【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路芯片测试领域，具体涉及一种集成电路芯片的可靠性测试评估方法。
技术介绍
1、集成电路芯片是由不同种类的集成电路或者单一类型集成电路形成的产品，通常我们所说的集成电路芯片都是我们所看见的手指甲大小的黑盒子，都是封装好的，集成电路芯片的可靠性测试是芯片生产过程中必不可少的环节，通过对集成电路芯片成品进行性能测试来获取其可靠性，并且，集成电路芯片的性能还与其设计的使用环境、应力环境相关，在使用过程中能否适应环境也是评估集成电路芯片可靠性的指标。现有技术中，对于集成电路芯片的可靠性测试都集中在使用后的老化可靠性测试，以及老化后半损坏的半导体芯片的可靠性影响，没有对集成电路芯片生产后的成品的可靠性进行测试的方法，所以，本专利技术提出了一种集成电路芯片的可靠性测试评估方法。
技术实现思路
1、针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供了一种集成电路芯片的可靠性测试评估方法，评估集成电路芯片在不同使用环境以及应力环境下的可靠性，并评估出可靠性等级。
2、为了达到上述专利技术目的，本专利技术所采用的技术方案为：
3、提供一种集成电路芯片的可靠性测试评估方法，其包括：
4、步骤s1：搭建用于集成电路芯片测试的测试环境，测试环境包括使用环境和压应力环境，根据使用环境定义的环境因子搭建试验箱，试验箱具有调控其内部温度、湿度环境的功能；
5、步骤s2：确定集成电路芯片在使用过程中决定性能的性能指标，遵循单一变量原则，在试验箱内设置最大
6、步骤s3：对集成电路芯片施加应力，测试集成电路芯片在不同应力梯度下的变形情况以及性能指标波动情况，计算不同压应力环境下集成电路芯片的可靠性系数 f2；
7、步骤s4：设置应力环境下集成电路芯片的可靠性系数阈值、使用环境下集成电路芯片的可靠性系数阈值；
8、若且，则集成电路芯片的可靠性为最高等级；
9、若且或且，则集成电路芯片的可靠性为中间等级；
10、若且，则集成电路芯片的可靠性为最低级。
11、进一步地，步骤s2包括：
12、步骤s21：确定集成电路芯片在使用过程中决定性能的性能指标，为第 n个性能指标的理想值， n为性能指标的编号；
13、步骤s22：取集成电路芯片放入试验箱中，并接入采集性能指标的测试电路系统，将试验箱内的温度和湿度设置成集成电路芯片理想的工作温度和湿度，得到集成电路芯片理想的使用环境下的性能指标；
14、步骤s23：计算集成电路芯片理想的使用环境下的性能指标波动值，，为在理想的使用环境下第 n个性能指标的波动值，为理想的使用环境下第 n个性能指标；
15、步骤s24：设置每个性能指标的波动阈值，当存在任意一个性能指标波动值，则判定步骤s22取的集成电路芯片存在工艺缺陷，更换新的集成电路芯片，返回步骤s22；否则，进入步骤s25；
16、步骤s25：计算集成电路芯片在理想的使用环境下的稳定性系数 f1；
17、；
18、其中，为第 i个性能指标对集成电路芯片性能的影响权重系数，为理想的使用环境下第 i个性能指标的波动值，为第 i个性能指标的波动阈值，，；
19、步骤s26：设置稳定性系数的阈值 f阈值，若，则判定步骤s22取的集成电路芯片存在工艺缺陷，更换新的集成电路芯片，返回步骤s22；否则，执行步骤s27，输出稳定性系数 f1作为稳定性系数的参考值；
20、步骤s27：调控试验箱内的温度为集成电路芯片的理想工作温度，将试验箱内的湿度调整为集成电路芯片工作允许的湿度阈值，获取集成电路芯片在湿度阈值条件下的性能指标， s n为第 n个湿度阈值条件下的性能指标；
21、步骤s28：计算湿度阈值条件下的性能指标波动值，，并计算集成电路芯片在湿度阈值条件下的稳定性系数 f2；
22、；
23、其中，为湿度阈值条件下第 i个性能指标的波动值；当时，取，当时，取实际值；
24、步骤s29：返回步骤s27，调控试验箱内的湿度为集成电路芯片的理想工作湿度，重复步骤s27-s28，分别计算出集成电路芯片工作在最大温度阈值 t1和最小温度阈值 t2条件下的稳定性系数 f3和稳定性系数 f4；根据最大温度阈值 t1和最小温度阈值 t2分别设置试验箱的最大温度值 tmax和最小温度值 tmin；
25、，；
26、其中，分别为试验箱内加热部件与内部空间、内部空间与集成电路芯片表面间的导热系数， t j为试验过程中集成电路芯片的发热量， p为集成电路芯片的功耗，为集成电路芯片的热阻；
27、步骤s210：根据稳定性系数 f2、 f3和 f4，以及参考值，计算集成电路芯片工作时在环境因子变化条件下的可靠性系数 f1。
28、进一步地，可靠性系数 f1的计算方法为；
29、；
30、其中，当时，取，当时，取，当时，取，否则取实际值；，为湿度变化对集成电路芯片的可靠性影响权重系数，为高温环境对集成电路芯片的可靠性影响权重系数，为低温环境对集成电路芯片的可靠性影响权重系数。
31、进一步地，步骤s3包括：
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种集成电路芯片的可靠性测试评估方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路芯片的可靠性测试评估方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路芯片的可靠性测试评估方法，其特征在于，所述可靠性系数F1的计算方法为；
4.根据权利要求2所述的集成电路芯片的可靠性测试评估方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路芯片的可靠性测试评估方法，其特征在于，所述可靠性系数F2的计算方法为：
【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片的可靠性测试评估方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路芯片的可靠性测试评估方法，其特征在于，所述步骤s2包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路芯片的可靠性测试评估方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜正平，田雨，张宏民，程天鑫，
申请(专利权)人：成都赛迪育宏检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。