【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于离子注入机，具体涉及一种提高铝离子源aln寿命和稳定性的离子注入机设计结构。
技术介绍
1、近年来，第三代半导体材料中的碳化硅(s i c)，由于其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，被广泛应用于高电压、高频率场景。相比同等条件下的硅功率器件，s i c器件对离子注入机铝离子注入的稳定性、均一性、寿命有更高要求。
2、在公开号为cn220474565u的中国专利中，提到了一种离子注入机，通过设置所述石墨防护组件包括第一石墨板和第二石墨板，所述第一石墨板与所述第二石墨板的一端可拆卸连接，且所述第一石墨板安装后的高度高于安装处金属壁面的高度，相对于现有技术中直接竖直放置石墨板进行防护的方案，不仅有效地增加防护区域，能够更好地保护金属壁面，降低了金属污染的风险，而且通过设置第一石墨板和第二石墨板可拆卸连接，能够根据石墨消耗的位置对相应的第一石墨板或第二石墨板进行更换，相对于现有需要更换整块石墨板的方式，有效地降低了生产成本。
3、本申请人在申请过程中发现，上述申请在使用过程中存在缺陷，尤其是注入机的aln离子源结构设计存在缺陷，导致注入机的aln离子源最多能够使用120h，寿命不稳定，需要经常保养更换新品，究其原因，主要结构缺陷存在以下几点：
4、1、阴极端面薄，损耗快，阴极端面容易被击穿；aln使用一段时间解离不稳定，放电等原因需要开腔保养，导致注入机使用寿命短；
5、2、保养后使用初期，因为阴极出力和aln受力匹配不好，导致离子源时
6、3、反射极和阴极等电位，容易造成放电；
7、4、阴极极高温导致aln物理性质有变化不稳定；
8、5、aln内表面容易起皮导致放电短路。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种提高铝离子源aln寿命和稳定性的离子注入机设计结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种提高铝离子源aln寿命和稳定性的离子注入机设计结构，包括：
4、外壳，所述外壳内壁一侧固定连接有阴极帽，所述阴极帽内部固定连接有灯丝，所述阴极帽远离灯丝的一侧设置有阴极帽端面；
5、aln，所述aln固定安装在外壳内部，并套设在阴极帽外部；
6、反射极，所述反射极设置在外壳内壁，且所述反射极与aln相对设置。
7、优选的，所述阴极帽与aln之间设置有aln内衬，所述aln内衬外壁与aln内壁固定连接，所述阴极帽与aln内衬之间留有间隙，所述aln内衬端部与阴极帽平齐。
8、优选的，所述阴极帽端面厚度大于阴极帽侧壁厚度。
9、优选的，所述aln靠近反射极的端部设置有aln凸起，所述aln凸起凸出阴极帽端面设置。
10、优选的，所述aln凸起端部开放设置。
11、优选的，所述阴极帽连接有电源，所述反射极不接电。
12、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
13、本专利技术通过在阴极帽与aln之间设置金属aln内衬，让阴极与aln之间有热屏蔽，进而避免aln温度过快升高，避免aln起皮，增加阴极帽端面厚度，避免阴极帽端面因为快速损耗而被击穿，提升阴极帽使用寿命，取消给反射极加外部电位，使得反射极形成自由电位状态，反射极获得电位由阴极发射到反射极电子量决定，具备一定电容特性，使电场更容易稳定，将aln端部突出阴极帽端面形成aln凸起，使得aln匹配阴极帽端面出力最大特点，进一步稳定电场。
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1.一种提高铝离子源ALN寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高铝离子源ALN寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特征在于：所述阴极帽(2)与ALN(5)之间设置有ALN内衬(7)，所述ALN内衬(7)外壁与ALN(5)内壁固定连接，所述阴极帽(2)与ALN内衬(7)之间留有间隙，所述ALN内衬(7)端部与阴极帽(2)平齐。
3.根据权利要求2所述的一种提高铝离子源ALN寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特征在于：所述阴极帽端面(4)厚度大于阴极帽(2)侧壁厚度。
4.根据权利要求3所述的一种提高铝离子源ALN寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特征在于：所述ALN(5)靠近反射极(6)的端部设置有ALN凸起(8)，所述ALN凸起(8)凸出阴极帽端面(4)设置。
5.根据权利要求4所述的一种提高铝离子源ALN寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特征在于：所述ALN凸起(8)端部开放设置。
6.根据权利要求5所述的一种提高铝离子源ALN寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特
...【技术特征摘要】
1.一种提高铝离子源aln寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高铝离子源aln寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特征在于：所述阴极帽(2)与aln(5)之间设置有aln内衬(7)，所述aln内衬(7)外壁与aln(5)内壁固定连接，所述阴极帽(2)与aln内衬(7)之间留有间隙，所述aln内衬(7)端部与阴极帽(2)平齐。
3.根据权利要求2所述的一种提高铝离子源aln寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特征在于：所述阴极帽端面(4)厚度大于阴极帽(...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗昆明，张梦龙，袁书文，
申请(专利权)人：浙江芯科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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