【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、目前，常见的薄膜晶体管通常采用非晶硅半导体作为通道材料。非晶硅半导体因其制作工艺简单且成本低廉而被广泛应用于各种薄膜晶体管中。随着显示技术的不断进步，显示面板的分辨率也在逐年提升。为了缩小像素电路中的薄膜晶体管的尺寸，许多制造商致力于研发新的高载流子迁移率的半导体材料，例如为金属氧化物半导体材料。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体装置，能改善热载流子效应(hot carrier effect)带来的负面影响。
2、本专利技术的至少一实施例提供一种半导体装置，其包括第一源极/漏极、第一绝缘结构、第二源极/漏极、半导体结构、栅介电层以及栅极。第一绝缘结构位于第一源极/漏极上。第二源极/漏极位于第一绝缘结构的顶面上。第一源极/漏极、第一绝缘结构以及第二源极/漏极在第一方向上依序堆叠。第一源极/漏极与第二源极/漏极通过第一绝缘结构而彼此分离。半导体结构从第二源极/漏极沿着第一绝缘结构的第一侧面延伸至第一源极/漏极的顶面。半导体结构的第一部分接触第一源极/漏极且具有第一厚度。半导体结构的第二部分接触第二源极/漏极且具有第二厚度。第二厚度不同于第一厚度。栅介电层位于半导体结构上。栅极位于栅介电层上，栅极在第一方向上重叠于第一绝缘结构的该第一侧面。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一半导体层、该第二半导体层以及该第三半导体层包括相同的金属元素，且该第二半导体层的氧浓度不同于该第一半导体层的氧浓度以及该第三半导体层的氧浓度。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一半导体层包括互相分离的第一接触部以及第二接触部，其中该半导体结构的该第一部分由该第一接触部、该第二半导体层以及该第三半导体层的堆叠所构成，且该半导体结构的该第三部分由该第二接触部、该第二半导体层以及该第三半导体层的堆叠所构成。
8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一绝缘结构包括通孔，该通孔暴露出该
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一半导体层、该第二半导体层以及该第三半导体层包括相同的金属元素，且该第二半导体层的氧浓度不同于该第一半导体层的氧浓度以及该第三半导体层的氧浓度。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该半导体结构包括：
7.如权利要求6所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴尚霖，范扬顺，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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