非易失性存储装置及电子设备制造方法及图纸

技术编号：42601806 阅读：16 留言：0更新日期：2024-09-03 18:12

本发明专利技术涉及闪存存储器技术领域，具体公开了一种非易失性存储装置及电子设备，包括：存储单元阵列和页面缓冲阵列，存储单元阵列包括多个存储单元，页面缓冲阵列包括多个页面缓冲器；每个页面缓冲器均配置多个高压开关模块，每个高压开关模块均通过连接线单元连接对应的存储单元，多个高压开关模块的连接线单元沿第二平面的第一水平方向依次间隔设置；每个页面缓冲器所配置的多个高压开关模块在第一平面的第二水平方向上呈依次错位设置以使得每个高压开关模块位于其对应的连接线单元两侧的电流区域面积差值小于预设阈值。本发明专利技术提供的非易失性存储装置能够减缓由于高压开关装置的布局排列而产生的特性差异从而提升存储装置的工作稳定性。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪存存储器，尤其涉及一种非易失性存储装置及电子设备。

技术介绍

1、半导体存储器大致可以分为易失性半导体存储器和非易失性半导体存储器。易失性半导体存储器具有快速的读写速度，但缺点是一旦断电，存储的内容就会丢失。相反，非易失性半导体存储器即使停止供电，也可以保存内容。因此，非易失性半导体存储器用于存储不论是否供电都需要保存内容，而闪存存储器就是非易失性存储器的代表性例子。

2、对于闪存存储器装置而言，其工作需要比电源电压（vdd）更高的高电压（vpp）。在存储单元进行擦除（erase）操作时，需要使用20v以上的高电压。控制这些高电压的高压开关装置可能会因为高压引起的压力导致漏电、热化现象，而且因多个高压开关装置的布局排列而产生特性差异导致存储器工作不稳定能够进一步加剧漏电以及热化现象。

3、因此，如何能够减缓多个高压开关装置的布局排列产生的特性差异以提升闪存器件的工作稳定性成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种非易失性存储装置及电子设备，解决相关技术中存在的高压开关装置的布局存在特性差异的问题。

2、作为本专利技术的第一个方面，提供一种非易失性存储装置，其中，包括：存储单元阵列和页面缓冲阵列，所述页面缓冲阵列与所述存储单元阵列连接，所述存储单元阵列包括多个沿第一水平方向依次排列的存储单元，所述页面缓冲阵列包括多个沿第一水平方向依次排列的页面缓冲器，所述页面缓冲器与所述存储单元一一对应；

3、每个所述页面缓冲器均配置多个沿第一平面的第二水平方向依次排列的高压开关模块，每个高压开关模块均通过各自对应的连接线单元连接所属的页面缓冲器对应的存储单元，每个高压开关模块各自对应的连接线单元沿第二平面的第二水平方向延伸，且多个高压开关模块的连接线单元沿第二平面的第一水平方向依次间隔设置，其中所述第一平面和所述第二平面在垂直方向层叠设置，第一水平方向与第二水平方向垂直设置，且所述第一水平方向和所述第二水平方向均与所述垂直方向垂直设置；

4、每个所述页面缓冲器所配置的多个高压开关模块在第一平面的第二水平方向上呈依次错位设置以使得每个高压开关模块位于其对应的连接线单元两侧的电流区域面积差值小于预设阈值。

5、进一步地，每个所述高压开关模块均包括沿第一水平方向延伸的控制端子区域、第一端子区域和第二端子区域，所述第一端子区域和所述第二端子区域在所述第二水平方向上分别位于所述控制端子区域的两侧且与所述控制端子区域间隔设置；

6、所述第一端子区域和所述第二端子区域与所在高压开关模块所对应连接线单元存在交叠接触点，所述第一端子区域和所述第二端子区域位于所述交叠接触点的两侧的电流区域面积差值均小于预设阈值。

7、进一步地，所述连接线单元包括存储单元连接线和页面缓冲输入输出连接线，所述存储单元连接线和所述页面缓冲输入输出连接线分别位于所述控制端子区域的两侧，所述存储单元连接线用于实现所述第一端子区域与所述存储单元的连接，所述页面缓冲输入输出连接线用于实现所述第二端子区域与所述高压开关模块所属的页面缓冲器的连接；

8、所述第一端子区域与所在高压开关控制模块所对应的存储单元连接线存在第一交叠接触点，所述第二端子区域与所在高压开关模块所对应的页面缓冲输入输出连接线存在第二交叠接触点。

9、进一步地，所述第一端子区域在所述第一水平方向上位于所述第一交叠接触点两侧的电流区域面积差值小于预设阈值，所述第二端子区域在所述第一水平方向上位于所述第二交叠接触点两侧的电流区域面积差值小于预设阈值。

10、进一步地，所述第一端子区域在所述第一水平方向上位于所述第一交叠接触点两侧的电流区域面积相同，且所述第二端子区域在所述第一水平方向上位于所述第二交叠接触点两侧的电流区域面积相同。

11、进一步地，同一页面缓冲器配置的所有高压开关模块中的第一端子区域与所述控制端子区域的间隔距离均相同，第二端子区域与所述控制端子区域的间隔距离均相同。

12、进一步地，每个所述页面缓冲器所配置的多个高压开关模块均沿第一平面的第二水平方向依次以相同预设间距布局，且所有高压开关模块沿同一方向错位的错位距离均相同。

13、进一步地，所述高压开关模块包括高压晶体管，所述控制端子区域包括栅极端子，当所述第一端子区域包括源极端子时所述第二端子区域包括漏极端子，当所述第一端子区域包括漏极端子时所述第二端子区域包括源极端子。

14、进一步地，所述存储单元包括nand flash存储单元。

15、作为本专利技术的另一个方面，提供一种电子设备，其中，包括前文所述的非易失性存储装置。

16、本专利技术提供的非易失性存储装置，通过将每个页面缓冲器所配置的多个高压开关模块设置成依次错位排列的形式，以此使得每个高压开关模块位于其对应的连接线单元两侧的电流区域面积差值小于预设阈值，从而能够降低高压开关模块在连接线单元两侧的电流差异，且同时由于同一页面缓冲器所配置的所有高压开关模块均基于该设置，因此能够降低由于高压开关模块的布局排列差异带来的工作不稳定问题，且由于该排列方式能够降低高压开关模块的布局复杂度，因此还能够减少漏电以及热化现象的发生。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种非易失性存储装置，其特征在于，包括：存储单元阵列和页面缓冲阵列，所述页面缓冲阵列与所述存储单元阵列连接，所述存储单元阵列包括多个沿第一水平方向依次排列的存储单元，所述页面缓冲阵列包括多个沿第一水平方向依次排列的页面缓冲器，所述页面缓冲器与所述存储单元一一对应；

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述连接线单元包括存储单元连接线和页面缓冲输入输出连接线，所述存储单元连接线和所述页面缓冲输入输出连接线分别位于所述控制端子区域的两侧，所述存储单元连接线用于实现所述第一端子区域与所述存储单元的连接，所述页面缓冲输入输出连接线用于实现所述第二端子区域与所述高压开关模块所属的页面缓冲器的连接；

4.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述第一端子区域在所述第一水平方向上位于所述第一交叠接触点两侧的电流区域面积差值小于预设阈值，所述第二端子区域在所述第一水平方向上位于所述第二交叠接触点两侧的电流区域面积差值小于预设阈值。

5.根据权利要求4所述的非易

6.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，同一页面缓冲器配置的所有高压开关模块中的第一端子区域与所述控制端子区域的间隔距离均相同，第二端子区域与所述控制端子区域的间隔距离均相同。

7.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述高压开关模块包括高压晶体管，所述控制端子区域包括栅极端子，当所述第一端子区域包括源极端子时所述第二端子区域包括漏极端子，当所述第一端子区域包括漏极端子时所述第二端子区域包括源极端子。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的非易失性存储装置，其特征在于，每个所述页面缓冲器所配置的多个高压开关模块均沿第一平面的第二水平方向依次以相同预设间距布局，且所有高压开关模块沿同一方向错位的错位距离均相同。

9.根据权利要求1至7中任意一项所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述存储单元包括NAND Flash存储单元。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的非易失性存储装置。

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【技术特征摘要】

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述第一端子区域在所述第一水...

【专利技术属性】
技术研发人员：金康榮，高伟，申女，
申请(专利权)人：联和存储科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人