【技术实现步骤摘要】
本申请涉及传感器，特别涉及一种压力传感器芯体及压力传感器。
技术介绍
1、压力传感器是一种非常重要的功能部件，是一种通过传感元件感受外部压力信息，并将其转换为电信号的器件。根据工作原理的不同，压力传感器一般分为压电式、压阻式和电容式三种类型。
2、相关技术中的电容式压力传感器的敏感元件主要为由敏感薄膜与平行电极组成的电容器。当受到外界压力作用时，电容器敏感薄膜会发生变形,从而通过测量其平行电极之间的电容变化来实现压力大小的检测。这种传感器特点是结构简单、耗能低，灵敏度高，稳定等优点。
3、相关技术中压力传感器芯体，无论是基本mems（微机电系统，micro electromechanical system）技术的电容式压力传感器芯体、单晶硅谐振梁式压力传感器芯体、扩散硅式压力传感器芯体还是基于沉积技术的磁控溅射式电阻应变式压力传感器芯体、原子沉积纳米薄膜电阻应变式压力传感器芯体，其绝缘耐压都在500vac及以下，偶尔可以到达750vac；存在绝缘耐压能力较差的问题。
技术实现思路
1、本申请是鉴于上述课题而进行的，其目的在于，提供一种压力传感器芯体，该压力传感器芯体的绝缘耐压能力强。
2、具体如下，本申请的第一方面提供了一种压力传感器芯体，包括：
3、基体；
4、所述基体表面依次设置有聚酰亚胺层、应变电阻层、焊盘层和保护层；
5、所述聚酰亚胺层的绝缘耐压强度为1000vac~1500vac。
6、根
7、根据本申请的一些实施方式，所述聚酰亚胺层包括脂肪族聚酰亚胺层、半芳香族聚酰亚胺层和芳香族聚酰亚胺层中的至少一种。
8、根据本申请的一些实施方式，所述应变电阻层为nicralmnsita层。
9、根据本申请的一些实施方式，所述nicralmnsita层由以下质量分数的元素组成：
10、ni 65%~70%、cr 15%~20% 、al 2%~4%、mn 6%~8%、si 0.5%~1%和ta 4%~5%。
11、根据本申请的一些实施方式，所述nicralmnsita层由以下质量分数的元素组成：
12、ni 69%、cr 16%、al 3%、mn 7%、si 0.8%和ta 4.2%。
13、根据本申请的一些实施方式，所述应变电阻层的厚度为100nm~500nm。
14、根据本申请的一些实施方式，所述nicralmnsita层的厚度为50nm~300nm。
15、根据本申请的一些实施方式，所述nicralmnsita层的厚度为100nm~300nm。
16、根据本申请的一些实施方式，所述焊盘层包括金焊盘层。
17、根据本申请的一些实施方式，所述保护层包括氧化铝层和/或二氧化硅层。
18、根据本申请的一些实施方式，所述基体为不锈钢基体。
19、根据本申请的一些实施方式，所述不锈钢基体包括17-4ph，316l和304不锈钢基体中的至少一种。
20、本申请第二方面提供了一种压力传感器，包括本申请第一方面所述的压力传感器芯体。
21、本申请至少具备如下有益效果：
22、本申请中聚酰亚胺层的介质绝缘强度高且弹性模量小，设置在基体和应变电阻层之间，能够起到良好的绝缘效果；同时，对应变电阻层的变形感压基本无影响，在进一步提升芯体绝缘性能的同时，还能保持较高的灵敏度和精度。
23、本申请中聚酰亚胺层能够代替相关技术中芯体中过渡层和绝缘层，能简化相关技术中压力传感器芯体的制备方法，从而制得了高绝缘耐压，同时保持较高灵敏度和精度的压力传感器芯体。
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1.一种压力传感器芯体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的压力传感器芯体，其特征在于，所述聚酰亚胺层的厚度为5μm~20μm。
3.根据权利要求1所述的压力传感器芯体，其特征在于，所述聚酰亚胺层包括脂肪族聚酰亚胺层、半芳香族聚酰亚胺层和芳香族聚酰亚胺层中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的压力传感器芯体，其特征在于，所述应变电阻层为NiCrAlMnSiTa层；
5.根据权利要求1至4任一项所述的压力传感器芯体，其特征在于，所述应变电阻层的厚度为50nm~500nm。
6.根据权利要求1至4任一项所述的压力传感器芯体，其特征在于，所述焊盘层包括金焊盘层。
7.根据权利要求1至4任一项所述的压力传感器芯体，其特征在于，所述保护层包括氧化铝层和/或二氧化硅层。
8.根据权利要求1至4任一项所述的压力传感器芯体，其特征在于，所述基体为不锈钢基体。
9.根据权利要求8所述的压力传感器芯体，其特征在于，所述不锈钢基体包括17-4PH，316L和304不锈钢基体中的至少一种。
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