影像显示系统及其制造方法技术方案

技术编号:4258026 阅读:164 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种影像显示系统及其制造方法,上述影像显示系统包括薄膜晶体管基板,上述薄膜晶体管基板包括基板,其具有显示区域及垫区域;以及导线,设置于该显示区域的该基底上方,该导线具有上金属线、中间金属线及下金属线,其中该中间金属线的宽度窄于该上金属线的宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种影像显示系统,特别是涉及一种薄膜晶体管基板在显示 区域和垫区域的导线及接合垫的构造及其制造方法。
技术介绍
液晶平面显示器近年来已经被大量应用在各式各样产品的显示元件上。 为了提高液晶平面显示器的显示品质,则要提高液晶显示面板的开口率,并且避免漏光(light leakage)问题的产生。然而,在已知的工艺中,设置于薄膜晶体管基板的扫描线(scanline)或数 据线(data line)的形状通常为锥形(taper),当包括液晶显示面板的影像显示系 统的背光源装置(back light module)照射已知的薄膜晶体管基板时,会由于锥 形导线含有高反射率金属,而造成反光进而导致液晶显示面板严重的漏光问 题。为了解决液晶显示面板的漏光问题,已知技术可于扫描线(scanline)或数 据线(dataline)的下方额外设置一层遮蔽金属层,以阻挡背光源装置产生的光 照射至上述导线造成反光。然而,上述额外设置的遮蔽金属层会使液晶显示 面板整体的开口率(apertureratio)下降,导致液晶显示面板亮度降低,造成显 示品质不佳等问题。另外,已知技术也可于扫描线(scan line)或数据线(data line)上设置一层氮化硅(SiNx),以解决液晶显示面板的漏光问题。但是,形 成上述氮化硅(SiNx)层所需的例如化学气相沉积(CVD)、光刻和蚀刻等额外 工艺会造成工艺成本上升的问题。因此,需要一种可克服漏光问题的液晶显示面板,以达到优选的显示品质。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种影像显示系统的制造方法,包括提供基板,其 包括显示区域及垫区域;依序形成下金属层、中间金属层、上金属层于该基板上;各向异性蚀刻该上金属层、该中间金属层及该下金属层以在该显示区 域形成导线,该导线具有下金属线、中间金属线及上金属线;以及各向同性 蚀刻该中间金属线,使该中间金属线的宽度窄于该上金属线的宽度及该下金属线的宽度。本专利技术另一实施例提供一种影像显示系统,包括薄膜晶体管基板,包括 该薄膜晶体管基板包括基板,包括显示区域及垫区域;导线,设置于该显示 区域的该薄膜晶体管基底上方,该导线具有下金属线、中间金属线及下金属 线,其中该中间金属线的宽度窄于该上金属线的宽度及该下金属线的宽度。附图说明图1为本专利技术实施例的液晶显示面板的示意图。图2为本专利技术实施例的形成于薄膜晶体管基板的显示区域及垫区域的导 线及接合垫。图3a 图3d为本专利技术实施例的导线及接合垫的工艺剖面图。图4a 图4e为本专利技术另 一实施例的导线及接合垫的工艺剖面图。图4d, 图4e,为本专利技术又另一实施例的导线及接合垫的工艺剖面图。图5为本专利技术实施例的包含液晶显示面板的影像显示系统的配置示意图附图标记说明100~基板;104 中间金属层;102a 下金属线;106a 上金属线;104b 中间金属垫;108、 110 光致抗蚀剂图案:30 光线;10 遮光区;40 半透光区;222a 光感材料;202 薄膜晶体管基板;206 信号处理带;102 下金属层;106 上金属层;104a 中间金属线;102b 下金属垫;106b 上金属垫;220 导电保护层;224、 226 光掩模;20 透光区;222 光感平坦层;250~开口 ;204-彩色滤光片基板; 208 ~电路板;5212~显示区域;216~导线;500 液晶显示面板;214~垫区域;218 接合垫;600 液晶显示器;700 输入单元;800 包含液晶显示面板的影像显示系统。 具体实施例方式请参阅图1及图2,图1为本专利技术实施例的液晶显示面板500的示意图。 在本专利技术实施例中,液晶显示面板500可为低温多晶硅(low temperature poly-silicon)液晶显示面板。液晶显示面板500包括薄膜晶体管基板202、彩 色滤光片基板204以及填入于上述基板间的空间内的液晶材料(图未显示)。 在薄膜晶体管基板202上设置有多条扫描线(scan line)与数据线(data line),以 定义出多个像素区域,而于各像素区域内则包括像素电极以及作为开关的薄 膜晶体管(TFT)。图2显示本专利技术实施例的薄膜晶体管基板202在显示区域212和垫区域 214的导线216及作为薄膜晶体管基板202的内部端子的接合垫218。如图2 所示,薄膜晶体管基板具有显示区域212和垫区域214。薄膜晶体管基板包 括多条导线216,覆盖于基板上方,每一个导线216具有延伸部,延伸至垫 区域214,以作为接合垫218。导线216例如为用于定义出像素元件阵列的 扫描线(scan line)或数据线(data line),在本专利技术实施例中,例如为数据线(data line)。通过例如巻带式自动接合带或柔性印刷电路板等方式,以透过信号处 理带206电性连接图2所示的垫区域214的接合垫218与外部的电路板208。 再者,可在接合垫218以及信号处理带206之间设置异方性导电胶,以强化 两者之间的贴附能力。图3a 图3d为本专利技术实施例影像显示系统的导线及接合垫的工艺剖面 图。首先,如图3a所示,提供例如玻璃或石英等透明材料构成的基板100, 其包括显示区域212及垫区域214,上述显示区域212为形成薄膜晶体管阵 列的区i或。接着,在基板IOO上形成金属层,然后图案化此金属层以形成栅极、扫 描线;再形成栅极绝缘层、作为载流子通道的多晶硅主动层等薄膜晶体管的 元件(图未显示)。6其次,依序形成下金属层102、中间金属层104、上金属层106于上述 基板100上,此上金属层102及下金属层例如为钛、钽、钼、铬等金属或其 合金,而中间金属层104例如为高反射率的铝金属或其合金。然后,利用光 刻工艺在上金属层106上形成光致抗蚀剂图案108,以作为蚀刻掩模。然后,请参照图3b,利用干蚀刻方式各向异性蚀刻上金属层106、中间 金属层104及下金属层102,以在显示区域212形成导线216,上述导线216 具有下金属线102a、中间金属线104a以及上金属线106a。同时,也可以在 垫区域214形成接合垫218,上述接合垫218包括下金属垫102b、中间金属 垫104b及上金属垫106b,再者,接合垫218为锥形(tapered),且具平滑侧 壁。此时,也同时定义薄膜晶体管阵列的源极/漏极电极(图未显示)。然后, 剥除光致抗蚀剂图案108。请参照图3c,再次利用光刻工艺以在垫区域214形成作为蚀刻掩模的光 致抗蚀剂图案IIO,以保护接合垫218。接着,请参照图3c及图3d,利用湿蚀刻方式各向同性蚀刻中间金属线 104a,使中间金属线104a的宽度窄于上金属线106a的宽度,上述中间金属 线104a的宽度最好也窄于下金属线102a的宽度。在此「宽度」是指上、中 间、下金属线的底面宽度。湿蚀刻方式采用的蚀刻液最好对于例如铝的中间 金属线104a的蚀刻速度远大于对于上金属线106a及下金属线102a的蚀刻, 使得中间金属线104a由侧壁被蚀刻而内凹,但上金属线106a及下金属线 102a仅被微量蚀刻或不被蚀刻。在其他实施例中也可选4奪适当的反应气体, 使中间金属线与下(或上)金属线的蚀刻选择比大于10,进行干蚀刻。接着, 剥除光致抗蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种影像显示系统的制造方法,包括: 提供基板,其包括显示区域及垫区域; 依序形成下金属层、中间金属层、上金属层于该基板上; 各向异性蚀刻该上金属层、该中间金属层及该下金属层以在该显示区域形成导线,该导线具有下金属线、中间金 属线及上金属线;以及 各向同性蚀刻该中间金属线,以使该中间金属线的宽度窄于该上金属线的宽度及该下金属线的宽度。

【技术特征摘要】
US 2008-9-18 61/097,9211.一种影像显示系统的制造方法,包括提供基板,其包括显示区域及垫区域;依序形成下金属层、中间金属层、上金属层于该基板上;各向异性蚀刻该上金属层、该中间金属层及该下金属层以在该显示区域形成导线,该导线具有下金属线、中间金属线及上金属线;以及各向同性蚀刻该中间金属线,以使该中间金属线的宽度窄于该上金属线的宽度及该下金属线的宽度。2. 如权利要求1所述的影像显示系统的制造方法,在该各向异性蚀刻步骤,还包括同时在该垫区域形成接合垫,该接合垫包括下金属垫、中间金属垫及上金属垫,该接合垫为锥形,且具平滑侧壁;以及形成导电保护层于接合垫的上表面及侧壁上。3. 如权利要求1所述的影像显示系统的制造方法,在该各向异性蚀刻步骤,还包括同时在该垫区域形成接合垫,该接合垫包括下金属垫、中间金属垫及上金属垫,且在这些向性蚀刻的步骤,还包括同时蚀刻该中间金属垫,使得该中间金属垫的宽度窄于该上金属垫及该下金属垫的宽度。4. 如权利要求3所述的影像显示系统的制造方法,还包括在该显示区域及该垫区域形成光感平坦层;选择性在该垫区域对该光感平坦层曝光,以在该中间金属垫的侧壁及该上金属垫以及该下金属垫之间留下光感材料;以及在该上金属垫上形成导电保护层。5. 如权利要求3所述的影像显示系统的制造方法,还包括在该显示区域及该垫区域形成光感平坦层;利用光线透过具有半透光区及透光区的光掩模对该光感平坦层曝光;在该基板及该接合垫上留下光感材料,该光感材料具有开口,露出该上金属垫;以及在该上金属垫及该光...

【专利技术属性】
技术研发人员:林介文王之杰张圣文万德昌
申请(专利权)人:统宝光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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