【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，涉及但不限于一种晶舟底座和半导体设备。
技术介绍
1、低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition，lpcvd)是在低压下，利用气态或蒸汽态的物质在晶圆表面，生成固态沉积物的过程。相关技术中，对于低压(low pressure，lp)炉管，在反应过程中保证加热腔室中的低压环境极为重要，压力会直接影响到晶圆表面薄膜生长的厚度和质量，所以保证盖体(cap)的水平、以及盖体与炉管设备加热腔连接处的密封性尤为关键。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种晶舟底座和半导体设备。
2、第一方面，本申请实施例提供一种晶舟底座，包括：
3、盖体，所述盖体的上表面用于承载晶舟；
4、固定板，位于所述盖体的正下方，至少用于固定所述盖体底部的多个螺丝；每一所述螺丝用于调节所述盖体上对应区域的高度；
5、检测装置，位于所述盖体与所述固定板之间，用于实时检测所述盖体上每一区域的实际高度；
6、控制机构，与所述检测装置连接，用于根据所述盖体上每一区域的实际高度，确定所述多个区域之间的实际高度的差值，并在所述多个区域之间的实际高度的差值大于设定值时，确定所述盖体上的目标待调节区域；
7、调节装置，与所述控制机构连接，用于对所述目标待调节区域底部的螺丝进行调节，以使得所述盖体处于水平状态。
8、在一些实施例中，所述调节装置包括：旋调机构和驱动机构；>
9、所述驱动机构与所述控制机构以及所述旋调机构连接，所述驱动机构用于在所述控制机构的控制下驱动所述旋调机构进行工作；
10、所述旋调机构用于调节所述目标待调节区域底部的螺丝的松紧。
11、在一些实施例中，所述检测装置包括多个伸缩探针；所述多个伸缩探针均匀间隔设置于所述盖体与所述固定板之间。
12、在一些实施例中，所述伸缩探针包括针杆和伸缩针头，所述针杆的一端固定在所述盖体或者所述固定板上，所述针杆的另一端与所述伸缩针头伸缩连接。
13、在一些实施例中，所述目标待调节区域包括所述盖体上的最高区域；
14、所述调节装置还用于对所述最高区域底部的螺丝旋转一次，以使得所述最高区域的高度下降。
15、在一些实施例中，所述目标待调节区域包括所述盖体上的最低区域；
16、所述调节装置还用于对所述最低区域底部的螺丝旋转一次，以使得所述最低区域的高度上升。
17、在一些实施例中，所述目标待调节区域包括所述盖体上的最高区域和最低区域；
18、所述调节装置还用于同时对所述最高区域底部的螺丝和所述最低区域底部的螺丝沿不同的方向旋转一次，以使得所述最高区域的高度下降、所述最低区域的高度上升。
19、第二方面，本申请实施例提供一种半导体设备，所述半导体设备包括上述实施例中任一项所述的晶舟底座。
20、在一些实施例中，所述半导体设备包括低压半导体设备。
21、在一些实施例中，所述低压半导体设备包括低压化学气相沉积设备。
22、本申请实施例提供一种晶舟底座和半导体设备，其中，晶舟底座包括：盖体，盖体的上表面用于承载晶舟；固定板，位于盖体的正下方，至少用于固定盖体底部的多个螺丝；每一螺丝用于调节盖体上对应区域的高度；检测装置，位于盖体与固定板之间，用于实时检测盖体上每一区域的实际高度；控制机构，与检测装置连接，用于根据盖体上每一区域的实际高度，确定多个区域之间的实际高度的差值，并在多个区域之间的实际高度的差值大于设定值时，确定盖体上的目标待调节区域；调节装置，与控制机构连接，用于对目标待调节区域底部的螺丝进行调节，以使得盖体处于水平状态。由于晶舟底座包括检测装置和调节装置，这样，可以通过检测装置对盖体的水平状态进行实时的检测，并通过调节装置对盖体的水平状态进行实时调整，从而使得盖体处于水平状态，进而提高了晶舟底座与炉管设备加热腔连接处的密封性，有利于薄膜的生长质量。
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1.一种晶舟底座，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶舟底座，其特征在于，所述调节装置包括：旋调机构和驱动机构；
3.根据权利要求1或2所述的晶舟底座，其特征在于，所述检测装置包括多个伸缩探针；所述多个伸缩探针均匀间隔设置于所述盖体与所述固定板之间。
4.根据权利要求3所述的晶舟底座，其特征在于，所述伸缩探针包括针杆和伸缩针头，所述针杆的一端固定在所述盖体或者所述固定板上，所述针杆的另一端与所述伸缩针头伸缩连接。
5.根据权利要求1所述的晶舟底座，其特征在于，所述目标待调节区域包括所述盖体上的最高区域；
6.根据权利要求1所述的晶舟底座，其特征在于，所述目标待调节区域包括所述盖体上的最低区域；
7.根据权利要求1所述的晶舟底座，其特征在于，所述目标待调节区域包括所述盖体上的最高区域和最低区域；
8.一种半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括权利要求1-7中任一项所述的晶舟底座。
9.根据权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括低压半导体设备。
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