【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工设备，特别涉及一种供气装置和包括该供气装置的气相沉积设备。
技术介绍
1、气相反应腔体是半导体器件制程中至关重要的腔室，其中气相反应装置的开口腔体是由气体带入反应物及建立流场的反应腔体。例如，在晶圆上生长外延层就是通过在开口腔体中由气体带入反应物，反应物在晶圆表面外延生长特定的单晶薄膜。例如在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层得到的碳化硅同质外延片可进一步制成肖特基二极管、mosfet、igbt等功率器件。器件的设计对外延的质量性能要求高，同时外延的质量也受到衬底加工工艺的影响。
2、对于通过层流气体进行气相反应生长外延层材料的工艺而言，对层流稳定性的控制是影响气相反应的重要因素。为提高产能，通常在反应腔内平铺放置多片大尺寸衬底(例如8寸，12寸)同时进行沉积反应，因此要求开口腔体的体积足够大。开口腔体的体积越大，层流沿衬底径向的流动就越容易发生沿衬底轴向的扩散，从而越难达到大尺寸衬底的反应要求，因此会影响生长的外延层的均匀性和单晶薄膜的质量。由此造成外延生长的良率降低，生产效率降低。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中气相反应装置存在的上述缺陷，本技术提供一种供气装置和包含所述供气装置的气相沉积设备，以解决上述一个或多个问题。
2、为了达到上述目的，本技术提供的所述供气装置，其包括：
3、盖体；
4、反应进气装置，沿所述盖体的轴向贯穿所述盖体设置，所述反应进气装置的出气面设置为引导工艺气体形成沿所述盖体的径向的层流
5、至少2个辅助进气装置，围绕所述反应进气装置间隔设置于所述盖体，各所述辅助进气装置的出气面与所述反应进气装置的出气面位于所述盖体的同一侧以提供朝向所述层流流动的辅助气体流。
6、本技术实施例还提供了一种气相沉积设备，包括开口腔体、载片装置以及上述供气装置，所述供气装置设于所述开口腔体顶部以与所述开口腔体形成密闭空间，所述载片装置与所述供气装置沿所述开口腔体的轴向相对设置。
7、本技术的所述供气装置和所述气相沉积设备的有益效果均在于：反应进气装置沿所述盖体轴向贯穿所述盖体设置，所述反应进气装置的出气面设置为能够引导工艺气体形成沿所述盖体径向的层流，至少2个辅助进气装置，围绕所述反应进气装置间隔设置于所述盖体，各所述辅助进气装置的出气面与所述反应进气装置的出气面位于所述盖体的同一侧以提供朝向所述层流流动的辅助气体流，该辅助气体流能够抑制形成层流的工艺气体向远离衬底的方向扩散，使得工艺气体集中在衬底表面附近，以利于提高衬底表面成膜均匀性和成膜质量。
8、可选地，所述盖体设置有盖体贯通口，所述辅助进气装置可拆卸设于所述盖体贯通口以相对所述盖体升降调节。
9、可选地，所述辅助进气装置包括喷淋孔板、升降装置和两端开口的中空弹性件，所述中空弹性件的一端跨所述盖体贯通口密封设置于所述盖体顶面且另一端固定设置所述喷淋孔板，使所述喷淋孔板经所述中空弹性件内部与所述盖体贯通口相通，所述升降装置一端围设于所述喷淋孔板侧壁，另一端围绕所述中空弹性件设于所述盖体顶面。
10、可选地，所述中空弹性件包括波纹管。
11、可选地，所述辅助进气装置包括喷淋孔板、导气盖板和两端开口的中空转接件，所述中空转接件顶部跨所述盖体贯通口设于所述盖体底面，所述导气盖板跨所述盖体贯通口密封设于所述盖体顶面，所述喷淋孔板以高度可调的方式悬设于所述中空转接件内。
12、可选地，所述至少2个辅助进气装置围绕所述反应进气装置呈环形阵列排布。
13、可选地，所述反应进气装置包括进气本体、进气通道以及内加热装置，所述进气本体沿所述盖体轴向贯穿所述盖体，所述进气通道沿所述进气本体的轴向贯穿所述进气本体，所述内加热装置围绕所述进气通道设于所述进气本体内。
14、可选地，所述内加热装置的数目至少为2，并沿所述进气通道的轴向顺次排列。
15、可选地，所述内加热装置和所述进气通道之间还设有隔热装置，所述隔热装置围绕所述进气通道。
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1.一种供气装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的供气装置，其特征在于，所述盖体设置有盖体贯通口，所述辅助进气装置可拆卸设于所述盖体贯通口以相对所述盖体升降调节。
3.根据权利要求2所述的供气装置，其特征在于，所述辅助进气装置包括喷淋孔板、升降装置和两端开口的中空弹性件，所述中空弹性件的一端跨所述盖体贯通口密封设置于所述盖体顶面且另一端固定设置所述喷淋孔板，使所述喷淋孔板经所述中空弹性件内部与所述盖体贯通口相通，所述升降装置一端围设于所述喷淋孔板侧壁，另一端围绕所述中空弹性件设于所述盖体顶面。
4.根据权利要求3所述的供气装置，其特征在于，所述中空弹性件包括波纹管。
5.根据权利要求2所述的供气装置，其特征在于，所述辅助进气装置包括喷淋孔板、导气盖板和两端开口的中空转接件，所述中空转接件顶部跨所述盖体贯通口设于所述盖体底面，所述导气盖板跨所述盖体贯通口密封设于所述盖体顶面，所述喷淋孔板以高度可调的方式悬设于所述中空转接件内。
6.根据权利要求1所述的供气装置，其特征在于，所述至少2个辅助进气装置围绕所述反应进
7.根据权利要求1所述的供气装置，其特征在于，所述反应进气装置包括进气本体、进气通道以及内加热装置，所述进气本体沿所述盖体轴向贯穿所述盖体，所述进气通道沿所述进气本体的轴向贯穿所述进气本体，所述内加热装置围绕所述进气通道设于所述进气本体内。
8.根据权利要求7所述的供气装置，其特征在于，所述内加热装置的数目至少为2，并沿所述进气通道的轴向顺次排列。
9.根据权利要求8所述的供气装置，其特征在于，所述内加热装置和所述进气通道之间还设有隔热装置，所述隔热装置围绕所述进气通道。
10.一种气相沉积设备，其特征在于，包括开口腔体、载片装置以及如权利要求1～9中任意一项所述的供气装置，所述供气装置设于所述开口腔体顶部以与所述开口腔体形成密闭空间，所述载片装置与所述供气装置沿所述开口腔体的轴向相对设置。
...【技术特征摘要】
1.一种供气装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的供气装置，其特征在于，所述盖体设置有盖体贯通口，所述辅助进气装置可拆卸设于所述盖体贯通口以相对所述盖体升降调节。
3.根据权利要求2所述的供气装置，其特征在于，所述辅助进气装置包括喷淋孔板、升降装置和两端开口的中空弹性件，所述中空弹性件的一端跨所述盖体贯通口密封设置于所述盖体顶面且另一端固定设置所述喷淋孔板，使所述喷淋孔板经所述中空弹性件内部与所述盖体贯通口相通，所述升降装置一端围设于所述喷淋孔板侧壁，另一端围绕所述中空弹性件设于所述盖体顶面。
4.根据权利要求3所述的供气装置，其特征在于，所述中空弹性件包括波纹管。
5.根据权利要求2所述的供气装置，其特征在于，所述辅助进气装置包括喷淋孔板、导气盖板和两端开口的中空转接件，所述中空转接件顶部跨所述盖体贯通口设于所述盖体底面，所述导气盖板跨所述盖体贯通口密封设于所述盖体顶面，所述喷淋孔板以高度可调的方式悬设于所述中...
【专利技术属性】
技术研发人员：巩前程，
申请(专利权)人：楚赟精工科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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