【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种传片调度、腔室清洁方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、在芯片制造中，薄膜层是制作集成电路的功能材料层，因此，对薄膜沉积技术提出了更高的要求。为保证晶圆沉积薄膜的质量，在晶圆加工过程中，需要避免晶圆在机械手上长时间停留。
2、为避免晶圆在机械手上长时间停留，当前半导体薄膜沉积设备主要通过将腔室设置为拉取(pull)调度模式来实现。pull调度模式，如图1所示，先从腔室pmn取出已完成工艺的晶圆b，然后将腔室pmn-1中已完成工艺的晶圆a取出并放入腔室pmn。其中，当晶圆a在pmn-1完成工艺后，若pmn被晶圆b占用，机械手不会取出晶圆a，而是等待pmn空闲即晶圆b被取出后，晶圆a才会被机械手从pmn-1取出放入pmn，因此晶圆a不会长时间在机械手上停留。
3、但如果在晶圆a的传片过程中，pmn空闲时间满足了清洁条件，则pmn会立刻执行清洁动作，导致已经从pmn-1取出的晶圆a在机械手上长时间停留，等待pmn的清洁动作执行完成后才能放到pmn，从而严重损害晶圆上沉积薄膜的质量。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种传片调度、腔室清洁方法及半导体工艺设备，以解决相关技术中pull调度模式下晶圆在机械手上长时间停留，严重损害晶圆上沉积薄膜的质量的问题。
2、为实现上述目的，本申请实施例采用下述技术方案：
3、第一方面，本申请实施例提供一种传片调度方法，包括：晶圆在当前腔室完成工艺，且确定下一步工艺需到
4、第二方面，本申请实施例提供一种腔室清洁方法，包括：接收针对目标腔室的延迟清洁指令，所述延迟清洁指令为执行晶圆从当前腔室至所述目标腔室的传片过程前发送的；根据所述延迟清洁指令，在所述传片过程结束后对所述目标腔室进行延迟清洁。
5、第三方面，本申请实施例提供一种半导体工艺设备，包括：多个工艺腔室、传输装置和控制器，所述传输装置用于在所述控制器的控制下执行晶圆在不同所述工艺腔室之间的传片过程，所述控制器包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如本申请第一方面所述方法的步骤，或者实现如本申请第二方面所述方法的步骤。
6、本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
7、本申请实施例在对晶圆进行传片调度时，晶圆在当前腔室完成工艺，且确定下一步工艺需到达的目标腔室空闲后，发送针对目标腔室的延迟清洁指令，延迟清洁指令用于指示在晶圆从当前腔室至目标腔室的传片过程结束后，对目标腔室进行延迟清洁，执行晶圆从当前腔室至目标腔室的传片过程。本申请实施例在执行传片过程前，发送延迟清洁指令，以将对目标腔室的清洁操作延迟至传片过程结束后，保证了在传片过程结束前不会因目标腔室需要清洁，而导致晶圆在机械手上长时间停留，保证了晶圆上沉积薄膜的质量。
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1.一种传片调度方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述执行所述晶圆从所述当前腔室至所述目标腔室的传片过程，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述延迟清洁指令中包括延迟时间，所述延迟时间大于所述延迟清洁指令发送到所述传片过程结束的时间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传片过程结束之后，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
6.一种腔室清洁方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述延迟清洁指令中包括延迟时间，所述延迟时间大于所述延迟清洁指令发送到所述传片过程结束的时间；
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述延迟清洁指令，在所述传片过程结束后对所述目标腔室进行延迟清洁，包括：
10.根据权利要求7或9所述的方法，其特征在于，所述判断所述目标腔室是否满足清洁条件，包括：
11.一种半
...【技术特征摘要】
1.一种传片调度方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述执行所述晶圆从所述当前腔室至所述目标腔室的传片过程，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述延迟清洁指令中包括延迟时间，所述延迟时间大于所述延迟清洁指令发送到所述传片过程结束的时间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传片过程结束之后，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
6.一种腔室清洁方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述延迟清洁指令中包括延迟时间，所述延迟时间大于所述延迟清洁指令发送到所述传片过程结束的时间；
<...【专利技术属性】
技术研发人员：薛茹月，刘学庆，相会凤，许晓康，张茜，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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