【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆，特别是涉及一种晶圆研磨垫。
技术介绍
1、在反射光谱学中，光从膜层上反射的不同角度与膜层的材料及厚度相关，当膜层从一种材料的界面变化到另一种材料的界面处时，光学终点监测测量到从抛光膜层反射过来的紫外光或者可见光之间的干涉，通过连续地测量抛光中膜层厚度的变化可以测定速率。
2、现有的检测方式是在研磨垫上设置一个检测窗口，当晶圆经过该检测窗口时检测当前的膜层反射率，从而确定当前的膜厚。然而由于光学终点监测只有一处，可能会出现晶圆表面研磨不均匀，部分区域未研磨完成，但误以为研磨完成，从而出现漏检错检的情况，最终造成晶圆报废。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种晶圆研磨垫，增加晶圆经过终点监测窗口时候的检测范围，弥补单点检测时有可能出现的漏检错检，保证检测精度。
2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种晶圆研磨垫，包括研磨垫主体，所述研磨垫主体的中心至其外侧表面的任一点的直线为等分线，所述等分线被n-1个均分点均分成n等分，其中，n≥3，每个所述均分点上设有一个检测窗口。
4、优选地，所述检测窗口为圆形，且所述检测窗口的半径为0.8～1.3厘米。
5、优选地，所述检测窗口的半径为1厘米。
6、优选地，所述检测窗口为正方形，且其边长为0.8～1.3厘米。
7、优选地，所述检测窗口为矩形，其所述矩形的长边的边长为0.8～1.3厘米。
8、优选地，所述研
9、优选地，所述检测窗口的数量为3个。
10、优选地，所述研磨垫主体包括基层，所述基层上覆盖有用于研磨的研磨层。
11、本技术实施例的一种晶圆研磨垫，与现有技术相比，其有益效果在于：通过在研磨垫本体的等分线上设置n-1个均分点，且n≥3，并在每个均分点上设置一个检测窗口，从而使得研磨垫主体上至少设有两个检测窗口，从而增加了晶圆经过终点检测窗口时候的检测范围，弥补了现有技术中单点检测时有可能出现的漏检错检，保证了检测精度，从而可以更好地了解晶圆表面的情况，防止出现过磨或研磨不够的情况出现，从而保证了晶圆的质量。
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1.一种晶圆研磨垫，其特征在于：包括研磨垫主体，所述研磨垫主体的中心至其外侧表面的任一点的直线为等分线，所述等分线被n-1个均分点均分成n等分，其中，n≥3，每个所述均分点上设有一个检测窗口。
2.如权利要求1所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述检测窗口为圆形，且所述检测窗口的半径为0.8～1.3厘米。
3.如权利要求2所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述检测窗口的半径为1厘米。
4.如权利要求1所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述检测窗口为正方形，且其边长为0.8～1.3厘米。
5.如权利要求1所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述检测窗口为矩形，其所述矩形的长边的边长为0.8～1.3厘米。
6.如权利要求1-5任一项所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述研磨垫主体为圆形，所述等分线为所述研磨垫主体的任意一条半径。
7.如权利要求6所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述检测窗口的数量为3个。
8.如权利要求1-5任一项所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述研磨垫主体包括基层，所述基层上覆盖有用于研磨的研磨层。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨垫，其特征在于：包括研磨垫主体，所述研磨垫主体的中心至其外侧表面的任一点的直线为等分线，所述等分线被n-1个均分点均分成n等分，其中，n≥3，每个所述均分点上设有一个检测窗口。
2.如权利要求1所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述检测窗口为圆形，且所述检测窗口的半径为0.8～1.3厘米。
3.如权利要求2所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述检测窗口的半径为1厘米。
4.如权利要求1所述的晶圆研磨垫，其特征在于：所述检测窗口为正方形，且其边长为...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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