【技术实现步骤摘要】
本公开涉及高分子材料，特别涉及一种紫外线光刻胶用树脂及其制备方法，更特别涉及一种紫外线光刻胶用树脂主体，为一种可应用在i线、g线和i/g混线多种光刻的高分子树脂。
技术介绍
1、紫外光刻技术不仅是芯片本身加工制备过程中产生微米级或纳米级图形的图形化核心技术，也广泛应用于芯片封装中的端接键合工艺。
2、光刻技术的快速发展，离不开高分子材料——光刻胶树脂；以及光化学原理——光引发剂的应用等材料端的多年积累。丙烯酸酯体系是光刻胶中种类最多、使用量最大的一个体系，最初主要用于印制线路板(pcb)上图形制作的感光覆盖膜。
3、(甲基)丙烯酸(酯)共聚物，以及其接枝改性聚合物在芯片封装工艺中也应有着非常广泛的应用前景。由于芯片端接键合的某些工艺需要一定长度的导电凸点，而这些凸点的制作可以采用厚涂布的光刻胶光刻显影后得到一定深度的通孔，再采用电镀工艺在“深的”通孔中填满铜、镍或硒银等金属，最后去除厚的光刻胶，得到导电凸点。
4、这些工艺对光刻胶性能的要求非常高，首先是厚度要求(通常超过100微米)：如此厚的光刻胶涂布、曝光、显影，对光刻胶的均一性、透光率和碱溶性有着非常高的要求，尤其是透光率，目前只有(甲基)丙烯酸(酯)聚合物或丙烯酸(酯)体系可以达到要求，光源穿过聚合物直达底部、加上光刻胶的均一性和良好的碱溶性，可以得到形貌优异的通孔；其次是在后续电镀工艺中，光刻胶不仅能耐受电镀药水侵蚀、电镀温度；还要耐受凸点“成长”过程中对光刻胶产生的挤压，依旧保持优异的形貌。若耐不住电镀药水的侵蚀，容易产生药水渗透而
5、以上导致现有技术存在的问题是：(甲基)丙烯酸(酯)体系光刻胶应用在芯片封装领域，尤其是凸点制作过程中很容易发生的不良现象，亟待解决。
技术实现思路
1、本公开是鉴于上述技术问题而进行的，其目的在于，在芯片封装制作键合凸点的工艺中，有一款涂布厚度可以大于100微米，性能均一稳定，光刻通孔形貌优异；并且在后续的电镀过程中，不会发生开裂、渗镀、通孔形态保持良好的厚膜光刻胶，以满足封装工艺使用。
2、为此，本公开的第一方面提供紫外线光刻胶用树脂，其具有下式i所示的结构：
3、
4、其中：
5、r1、r3、r4各自独立地为h原子或甲基，优选甲基；
6、r2选自下组中的至少一种：甲基、乙基、正丁基、叔丁基、异冰片基、双环戊二烯基、缩水甘油基；
7、l为15-350，优选25-300；
8、n为0.1-0.9，优选0.3-0.7；
9、m为0.02-0.5，优选0.1-0.4；
10、p为0.02-0.5，优选0.2-0.3；
11、n+m+p＝1。
12、本公开的第二方面提供紫外线光刻胶用树脂，其具有下式ii所示的结构：
13、
14、其中：
15、r5、r7、r8各自独立地为h原子或甲基，优选甲基；
16、r6选自下组中的至少一种：甲基、乙基、正丁基、叔丁基、异冰片基、双环戊二烯基、缩水甘油基；
17、l’为15-350，优选25-300；
18、n’为0.1-0.9，优选0.3-0.7；
19、m’为0.02-0.5，优选0.1-0.4；
20、p’为0.02-0.5，优选0.2-0.3；
21、n’+m’+p’＝1。
22、本公开的第三方面提供紫外线光刻胶用树脂，其具有下式iii所示的结构：
23、
24、其中：
25、r9、r11、r12、r13各自独立地为h原子或甲基，优选甲基；
26、r10选自下组中的至少一种：甲基、乙基、正丁基、叔丁基、异冰片基、双环戊二烯基、缩水甘油基；
27、l”为15-350，优选25-300；
28、n”为0.1-0.9，优选0.3-0.7；
29、m”为0.02-0.5，优选0.05-0.4；
30、p”为0.02-0.2，优选0.05-0.1；
31、q”为0.02-0.3，优选0.1-0.2；
32、n”+m”+p”+q”＝1。
33、本公开的第四方面提供用于制备根据上述第一至第三方面中任一项所述的紫外线光刻胶用树脂的方法，其包括：
34、(1)使(甲基)丙烯酸与至少一种选自下组的单体共聚，以得到共聚物：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸双环戊二烯酯；和
35、(2)将4-异丙烯基苯酚接枝到所述步骤(1)得到的共聚物上，以得到所述紫外线光刻胶用树脂。
36、在一种实施方案中，所述的方法包括：
37、(1)使(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯与至少一种选自下组的单体共聚，以得到共聚物：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸双环戊二烯酯；和
38、(2)将4-异丙烯基苯酚接枝到所述步骤(1)得到的共聚物上，以得到所述紫外线光刻胶用树脂。
39、本公开的第五方面提供i线、g线、i/g混线光刻胶，其包含根据上述第一至第三方面中任一项所述的紫外线光刻胶用树脂或通过根据上述第四方面所述的方法制备得到的紫外线光刻胶用树脂。
40、本公开的第六方面提供根据上述第一至第三方面中任一项所述的紫外线光刻胶用树脂或通过根据上述第四方面所述的方法制备得到的紫外线光刻胶用树脂在制备i线、g线、i/g混线光刻胶中的用途。
41、有益技术效果：
42、与以往的诸多厚膜光刻胶专利相比，本公开为了彻底解决实际工艺中遇到的问题，开发一款性能优异的厚膜光刻胶，合成了一款(甲基)丙烯酸(酯)共聚物，并采用侧链接枝烯基苯酚衍生物(即4-异丙烯基苯酚)的结构，不仅实现了聚合物均一性的控制，也实现了双键的光交联，以及足够的碱显影能力。
43、最关键的是，由于4-异丙烯基苯酚的侧链接枝，使得乙烯基光交联后交联点之间的架桥具有苯环支撑，因此，电镀过程中的光刻胶主树脂具有极好的刚性和更高的玻璃化转变温度，不仅能够抵抗电镀药水的侵蚀和电镀温度，而且足以抵抗电镀过程中金属“生长”的力的挤压，从而彻底解决封装工艺过程中的开裂和渗镀问题。
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1.紫外线光刻胶用树脂，其具有下式I所示的结构：
2.紫外线光刻胶用树脂，其具有下式II所示的结构：
3.紫外线光刻胶用树脂，其具有下式III所示的结构：
4.用于制备根据权利要求1-3中任一项所述的紫外线光刻胶用树脂的方法，其包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其包括：
6.i线、g线、i/g混线光刻胶，其包含根据权利要求1-3中任一项所述的紫外线光刻胶用树脂或通过根据权利要求4或5所述的方法制备得到的紫外线光刻胶用树脂。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的紫外线光刻胶用树脂或通过根据权利要求4或5所述的方法制备得到的紫外线光刻胶用树脂在制备i线、g线、i/g混线光刻胶中的用途。
【技术特征摘要】
1.紫外线光刻胶用树脂，其具有下式i所示的结构：
2.紫外线光刻胶用树脂，其具有下式ii所示的结构：
3.紫外线光刻胶用树脂，其具有下式iii所示的结构：
4.用于制备根据权利要求1-3中任一项所述的紫外线光刻胶用树脂的方法，其包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：上海极紫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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