【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力电子，具体而言，涉及一种压降测量电路及系统。
技术介绍
1、半导体器件(例如二极管)在用于整流桥等变换电路时，可以利用半导体器件(例如二极管)的单向导电性实现电路的开通或关断，器件在正向导通和反向截止状态之间快速切换。
2、当半导体器件承受正向电压时，其压降约在1v左右，而当其承受反向电压时，该电压可能为数十伏甚至更高，若直接测量半导体器件的两端电压，测量范围过大，存在正向压降测量精度差的技术问题。
3、针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种压降测量电路及系统，以至少解决由于半导体器件(例如二极管)在承受正向电压和承受反向电压时，电压差距较大，若直接测量器件的两端电压，测量范围过大，造成的正向压降的测量精度差的技术问题。
2、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种压降测量电路，包括：待测半导体器件、第一半导体器件、第二半导体器件、以及电压采样装置，其中，待测半导体器件与第一支路连接，其中，第一支路中包括第一半导体器件和第二半导体器件，且第一半导体器件的电流导通方向与第二半导体器件的电流导通方向相反；第一半导体器件的电流导通方向与待测半导体器件的电流导通方向一致；电压采样装置与第二半导体器件连接，用于测量待测半导体器件在导通状态下的正向压降。
3、可选地，待测半导体器件与第一支路并联，其中，在待测半导体器件为截止状态的情况下，第一半导体器件为截止状态，第二半导体器件为导通状态
4、可选地，在待测半导体器件为导通状态的情况下，第一半导体器件为导通状态，第二半导体器件为截止状态；在待测半导体器件为导通状态的情况下，待测半导体器件两端的电压小于第三电压阈值，在第一支路中，由第一半导体器件和第二半导体器件分担待测半导体器件两端的电压，且第一半导体器件的等效电阻小于第二半导体器件的等效电阻，即第一半导体器件两侧的电压小于第二半导体器件两侧的电压。
5、可选地，电压采样装置，用于测量在待测半导体器件为导通状态的情况下，第二半导体器件两侧的电压，并将第二半导体器件两侧的电压，确定为待测半导体器件的正向压降。
6、可选地，待测半导体器件为待测二极管，第一半导体器件为第一二极管，第二半导体器件为第二二极管，其中，第一二极管所能承受的电压大于第一电压阈值，第二二极管所能承受的电压小于第二电压阈值，第一电压阈值大于第二电压阈值。
7、可选地，第一支路中串联的第一二极管和第二二极管与待测二极管并联，其中，第一二极管的阴极与待测二极管的阴极连接，第一二极管的阳极与第二二极管的阳极连接；第二二极管的阴极与待测二极管的阳极连接。
8、可选地，第一二极管包括：肖特基二极管，第二二极管包括：快恢复二极管。
9、可选地，待测半导体器件为场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管；在待测半导体器件为场效应晶体管，第一半导体器件为第一二极管，第二半导体器件为第二二极管的情况下，第一支路中串联的第一二极管和第二二极管与场效应晶体管并联，其中，第一二极管的阴极与场效应晶体管的漏极连接，第一二极管的阳极与第二二极管的阳极连接，第二二极管的阴极与场效应晶体管的源极连接；电压采样装置，用于测量场效应晶体管中的反并联二极管的正向压降。
10、可选地，第一半导体器件和第二半导体器件为：场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管；在待测半导体器件为待测二极管，第一半导体器件为场效应晶体管，第二半导体器件为绝缘栅双极型晶体管的情况下，第一支路中串联的场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管与待测二极管并联，其中，场效应晶体管的漏极与待测二极管的阴极连接，场效应晶体管的源极与绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，绝缘栅双极型晶体管的集电极与待测二极管的阳极连接。
11、可选地，压降测量电路中还包括：处理器，其中，处理器，用于获取电压采样装置所采集的，待测半导体器件在同一电流的不同温度条件下对应的正向压降数据，并依据正向压降数据，确定待测半导体器件的工作结温。
12、根据本申请实施例的另一个方面，还提供了一种压降测量系统，包括：整流桥电路，整流桥电路中包含多个待测半导体器件，其中，每个待测半导体器件分别与一个第一支路连接，其中，第一支路中包括第一半导体器件和第二半导体器件，且第一半导体器件的电流导通方向与第二半导体器件的电流导通方向相反；第一半导体器件的电流导通方向与待测半导体器件的电流导通方向一致；每个第二半导体器件均与一个电压采样装置连接，电压采样装置用于测量整流桥电路中各个待测半导体器件在导通状态下的正向压降。
13、在本申请实施例中，采用包括待测半导体器件、第一半导体器件、第二半导体器件、以及电压采样装置的压降测量电路，其中，待测半导体器件与第一支路连接，其中，第一支路中包括第一半导体器件和第二半导体器件，且第一半导体器件的电流导通方向与第二半导体器件的电流导通方向相反；第一半导体器件的电流导通方向与待测半导体器件的电流导通方向一致；电压采样装置与第二半导体器件连接，用于测量待测半导体器件在导通状态下的正向压降，通过依据待测半导体器件的电压变化，改变第一半导体器件和第二半导体器件的导通与截止状态，达到了同步实现待测半导体器件截止时的高电压钳位和导通时的正向压降测量，提高测量精度的目的，进而解决了由于半导体器件(例如二极管)在承受正向电压和承受反向电压时，电压差距较大，若直接测量器件的两端电压，测量范围过大，造成的正向压降的测量精度差技术问题。
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1.一种压降测量电路，其特征在于，包括：待测半导体器件、第一半导体器件、第二半导体器件、以及电压采样装置，其中，
2.根据权利要求1所述的压降测量电路，其特征在于，待测半导体器件与第一支路并联，其中，
3.根据权利要求2所述的压降测量电路，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的压降测量电路，其特征在于，所述电压采样装置，用于测量在所述待测半导体器件为导通状态的情况下，所述第二半导体器件两侧的电压，并将所述第二半导体器件两侧的电压，确定为所述待测半导体器件的正向压降。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的压降测量电路，其特征在于，所述待测半导体器件为待测二极管，所述第一半导体器件为第一二极管，所述第二半导体器件为第二二极管，其中，所述第一二极管所能承受的电压大于第一电压阈值，所述第二二极管所能承受的电压小于第二电压阈值，所述第一电压阈值大于所述第二电压阈值。
6.根据权利要求5所述的压降测量电路，其特征在于，所述第一支路中串联的所述第一二极管和所述第二二极管与所述待测二极管并联，其中，
7.根据权利要求6所述
8.根据权利要求1至4中任意一项所述的压降测量电路，其特征在于，所述待测半导体器件为场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管；在所述待测半导体器件为场效应晶体管，所述第一半导体器件为第一二极管，所述第二半导体器件为第二二极管的情况下，
9.根据权利要求1至4中任意一项所述的压降测量电路，其特征在于，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件为：场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管；在所述待测半导体器件为待测二极管，所述第一半导体器件为场效应晶体管，所述第二半导体器件为绝缘栅双极型晶体管的情况下，
10.根据权利要求1所述的压降测量电路，其特征在于，所述压降测量电路中还包括：处理器，其中，
11.一种压降测量系统，其特征在于，包括：整流桥电路，所述整流桥电路中包含多个待测半导体器件，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种压降测量电路，其特征在于，包括：待测半导体器件、第一半导体器件、第二半导体器件、以及电压采样装置，其中，
2.根据权利要求1所述的压降测量电路，其特征在于，待测半导体器件与第一支路并联，其中，
3.根据权利要求2所述的压降测量电路，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的压降测量电路，其特征在于，所述电压采样装置，用于测量在所述待测半导体器件为导通状态的情况下，所述第二半导体器件两侧的电压，并将所述第二半导体器件两侧的电压，确定为所述待测半导体器件的正向压降。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的压降测量电路，其特征在于，所述待测半导体器件为待测二极管，所述第一半导体器件为第一二极管，所述第二半导体器件为第二二极管，其中，所述第一二极管所能承受的电压大于第一电压阈值，所述第二二极管所能承受的电压小于第二电压阈值，所述第一电压阈值大于所述第二电压阈值。
6.根据权利要求5所述的压降测量电路，其特征在于，所述第一支路中串联的所述第一二...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鼎奕，程功，刘博，王圣明，
申请(专利权)人：恒钧检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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