研磨后的下镀层的各个区域的厚度不一致。
技术实现思路
1、（一）本专利技术所要解决的技术问题是：现有的基板研磨工艺中，将基板一侧的镀层表面直接放置于吸附平台上，通过砂轮来研磨基板另一侧的镀层，由于镀层表面凹凸不平，基板相对于研磨砂轮的研磨面是倾斜设置的，因此存在镀层研磨后各个区域厚度不一致的缺陷。
2、（
3、为了解决上述技术问题，本专利技术一方面实施例提供了一种基板的研磨方法，所述基板包括衬底、分别设置于所述衬底上下两侧的第一镀层和第二镀层，所述衬底的上表面和下表面平行；
4、所述第一镀层的背离所述衬底一侧的表面为第一研磨面；所述第二镀层背离所述衬底的一侧表面为第二研磨面；所述研磨方法包括以下步骤：
5、粗研磨，将吸附平台平放于工作台的安装面上，将第二研磨面放置于吸附平台的吸附面上，调整研磨设备的研磨平面与所述吸附面平行；通过研磨设备研磨第一镀层的第一研磨面形成基准平面；
6、粗研磨之后测量误差，测量衬底上表面与基准平面之间的夹角；
7、基于测量误差的结果修正误差，翻转基板，将基准平面放置于所述吸附平台上，调节基板或调节吸附平台，使衬底下表面与所述研磨设备的研磨平面平行；
8、修正误差之后进行第二镀层标准研磨，通过研磨设备对第二研磨面进行研磨，直至第二研磨面的平整度符合要求；
9、第一镀层标准研磨，翻转基板，将经过标准研磨后的第二研磨面放置于吸附平台的吸附面上，调节基板或调节吸附平台，并使所述吸附平台的吸附面与粗研磨之后测量所述研磨设备的研磨平面平行，通过研磨设备对基准平面进行研磨，直至基准平面的平整度符合要求。
10、根据本专利技术的一个实施例，骤基于测量误差的结果修正误差中，使衬底上表面与所述研磨设备的研磨平面平行包括：
11、抬高吸附平台的至少一处区域，使吸附平台相对于安装面倾斜设置，并使抬高至少一处区域的吸附平台与粗研磨之后测量误差步骤中所述衬底的倾斜方向相同；使所述吸附平台的吸附面与所述安装面之间的夹角等于粗研磨之后测量误差步骤中衬底上表面与基准平面之间的夹角。
12、根据本专利技术的一个实施例，所述研磨设备包括研磨砂轮，所述研磨砂轮的下表面为研磨平面；所述吸附平台上设有贯穿的螺纹孔：
13、步骤抬高吸附平台的至少一处区域包括，使吸附平台倾斜设置包括：转动调节螺栓，使调节螺栓与螺纹孔连接，所述调节螺栓的下端穿过所述螺纹孔并与所述安装面相抵，继续转动调节螺栓直至将吸附平台抬高。
14、根据本专利技术的一个实施例，步骤基于测量误差的结果修正误差包括：
15、在吸附平台的吸附面上放置楔形的垫块，翻转基板，将基准平面放置于所述垫块上，所述垫块与所述基准平面接触一侧表面的倾斜方向与粗研磨之后测量误差步骤中所述衬底的倾斜方向相同，以使所述衬底的下表面与吸附面平行。
16、根据本专利技术的一个实施例，步骤粗研磨之后测量误差包括：
17、通过角度测量仪测量衬底上表面相对于水平面的倾角，衬底上表面相对于水平面的倾角等于衬底上表面相对于基准平面之间的夹角。
18、根据本专利技术的一个实施例，所述第一镀层上设有多个贯通第一镀层的测量孔：
19、通过角度测量仪测量每个测量孔对应的衬底上表面相对于水平面的倾角，并对多个测量孔测量的多个倾角取平均值得出衬底下表面与研磨平面之间的夹角。
20、根据本专利技术的一个实施例，粗研磨之后测量误差包括：
21、通过测厚设备测量粗研磨之后的第一镀层的最大厚度l1和最小厚度l2，其中第一镀层和第二镀层均为圆柱状结构，且第一镀层和第二镀层的直径相等均为d1，其中基准平面与衬底上表面之间的夹角α，则tanα=（l1-l2）/d1。
22、根据本专利技术的一个实施例，基于测量误差的结果修正误差还包括：在调节基板或调节吸附平台后复测误差，若复测后衬底下表面与研磨平面不平行，则继续调节基板或调节吸附平台，调节后继续复测，直至衬底上表面平行于研磨平面。
23、本专利技术另一方面实施例还提供了一种研磨设备，包括研磨砂轮、吸附平台和调节螺栓；
24、吸附平台平放于安装面上，所述吸附平台的上表面为吸附面，所述吸附面上设有与气源连通的吸附孔；
25、所述研磨砂轮的下表面为研磨平面，所述吸附面与所述研磨平面平行；
26、所述吸附平台上设有贯穿所述吸附平台的螺纹孔，所述螺纹孔的轴线垂直于所述吸附平台，所述调节螺栓与所述螺纹孔螺纹配合。
27、根据本专利技术的一个实施例，所述吸附平台的上表面设有与凹槽，所述凹槽的底壁上开设有所述螺纹孔；
28、所述吸附平台的上表面上开设有多个凹槽，每个所述凹槽内设有一个所述螺纹孔。
29、本专利技术的有益效果：本专利技术提供的基板研磨方法，先对第一镀层的第一研磨面进行粗研磨，使第一研磨面形成相对平整的基准平面；测量衬底的上表面与基准平面之间的夹角，基准平面平行于研磨平面，衬底的上表面与基准平面之间的夹角等于衬底上表面与研磨平面之间的夹角。然后将基准平面放在吸附平台的吸附面上，由于基准平面经过粗研磨后表面平整，因此能够与吸附面贴合；通过调节吸附平台或者调节基板，使衬底的下表面平行于研磨平面，再通过研磨设备对衬底的第二研磨面进行标准研磨，此时研磨后的第二镀层各个区域厚度一致；再将基板翻转，将经过标准研磨后的第二研磨面放置于吸附平台的吸附面上，由于经过标准研磨后的第二研磨面为平面结构，因此能够与吸附面贴合，调节基板或调节吸附平台，使吸附面与研磨平面平行，此时衬底的上表面与研磨平面平行，通过研磨设备对基准平面进行标准研磨，直至基准平面的平整度符合要求，完成基板的研磨作业。使用本申请提供的研磨方法研磨后的基板的第一镀层和第二镀层各个区域厚度本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板研磨方法，所述基板（2）包括衬底（21）、分别设置于所述衬底（21）上下两侧的第一镀层（22）和第二镀层（23），所述衬底（21）的上表面和下表面平行；
2.根据权利要求1所述的基板研磨方法，其特征在于，步骤基于测量误差的结果修正误差中，使衬底（21）上表面与所述研磨设备（1）的研磨平面（111）平行包括：
3.根据权利要求2所述的基板研磨方法，其特征在于，所述研磨设备（1）包括研磨砂轮（11），所述研磨砂轮（11）的下表面为研磨平面（111）；所述吸附平台（12）上设有贯穿的螺纹孔（123）：
4.根据权利要求1所述的基板研磨方法，其特征在于，步骤基于测量误差的结果修正误差包括：
5.根据权利要求1至4任一项所述的基板研磨方法，其特征在于，步骤粗研磨之后测量误差包括：
6.根据权利要求5所述的基板研磨方法，其特征在于，所述第一镀层（22）上设有多个贯通第一镀层（22）的测量孔（223）：
7.根据权利要求1至4任一项所述的基板研磨方法，其特征在于，粗研磨之后测量误差包括：
8.根据权
9.一种研磨设备，其特征在于，包括研磨砂轮（11）、吸附平台（12）和调节螺栓（13）；
10.根据权利要求9所述的研磨设备，其特征在于，所述吸附平台（12）的上表面设有与凹槽（122），所述凹槽（122）的底壁上开设有所述螺纹孔（123）；
...【技术特征摘要】
1.一种基板研磨方法，所述基板（2）包括衬底（21）、分别设置于所述衬底（21）上下两侧的第一镀层（22）和第二镀层（23），所述衬底（21）的上表面和下表面平行；
2.根据权利要求1所述的基板研磨方法，其特征在于，步骤基于测量误差的结果修正误差中，使衬底（21）上表面与所述研磨设备（1）的研磨平面（111）平行包括：
3.根据权利要求2所述的基板研磨方法，其特征在于，所述研磨设备（1）包括研磨砂轮（11），所述研磨砂轮（11）的下表面为研磨平面（111）；所述吸附平台（12）上设有贯穿的螺纹孔（123）：
4.根据权利要求1所述的基板研磨方法，其特征在于，步骤基于测量误差的结果修正误差包括：
5.根据权利要求1至4任一项所述的基板研磨方法，其特征在于，步骤粗研磨之后测量误差包括：
6.根据权利要求5所述的基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈家洛，苏楠，
申请(专利权)人：度亘核芯光电技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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