过压保护电路及供电电源制造技术

技术编号:42588581 阅读:14 留言:0更新日期:2024-09-03 18:04
本技术实施例提供了一种过压保护电路及供电电源,包括:相连的电源输入电路、比较器和PMOS管;电源输入电路的输入端与外设的电源相连;比较器与参考电压相连;比较器的输出端通过上拉电阻与电源相连;电源输入电路用于将上述电源转化为输入电压;比较器用于比较输入电压与上述参考电压,当输入电压大于参考电压时,输出与上述电源对应的高电平至上述PMOS管的栅极,以使PMOS管截止;以及,当输入电压小于参考电压时,输出低电平至PMOS管的栅极,以使PMOS管导通。该技术可以在电源大于预设阈值时,将PMOS管截止以对PMOS管相连的固态硬盘产品进行过压保护。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路,尤其是涉及一种过压保护电路及供电电源


技术介绍

1、固态硬盘产品在运行时的输入供电电压太高会导致产品被烧坏的情况,目前主要使用过压保护芯片来上述问题,但是使用过压保护芯片构造过压保护电路的成本比较高,并且,目前的过压保护芯片的过压检测范围不可调整,当上述过压保护芯片构造过压保护电路应用在固态硬盘产品时,过压检测的精度较低。


技术实现思路

1、本技术提供的过压保护电路及供电电源,缓解使用过压保护芯片构造过压保护电路的成本比较高,并且目前的过压保护芯片的过压检测范围不可调整,当上述过压保护芯片构造过压保护电路应用在固态硬盘产品时过压检测的精度较低的问题,可以降低过压保护电路的成本,并提升过压保护电路应用在固态硬盘产品时的过压检测精度。

2、第一方面,本技术实施例提供了一种过压保护电路,包括:相连的电源输入电路、比较器和pmos管;上述电源输入电路的输入端与外设的电源相连;上述比较器与参考电压相连;上述比较器的输出端通过上拉电阻与上述电源相连;上述电源输入电路用于将上述电源转化为输入电压;上述比较器用于比较上述输入电压与上述参考电压,当上述输入电压大于上述参考电压时,输出与上述电源对应的高电平至上述pmos管的栅极,以使上述pmos管截止;以及,当上述输入电压小于上述参考电压时,输出低电平至上述pmos管的栅极,以使上述pmos管导通;上述pmos管用于在导通时,输出上述电源。

3、在本技术较佳的实施方式中,上述电源输入电路的输出端与上述比较器的同相输入端相连;上述比较器的反向输入端与上述参考电压相连。

4、在本技术较佳的实施方式中,上述电源输入电路包括:第一电阻和第三电阻;上述第一电阻的输入端与上述电源相连;上述第一电阻的输出端与上述第三电阻的输入端相连;上述第三电阻的输出端接地;上述第一电阻的输出端与上述比较器的同相输入端相连;上述第一电阻和上述第三电阻用于将上述电源分压,得到上述输入电压,并将上述输入电压输入上述比较器的同相输入端。

5、在本技术较佳的实施方式中,上述过压保护电路还包括:与上述比较器的反向输入端相连的参考电压输入电路;上述参考电压输入电路用于向上述比较器的反向输入端输入上述参考电压。

6、在本技术较佳的实施方式中,上述参考电压输入电路包括:参考电源、第二电阻以及第四电阻;上述第二电阻的输入端与上述参考电源相连;上述第二电阻的输出端与上述第四电阻的输入端相连;上述第四电阻的输出端接地;上述第二电阻的输出端与上述比较器的反相输入端相连;上述第二电阻以及上述第四电阻用于对上述参考电源进行分压,得到上述参考电压,并将上述参考电压输入上述比较器的反向输入端。

7、在本技术较佳的实施方式中,当上述电源为5v时,上述第一电阻为240kω,上述第二电阻为240kω,上述第三电阻为90kω,上述第四电阻为200kω;当上述电源为3.3v时,上述第一电阻为240kω,上述第二电阻为240kω,上述第三电阻为172kω,上述第四电阻为200kω。

8、在本技术较佳的实施方式中,上述电源输入电路还包括:相连的第一电容和第二电容;上述第一电容以及上述第二电容的输入端均与外设的原电源相连;上述第一电容以及上述第二电容的输出端均与地相连;上述第一电容和上述第二电容均用于对上述原电源进行滤波,得到上述电源。

9、在本技术较佳的实施方式中,上述电源输入电路还包括:第三电容和第四电容;上述第三电容的输入端与第三电阻的输入端相连;上述第四电容的输入端与第四电阻的输入端相连;上述第三电容以及上述第四电容的输出端均与地相连;上述第三电阻用于吸收上述输入电压的杂波;上述第四电阻用于吸收上述参考电压的杂波。

10、在本技术较佳的实施方式中,上述电源输入电路还包括:与上述原电源相连的tvs管;上述tvs管的输出端接地;上述tvs管用于对上述原电源进行过压保护。

11、第二方面,本技术实施例提供了一种供电电源,包括:上述过压保护电路,还包括:与上述过压保护电路相连的供电电源。

12、本技术实施例具有下述有益技术效果:

13、本技术实施例提供了一种过压保护电路及供电电源,包括:相连的电源输入电路、比较器和pmos管;上述电源输入电路的输入端与外设的电源相连;上述比较器与参考电压相连;上述比较器的输出端通过上拉电阻与上述电源相连;上述电源输入电路用于将上述电源转化为输入电压;上述比较器用于比较上述输入电压与上述参考电压,当上述输入电压大于上述参考电压时,输出与上述电源对应的高电平至上述pmos管的栅极,以使上述pmos管截止;以及,当上述输入电压小于上述参考电压时,输出低电平至上述pmos管的栅极,以使上述pmos管导通。该技术可以在电源大于预设阈值时,将pmos管截止以对pmos管相连的固态硬盘产品进行过压保护。

14、本实施例公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,或者,部分特征和优点可以从说明书推知或毫无疑义地确定,或者通过实施本公开的上述技术即可得知。

15、为使本公开的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种过压保护电路,其特征在于,包括:相连的电源输入电路、比较器和PMOS管;所述电源输入电路的输入端与外设的电源相连;所述比较器与参考电压相连;所述比较器的输出端通过上拉电阻与上述电源相连;

2.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述电源输入电路的输出端与所述比较器的同相输入端相连;所述比较器的反向输入端与所述参考电压相连。

3.根据权利要求2所述的过压保护电路,其特征在于,所述电源输入电路包括:第一电阻和第三电阻;所述第一电阻的输入端与所述电源相连;所述第一电阻的输出端与所述第三电阻的输入端相连;所述第三电阻的输出端接地;所述第一电阻的输出端与所述比较器的同相输入端相连;

4.根据权利要求3所述的过压保护电路,其特征在于,所述过压保护电路还包括:与所述比较器的反向输入端相连的参考电压输入电路;

5.根据权利要求4所述的过压保护电路,其特征在于,所述参考电压输入电路包括:参考电源、第二电阻以及第四电阻;所述第二电阻的输入端与所述参考电源相连;所述第二电阻的输出端与所述第四电阻的输入端相连;所述第四电阻的输出端接地;所述第二电阻的输出端与所述比较器的反相输入端相连;

6.根据权利要求5所述的过压保护电路,其特征在于,当所述电源为5V时,所述第一电阻为240KΩ,所述第二电阻为240KΩ,所述第三电阻为90KΩ,所述第四电阻为200KΩ;当所述电源为3.3V时,所述第一电阻为240KΩ,所述第二电阻为240KΩ,所述第三电阻为172KΩ,所述第四电阻为200KΩ。

7.根据权利要求5所述的过压保护电路,其特征在于,所述电源输入电路还包括:相连的第一电容和第二电容;所述第一电容以及所述第二电容的输入端均与外设的原电源相连;所述第一电容以及所述第二电容的输出端均与地相连;

8.根据权利要求7所述的过压保护电路,其特征在于,所述电源输入电路还包括:第三电容和第四电容;所述第三电容的输入端与第三电阻的输入端相连;所述第四电容的输入端与第四电阻的输入端相连;所述第三电容以及所述第四电容的输出端均与地相连;

9.根据权利要求7所述的过压保护电路,其特征在于,所述电源输入电路还包括:与所述原电源相连的TVS管;所述TVS管的输出端接地;

10.一种供电电源,其特征在于,包括:权利要求1至9任一项所述的过压保护电路,还包括:与所述过压保护电路相连的供电电源。

...

【技术特征摘要】

1.一种过压保护电路,其特征在于,包括:相连的电源输入电路、比较器和pmos管;所述电源输入电路的输入端与外设的电源相连;所述比较器与参考电压相连;所述比较器的输出端通过上拉电阻与上述电源相连;

2.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述电源输入电路的输出端与所述比较器的同相输入端相连;所述比较器的反向输入端与所述参考电压相连。

3.根据权利要求2所述的过压保护电路,其特征在于,所述电源输入电路包括:第一电阻和第三电阻;所述第一电阻的输入端与所述电源相连;所述第一电阻的输出端与所述第三电阻的输入端相连;所述第三电阻的输出端接地;所述第一电阻的输出端与所述比较器的同相输入端相连;

4.根据权利要求3所述的过压保护电路,其特征在于,所述过压保护电路还包括:与所述比较器的反向输入端相连的参考电压输入电路;

5.根据权利要求4所述的过压保护电路,其特征在于,所述参考电压输入电路包括:参考电源、第二电阻以及第四电阻;所述第二电阻的输入端与所述参考电源相连;所述第二电阻的输出端与所述第四电阻的输入端相连;所述第四电阻的输出端接地;所述第二电阻的输出端与所述比较器的反相输入端相连;

【专利技术属性】
技术研发人员:孙成思何瀚王灿李振华谢志响
申请(专利权)人:深圳佰维存储科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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