System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种太阳能电池制造技术_技高网

一种太阳能电池制造技术

技术编号:42575565 阅读:9 留言:0更新日期:2024-08-29 00:39
本发明专利技术提供了一种太阳能电池。所述太阳能电池包括:吸光层,用于吸收光子,并产生电子空穴对;空穴传输层,包括自组装单分子层及锚定层,其中,所述空穴传输层设于所述吸光层下方,用于将所述电子空穴对中的空穴,经由所述自组装单分子层传输到所述空穴传输层下方的基底层,所述锚定层设有至少一种图案;以及电子传输层,设于所述吸光层上方,用于将所述电子空穴对中的所述电子传输到所述电子传输层的上方的阴电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新能源,尤其涉及一种太阳能电池


技术介绍

1、随着太阳能电池技术的发展,反式结构的钙钛矿太阳能电池因其较小的迟滞效应,更好的光学吸收等优势,在单结和叠层中具有更好的使用前景。现有的反式结构的钙钛矿太阳能电池中,由钙钛矿材料作为吸光层,自组装单分子层作为完整传输层。由于自组装单分子层在钙钛矿中无法设计图案化,使载流子在界面复合概率增加。

2、现有技术中,通常通过氧化铝纳米颗粒尺寸的不同生长方式,设计出多孔绝缘(pic)接触结构,从而降低载流子在界面复合的概率。然而,由于其自身的空穴抽取能力较低,导致其在该反式结构的钙钛矿太阳能电池中,并不能达到相应的效果。

3、为了克服现有技术存在的上述缺陷,本领域亟需一种太阳能电池技术,用于实现部分接触传输的钝化,从而减少载流子在界面处的损失,以提升太阳能电池的光电转换效率。


技术实现思路

1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览,并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

2、为了克服现有技术存在的上述缺陷,本专利技术提供一种太阳能电池,能够实现部分接触传输的钝化,从而减少载流子在界面处的损失,以提升太阳能电池的光电转换效率。

3、具体来说,根据本专利技术第一方面提供的太阳能电池包括:吸光层,用于吸收光子,并产生电子空穴对;空穴传输层,包括自组装单分子层及锚定层,其中,所述空穴传输层设于所述吸光层下方,用于将所述电子空穴对中的空穴,经由所述自组装单分子层传输到所述空穴传输层下方的基底层,所述锚定层设有至少一种图案;以及电子传输层,设于所述吸光层上方,用于将所述电子空穴对中的所述电子传输到所述电子传输层的上方的阴电极。

4、进一步地,在本专利技术的一些实施例中,所述锚定层的图案通过纳米晶的团簇生长形成。

5、进一步地,在本专利技术的一些实施例中,所述纳米晶的团簇生长步骤包括:将al2o3纳米晶的异丙醇溶液旋涂在所述基底层上;依次对所述基底层进行加热和退火,以形成第一锚定层;将2pacz的异丙醇溶液旋涂在所述第一锚定层上;以及依次对所述第一锚定层进行加热和退火,以形成设于所述锚定层的图案。

6、进一步地,在本专利技术的一些实施例中,所述al2o3纳米晶的异丙醇的浓度为1.5mg/ml。所述al2o3纳米晶的半径为100nm。所述2pacz的异丙醇溶液的浓度为1mmol/l。对所述基底层及所述第一锚定层的加热温度为100℃。所述退火时间为10min~30min。

7、进一步地,在本专利技术的一些实施例中,所述基底层包括fto玻璃和/或ito玻璃。

8、进一步地,在本专利技术的一些实施例中,所述锚定层包括ito、izo、iwo、fto、ico、azo、bzo、纳米晶硅、tio2,sno2、niox及alox中的至少一者。

9、进一步地,在本专利技术的一些实施例中,所述基底层还包括第二吸光层。所述第二吸光层包括晶体硅、钙钛矿、cdte、cigs及gaas材料中的至少一者。

10、进一步地,在本专利技术的一些实施例中,所述自组装单分子层包括[2-(9h-咔唑-9-基)乙基]膦酸、[2-(3,6-二甲氧基-9h-咔唑-9-基)乙基]膦酸、[4-(3,6-二甲基-9h-咔唑-9-基)丁基]膦酸、苯甲酸及4-[双(2,4-二甲氧基联苯-4-基)氨基]-联苯-4-羧酸中的至少一者。

11、进一步地,在本专利技术的一些实施例中,所述吸光层采用钙钛矿材料。所述钙钛矿材料为三维结构abx3。所述a为一价阳离子。所述b为二价阳离子。所述x为一价阴离子。

12、进一步地,在本专利技术的一些实施例中,所述钙钛矿材料经由刮刀涂布法、狭缝涂布法、丝网印刷法、喷墨打印法中的至少一者,涂覆于所述自组装单分子层,其厚度为10nm~100μm,带隙为0.9ev~3.0ev。

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【技术保护点】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述锚定层的图案通过纳米晶的团簇生长形成。

3.如权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述纳米晶的团簇生长步骤包括:

4.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述Al2O3纳米晶的异丙醇的浓度为1.5mg/ml,所述Al2O3纳米晶的半径为100nm,所述2PACz的异丙醇溶液的浓度为1mmol/L,对所述基底层及所述第一锚定层的加热温度为100℃,所述退火时间为10min~30min。

5.如权利要求1~4中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底层包括FTO玻璃和/或ITO玻璃。

6.如权利要求1~4中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述锚定层包括ITO、IZO、IWO、FTO、ICO、AZO、BZO、纳米晶硅、TiO2,SnO2、NiOx及AlOx中的至少一者。

7.如权利要求5中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底层还包括第二吸光层,所述第二吸光层包括晶体硅、钙钛矿、CdTe、CIGS及GaAs材料中的至少一者。

8.如权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述自组装单分子层包括[2-(9H-咔唑-9-基)乙基]膦酸、[2-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑-9-基)乙基]膦酸、[4-(3,6-二甲基-9H-咔唑-9-基)丁基]膦酸、苯甲酸及4-[双(2,4-二甲氧基联苯-4-基)氨基]-联苯-4-羧酸中的至少一者。

9.如权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,所述吸光层采用钙钛矿材料,其中,所述钙钛矿材料为三维结构ABX3,所述A为一价阳离子,所述B为二价阳离子,所述X为一价阴离子。

10.如权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿材料经由刮刀涂布法、狭缝涂布法、丝网印刷法、喷墨打印法中的至少一者,涂覆于所述自组装单分子层,其厚度为10nm~100μm,其带隙为0.9eV~3.0eV。

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述锚定层的图案通过纳米晶的团簇生长形成。

3.如权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述纳米晶的团簇生长步骤包括:

4.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述al2o3纳米晶的异丙醇的浓度为1.5mg/ml,所述al2o3纳米晶的半径为100nm,所述2pacz的异丙醇溶液的浓度为1mmol/l,对所述基底层及所述第一锚定层的加热温度为100℃,所述退火时间为10min~30min。

5.如权利要求1~4中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底层包括fto玻璃和/或ito玻璃。

6.如权利要求1~4中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述锚定层包括ito、izo、iwo、fto、ico、azo、bzo、纳米晶硅、tio2,sno2、niox及alox中的至少一者。

7.如权利要求5中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱长淮李红江张学玲
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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