【技术实现步骤摘要】
本申请总体上涉及半导体器件，更具体地，涉及一种半导体封装及其制造方法。
技术介绍
1、半导体行业不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品更小、更快、性能更高，并且将越来越多的功能封装到单个器件中。其中一种解决方案是含天线封装(aip：antenna-in-package)。aip是将半导体系统和天线集成到一个封装中的功能性电子系统或子系统。
2、本专利技术提供了一种具有改进的空间利用和减小的厚度的新型aip结构。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种具有改进的空间利用和减小的厚度的半导体封装。
2、根据本申请的一个方面，提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：封装基板，所述封装基板包括：第一部分，包括在其中延伸的第一导电图形，其中所述封装基板的第一部分具有第一厚度；和第二部分，包括在其中延伸的第二导电图形，其中所述封装基板的第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度；至少一个电子部件，所述至少一个电子部件安装在所述封装基板的第二部分上并电耦合到所述第二导电图形；密封层，所述密封层形成在所述封装基板的第二部分上并覆盖所述至少一个电子部件，其中所述密封层包括空腔区域；连接器组件，所述连接器组件形成在所述密封层的空腔区域内并电耦合到所述第二导电图形，其中所述连接器组件从所述密封层暴露以允许与外部器件电连接；和部分屏蔽层，所述部分屏蔽层至少形成在所述密封层的空腔区域以外的区域上。
3、根据本申请的另一方面，提供了一种形成半导体封装的方法。该方
4、应当理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对本专利技术的限制。此外，并入并构成本说明书一部分的附图示出了本专利技术的实施例并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
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1.一种半导体封装，其特征在于，所述半导体封装包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述至少一个电子部件的顶表面低于所述封装基板的第一部分的顶表面。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述密封层使用台阶模塑工艺形成。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述封装基板由多层结构形成，所述多层结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，通过去除所述多层结构的一部分来形成所述封装基板的第二部分。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述空腔区域包括通孔，所述通孔穿过所述空腔区域直到所述封装基板的第二部分，并且所述连接器组件包括安装在所述通孔中并电耦合到所述第二导电图形的至少一个焊球。
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，使用激光消融形成所述通孔。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述半导体封装还包括电耦合到所述第二导电图形的电子条连接器。
9.根据权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述连
10.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述封装基板是一体式结构。
11.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述封装基板为非一体式结构，并且所述第一部分附接并电耦合到所述第二部分。
12.一种用于形成半导体封装的方法，其特征在于，所述方法包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述至少一个电子部件的顶表面低于所述封装基板的第一部分的顶表面。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述密封层使用台阶模塑工艺形成以形成所述空腔区域。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，将连接器组件安装在所述密封层的空腔区域内包括：
17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，使用激光消融形成所述通孔。
18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将连接器组件安装在所述密封层的空腔区域内包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，将连接器组件安装在所述密封层的空腔区域内包括：
20.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述封装基板由多层结构形成，所述多层结构包括：
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述封装基板通过以下步骤形成：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其特征在于，所述半导体封装包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述至少一个电子部件的顶表面低于所述封装基板的第一部分的顶表面。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述密封层使用台阶模塑工艺形成。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述封装基板由多层结构形成，所述多层结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，通过去除所述多层结构的一部分来形成所述封装基板的第二部分。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述空腔区域包括通孔，所述通孔穿过所述空腔区域直到所述封装基板的第二部分，并且所述连接器组件包括安装在所述通孔中并电耦合到所述第二导电图形的至少一个焊球。
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，使用激光消融形成所述通孔。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述半导体封装还包括电耦合到所述第二导电图形的电子条连接器。
9.根据权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述连接器组件包括安装在所述电子条连接器上的至少一个焊球。
10.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述封装基板是一体式...
【专利技术属性】
技术研发人员：金光，李勋择，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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