System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 二次电池保护集成电路、电池保护电路以及电池装置制造方法及图纸_技高网

二次电池保护集成电路、电池保护电路以及电池装置制造方法及图纸

技术编号:42598166 阅读:10 留言:0更新日期:2024-09-03 18:10
本发明专利技术提供一种二次电池保护集成电路、电池保护电路以及电池装置,针对设置于与二次电池连接的电流路径的晶体管的异常提高保护功能。二次电池保护集成电路,通过对设置于与二次电池连接的电流路径的晶体管进行控制来保护所述二次电池,所述二次电池保护集成电路具有:控制端子,其与所述晶体管的栅极连接;异常检测电路,其检测所述晶体管的异常;以及控制电路,其在通过所述异常检测电路检测到所述异常的情况下,将所述控制端子的电位切换为所述晶体管截止的电平。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及二次电池保护集成电路、电池保护电路以及电池装置


技术介绍

1、以往,已知一种保护电路,具有:非恢复开关,其串联地插入于针对二次电池的充电路径,通过熔断来切断所述充电路径;半导体开关,其串联地介插于针对所述二次电池的放电路径,将所述放电路径电导通或切断;以及开关控制电路,其在检测到所述二次电池的过放电时,对所述半导体开关元件进行切断控制。该开关控制电路在检测到所述半导体开关元件的异常发热时,将所述非恢复开关熔断。

2、然而,以往的保护电路在检测到半导体开关的异常发热时,虽然将设置于充电路径的非恢复开关熔断,但设置于放电路径的该半导体开关的异常仍被搁置。

3、专利文献1:日本特开2007-299696号公报


技术实现思路

1、本公开提供针对设置于与二次电池连接的电流路径的晶体管的异常提高了保护功能的二次电池保护集成电路、电池保护电路以及电池装置。

2、本公开的一方式的二次电池保护集成电路通过对设置于与二次电池连接的电流路径的晶体管进行控制来保护所述二次电池,

3、所述二次电池保护集成电路具有:

4、控制端子,其与所述晶体管的栅极连接;

5、异常检测电路,其检测所述晶体管的异常;以及

6、控制电路,其在通过所述异常检测电路检测到所述异常的情况下,将所述控制端子的电位切换为所述晶体管截止的电平。

7、根据本公开,能够针对设置于与二次电池连接的电流路径的晶体管的异常提高保护功能。

【技术保护点】

1.一种二次电池保护集成电路,通过对设置于与二次电池连接的电流路径的晶体管进行控制来保护所述二次电池,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

4.根据权利要求2所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

5.根据权利要求2所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

6.根据权利要求2~5中任一项所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

7.根据权利要求2~5中任一项所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

9.根据权利要求2~5中任一项所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

10.根据权利要求2~5中任一项所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

11.根据权利要求2~5中任一项所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

12.根据权利要求1~5中任一项所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

<p>13.根据权利要求12所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

14.根据权利要求13所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

15.根据权利要求13所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

16.根据权利要求12所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

17.根据权利要求16所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

18.根据权利要求16所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

19.一种电池保护电路,其特征在于,具有:

20.一种电池装置,其特征在于,具有:

...

【技术特征摘要】

1.一种二次电池保护集成电路,通过对设置于与二次电池连接的电流路径的晶体管进行控制来保护所述二次电池,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

4.根据权利要求2所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

5.根据权利要求2所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

6.根据权利要求2~5中任一项所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

7.根据权利要求2~5中任一项所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

9.根据权利要求2~5中任一项所述的二次电池保护集成电路,其特征在于,

10.根据权利要求2~5中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员:影山僚大
申请(专利权)人:三美电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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