【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种高介电性能电子陶瓷及其制备方法。
技术介绍
1、传统的电子陶瓷材料由于介电常数不高在应用方面受到限制。近年来，随着压电电声器件向着小型化、薄型化方向发展，需要电子陶瓷材料具有更高的介电常数以及更低的介电损耗。
技术实现思路
1、专利技术目的：针对上述技术问题，本专利技术提出了一种高介电性能电子陶瓷及其制备方法。
2、所采用的技术方案如下：
3、一种高介电性能电子陶瓷，其化学组成包括：
4、pb(zrxti1-x)(mgyw1-y)(sczta1-z)o3-αwt%ba(alqsb1-q)o3-βwt%bi4ti3o12
5、x、y、z、q为原子百分比；
6、α和β分别代表ba(alqsb1-q)o3和bi4ti3o12占整体电子陶瓷的质量百分比；
7、x为0.4-0.6，y为0.4-0.6，z为0.4-0.6，q为0.4-0.6；
8、α为5-10，β为0.1-1。
9、进一步地，x为0.45-0.55，y为0.45-0.55，z为0.45-0.55，q为0.45-0.55。
10、进一步地，x为0.48，y为0.5，z为0.5，q为0.5。
11、进一步地，α为6-8，β为0.4-0.8。
12、进一步地，α为6.5，β为0.5。
13、本专利技术还提供了一种高介电性能电子陶瓷的制备方法：
...【技术保护点】
1.一种高介电性能电子陶瓷，其特征在于，其化学组成包括：
2.如权利要求1所述的高介电性能电子陶瓷，其特征在于，x为0.45-0.55，y为0.45-0.55，z为0.45-0.55，q为0.45-0.55。
3.如权利要求1所述的高介电性能电子陶瓷，其特征在于，x为0.48，y为0.5，z为0.5，q为0.5。
4.如权利要求1所述的高介电性能电子陶瓷，其特征在于，α为6-8，β为0.4-0.8。
5.如权利要求1所述的高介电性能电子陶瓷，其特征在于，α为6.5，β为0.5。
6.一种如权利要求1-5中任一项所述的高介电性能电子陶瓷的制备方法，其特征在于，将Pb3O4、ZrO2、TiO2、MgO、WO3、Sc2O3、Ta2O5、BaCO3、Al2O3、Sb2O3和Bi4Ti3O12混合球磨后干燥，预压制成生片后预烧，预烧产物破碎后再次球磨并干燥，所得粉体加入粘结剂造粒，压制成坯体，将坯体置于烧结炉中先一段升温至550-650℃保温排胶1-3h，再二段升温至1150-1300℃保温烧结2-4h即可。
7.如权
8.如权利要求6所述的高介电性能电子陶瓷的制备方法，其特征在于，所述粘结剂为聚乙烯醇和/或聚乙烯醇缩丁醛。
9.如权利要求6所述的高介电性能电子陶瓷的制备方法，其特征在于，烧结在氧气气氛下进行。
10.如权利要求6所述的高介电性能电子陶瓷的制备方法，其特征在于，一段升温的速度为0.5-20℃/min，二段升温的速度为0.5-20℃/min。
...【技术特征摘要】
1.一种高介电性能电子陶瓷，其特征在于，其化学组成包括：
2.如权利要求1所述的高介电性能电子陶瓷，其特征在于，x为0.45-0.55，y为0.45-0.55，z为0.45-0.55，q为0.45-0.55。
3.如权利要求1所述的高介电性能电子陶瓷，其特征在于，x为0.48，y为0.5，z为0.5，q为0.5。
4.如权利要求1所述的高介电性能电子陶瓷，其特征在于，α为6-8，β为0.4-0.8。
5.如权利要求1所述的高介电性能电子陶瓷，其特征在于，α为6.5，β为0.5。
6.一种如权利要求1-5中任一项所述的高介电性能电子陶瓷的制备方法，其特征在于，将pb3o4、zro2、tio2、mgo、wo3、sc2o3、ta2o5、baco3、al2o3、sb2o3和bi4...
【专利技术属性】
技术研发人员：周淑英，曹建辉，刘平，谭燕飞，陈奕，
申请(专利权)人：湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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