【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电材料，特别涉及一种杂环衍生物及包含其的有机电致发光器件。
技术介绍
1、有机电致发光器件(organic light emitting diode)是一种基于有机电致发光材料的自发光显示器件，与现有液晶显示器件不同，具有无需背光源、厚度薄的的特点，是适合于柔性器件装置(柔性发光显示装置)的技术。
2、有机发光装置具有阳极和阴极，以及在两个电极之间安置有机薄膜的结构。包括单个发光单元的简单器件或多个发光单元的串联型器件。
3、简单器件通常包括空穴传输层、发光层和电子传输层。由于电子传输层材料的电子迁移率远低于空穴传输层材料的空穴迁移率，导致进入发光层的空穴和电子不平衡，影响器件的寿命。
4、串联型器件通常在发光单元之间设置电荷生成层，以确保电荷有效地分配到发光叠层的同时提高各个发光层中的电流效率。通常，电荷生成层具有pn结，其中依次堆叠了n型电荷生成层和p型电荷生成层。
5、电荷生成层的电子从n型电荷生成层到相邻的电子传输层的注入势垒比较大，因此，电子在n型电荷生成层与相邻电子传输层之间的界面处积累，容易引起该界面的劣化，使得器件寿命变短。
6、因此，急需开发新型材料以提高器件的寿命。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种杂环衍生物，使用该化合物制备的有机电致发光器件能实现耐久的使用寿命。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种杂环衍生物，该化合物具有式
4、其中，
5、x为nl5r5、pl6r6、pol6r6、psl6r6，
6、l1-l6各自独立选自单键、r’取代或未取代的c6-c60的亚芳基、r’取代或未取代的c3-c60的亚杂芳基，
7、如l5选自单键，则r5与式(1)的n直接相连，
8、如l6选自单键，则r6与式(1)的p直接相连，
9、r1-r4各自独立选自氢、氘、卤素、氰基、r’取代或未取代的c1-c10的烷基、r’取代或未取代的c3-c10的环烷基、r’取代或未取代的c1-c10的烷氧基、r’取代或未取代的c2-c10的烯基、r’取代或未取代的c2-c10的炔基、r’取代或未取代的c6-c60的芳基、r’取代或未取代的c3-c60的杂芳基、r’取代或未取代的c6-c60碳环基、r’取代或未取代的c3-c60杂环基，
10、r5、r6各自独立为取代或未取代的菲啰啉基所述取代的菲啰啉基为单取代或多取代，所述菲啰啉基的取代基r7-r13各自独立为氘、卤素、氰基、硅烷基、c1-c10的烷基、c3-c10的环烷基、c1-c10的烷氧基、c6-c30的芳基、c3-c30的杂芳基中的一种或几种的组合，多个取代基相同或不同，
11、r’选自氘、卤素、氰基、硅烷基、c1-c10的烷基、c3-c10的环烷基、c1-c10的烷氧基、c6-c30的芳基、c3-c30的杂芳基中的一种或几种的组合，
12、表示与x连结的部位。
13、作为优选，r1-r4各自独立为氢、氘、卤素、氰基、甲基、r’取代或未取代的如下基团：苯基、联苯基、萘基、菲基、蒽基、芘基、荧蒽基、基、三亚苯基、苯基取代吲哚并吡啶基、吡啶基取代吲哚并吡啶基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吡唑基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、9，9-二甲基芴、9，9-二苯基芴、二氮杂萘、二氮杂芴。
14、作为优选，r1-r4各自独立为氢、氘、卤素、苯基、联苯基、萘基。
15、作为优选，l1-l6各自独立选自单键、r’取代或未取代的亚苯基、r’取代或未取代的亚萘基。
16、作为优选，r’选自氘、卤素、c1-c10的烷基、c3-c10的环烷基、c6-c30的芳基、c3-c30的杂芳基中的一种或几种的组合。优选地，r’选自氘、卤素、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、联吡啶基中的一种或几种的组合。
17、作为优选，r7-r13各自独立为氢、氘、卤素、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、联吡啶基中的一种或几种的组合。
18、作为优选，r7-r13各自独立为氢、氘、卤素、苯基、联苯基、萘基中的一种或几种的组合。
19、作为优选，r13为氢、氘、卤素、苯基、联苯基、萘基中的一种或几种的组合。
20、作为优选，r7-r12为氢。
21、一种制剂，所述制剂包含至少一种本专利技术所述的杂环衍生物以及至少一种溶剂。
22、本专利技术提供一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极及在所述第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包含本专利技术所述的杂环衍生物。
23、作为优选，所述有机层包括电子传输层和电荷生成层，所述电子传输层或电荷生成层中的至少一种选自本专利技术所述的杂环衍生物。
24、作为优选，所述有机层包括电子传输层或电荷生成层，所述电荷生成层包括n型电荷生成层和p型电荷生成层，所述电子传输层或n型电荷生成层中的至少一种选自本专利技术所述的杂环衍生物。
25、优选地，所述n型电荷生成层包括碱金属或碱土金属。
26、本专利技术提供一种电子装置，包括：显示装置，包括本专利技术所述的有机电致发光器件；以及控制部，用于驱动上述显示装置。
27、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
28、1、本专利技术所述杂环衍生物中菲罗琳基团与富电子的五元杂环连结，稳定性高，能级与相邻层匹配。
29、2、制备的有机电致发光器件具有更长的寿命。
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1.一种杂环衍生物，其特征在于：该化合物具有式(1)所示结构，其中，
2.根据权利要求1所述的杂环衍生物，其特征在于：R1-R4各自独立为氢、氘、卤素、氰基、甲基、R’取代或未取代的如下基团：苯基、联苯基、萘基、菲基、蒽基、芘基、荧蒽基、基、三亚苯基、苯基取代吲哚并吡啶基、吡啶基取代吲哚并吡啶基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吡唑基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、9，9-二甲基芴、9，9-二苯基芴、二氮杂萘、二氮杂芴。
3.根据权利要求1所述的杂环衍生物，其特征在于：L1-L6各自独立选自单键、R’取代或未取代的亚苯基、R’取代或未取代的亚萘基。
4.根据权利要求1-3任一项所述的杂环衍生物，其特征在于：R’选自氘、卤素、C1-C10的烷基、C3-C10的环烷基、C6-C30的芳基、C3-C30的杂芳基中的一种或几种的组合。
5.根据权利要求1所述的杂环衍生物，其特征在于：R7-R13各自独立为氢、氘、卤素、苯基、
6.一种制剂，所述制剂包含至少一种权利要求1所述的杂环衍生物以及至少一种溶剂。
7.一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极及在所述第一电极和第二电极之间的有机层，其特征在于：所述有机层包含权利要求1所述的杂环衍生物。
8.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述有机层包括电子传输层和电荷生成层，所述电荷生成层包括N型电荷生成层和P型电荷生成层，所述电子传输层或N型电荷生成层中的至少一种选自权利要求1所述的杂环衍生物。
9.一种电子装置，包括：显示装置，包括权利要求7或8所述的有机电致发光器件；以及控制部，用于驱动上述显示装置。
...【技术特征摘要】
1.一种杂环衍生物，其特征在于：该化合物具有式(1)所示结构，其中，
2.根据权利要求1所述的杂环衍生物，其特征在于：r1-r4各自独立为氢、氘、卤素、氰基、甲基、r’取代或未取代的如下基团：苯基、联苯基、萘基、菲基、蒽基、芘基、荧蒽基、基、三亚苯基、苯基取代吲哚并吡啶基、吡啶基取代吲哚并吡啶基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吡唑基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、9，9-二甲基芴、9，9-二苯基芴、二氮杂萘、二氮杂芴。
3.根据权利要求1所述的杂环衍生物，其特征在于：l1-l6各自独立选自单键、r’取代或未取代的亚苯基、r’取代或未取代的亚萘基。
4.根据权利要求1-3任一项所述的杂环衍生物，其特征在于：r’选自氘、卤素、c1-c10的烷基、c3-c10的环烷...
【专利技术属性】
技术研发人员：金光哲，崔建新，高徐滨，刘雪，陈奇，
申请(专利权)人：海宁奕诺炜特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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