【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括至少一个发光层(b)的有机电致发光器件，所述至少一个发光层(b)包括作为主体的tta材料以及发射具有小于或等于0.25ev的半峰全宽(fwhm)的光的小半峰全宽(fwhm)发射体(sb)。另外，根据专利技术的有机电致发光器件包括与发光层(b)相邻的激子管理层，激子管理层包括主体材料、至少一种激发能量转移组分(eet)和小半峰全宽发射体(sb)。此外，本专利技术涉及一种用于产生有机电致发光器件的方法和一种用于通过根据本专利技术的有机电致发光器件产生可见光(优选地蓝光或绿光)的方法。
技术介绍
技术实现思路
1、技术问题
2、包含一个或更多个基于有机物的发光层的有机电致发光器件(诸如以有机发光二极管(oled)、发光电化学电池(lec)和发光晶体管为例)获得了越来越多的重要性。具体地，oled是用于电子产品(诸如以屏幕、显示器和照明装置为例)的有前途的器件。与基本上基于无机物的大多数电致发光器件相反，基于有机物的有机电致发光器件通常相当柔性并且可制造为特别薄的层。目前已经可获得的oled类屏幕和显示器具有良好的效率和长寿命或者良好的色纯度和长寿命，但是没有组合全部三种性质(即，良好的效率、长寿命和良好的色纯度)。
3、oled的色纯度或颜色点通常由ciex和ciey坐标提供，而用于下一代显示器的色域由所谓的bt-2020和dcpi3值提供。通常，为了实现这些色坐标，需要顶部发射器件以通过改变腔来调节色坐标。为了在以这些色域为目标的同时在顶部发射器件中实现高
4、现有技术的磷光发射体表现出由磷光类oled(pholed)的宽发射反映的相当宽的发射，且具有通常大于0.25ev的发射光谱的半峰全宽(fwhm)。底部发射器件中的pholed的宽发射光谱在以bt-2020和dcpi3色域为目标的同时导致针对顶部发射器件结构的外耦合效率的高损失。
5、另外，磷光材料通常基于例如铱的过渡金属，由于过渡金属通常的低丰度，过渡金属在oled堆叠体内是相当昂贵的材料。因此，过渡金属类材料具有用于降低oled成本的最大潜力。因此，oled堆叠体内的过渡金属的含量的降低是用于oled应用定价的关键性能指标。
6、最近，已经开发了显示相当窄的发射光谱的一些荧光或热激活延迟荧光(tadf)材料，其表现出通常小于或等于0.25ev的发射光谱的fwhm，因此更适合于实现bt-2020和dcpi3色域。然而，这种荧光和tadf材料通常由于在较高的亮度下降低的效率(即，oled的滚降行为)而具有低效率以及由于例如激子-极化子湮灭或激子-激子湮灭而引起的低寿命。
7、这些缺点可以通过应用所谓的超方法在一定程度上克服。后者依赖于使用将能量转移到优选地显示如上所述的窄发射光谱的荧光发射体的能量泵。能量泵可以是例如显示反向系间窜越(risc)的tadf材料或者显示有效系间窜越(isc)的过渡金属配合物。然而，这些方法仍然没有提供结合上述期望特征(即：良好的效率、长寿命和良好的色纯度)中的全部的有机电致发光器件。
8、用于产生光的有机电致发光器件的中心元件通常是放置在阳极与阴极之间的至少一个发光层。当电压(和电流)被施加到有机电致发光器件时，空穴和电子分别从阳极和阴极注入。通常，空穴传输层位于发光层与阳极之间，并且电子传输层通常位于发光层与阴极之间。顺序地设置不同层。然后通过空穴和电子在发光层中的复合产生高能量的激子。这种激发态(例如，诸如s1的单重态和/或诸如t1的三重态)到基态(s0)的衰减期望地导致光的发射。
9、技术方案
10、令人惊讶的是，已经发现，包括包含tta材料和小半峰全宽(fwhm)发射体的发光层以及与发光层相邻的激子管理层(exl)的有机电致发光器件提供了理想地适合于实现蓝色bt-2020和dcpi3色域的具有长寿命、高光致发光量子产率并且表现出窄发射的有机电致发光器件。
11、在此，激子管理层(exl)的至少一种激发能量转移组分(eet)可以将激发能量转移到发射光的小半峰全宽(fwhm)发射体(sb)。
12、本专利技术涉及一种包括发光层的有机电致发光器件。
13、有机电致发光器件可以包括：
14、a)阳极层；
15、htl)空穴传输层(htl)，包括空穴传输材料(htm)；
16、b)至少一个发光层(b)，包括(a-i)至少一种激发能量转移组分(eet)、(a-ii)小半峰全宽(fwhm)发射体(sb)、(a-iii)主体材料(hb)、(ib)三重态-三重态-湮灭(tta)材料(htta)以及(iib)小半峰全宽(fwhm)发射体(sb)；
17、c)阴极层，
18、其中，
19、在此层的顺序为a-htl-b-c，
20、激发能量转移组分(eet)选自于由tadf材料、磷光材料和激基复合物组成的组。
21、在一个实施例中，有机电致发光器件可以包括：
22、a)阳极层，
23、htl)空穴传输层(htl)，包括空穴传输材料(htm)；
24、exl)激子管理层(exl)，包括(a-i)至少一种激发能量转移组分(eet)、(a-ii)小半峰全宽(fwhm)发射体(sb)和(a-iii)主体材料(hb)；
25、b)至少一个发光层(b)，包括：(ib)三重态-三重态-湮灭(tta)材料(htta)；以及(iib)小半峰全宽(fwhm)发射体(sb)；
26、c)阴极层，
27、其中，
28、在此层的顺序为a-htl-b-c，
29、激发能量转移组分(eet)选自于由tadf材料、磷光材料和激基复合物组成的组；
30、其中，有机电致发光器件的特征在于满足以下标准a)和b)中的一个：
31、a)激子管理层(exl)定位为与发光层(b)相邻，位于发光层(b)与空穴传输层(htl)之间；以及
32、b)激子管理层(exl)定位为与两个发光层(b)相邻，位于两个发光层(b)之间。
33、换言之，有机电致发光器件的特征可以在于满足以下标准a)和b)中的一个，其中，激子管理层(exl)为：
34、a)定位为与发光层(b)相邻，位于发光层(b)与空穴传输层(htl)之间；
35、b)将发光层(b)分离为两部分，并且以夹层型布置位于其分离的部分之间。
36、条件a)导致a-htl-exl-b-c的层的顺序。
37、条件b)导致a-htl-b1-exl-b2-c的层的顺序，其中，顺序b1-exl-b2被称为夹层型布置，
38、b1和b2包括三重态-三重态-湮灭(tta)材料，以及
39、小半峰全宽(fwhm)发射体(sb)。关于发光层(b)的厚度的陈述或信息指发光层(b1)和发光层(b2)本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层(EXL)比所述发光层(B)薄，并且如果存在多于一个发光层(B)，则所述激子管理层比所有发光层(B)的总厚度薄。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层(EXL)包括至少一种磷光材料。
4.根据权利要求1至3中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述主体材料(HB)具有具备能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)，所述空穴传输材料(HTM)具有具备能量EHOMO(HHTM)的最高占据分子轨道HOMO(HTM)，其中，满足以下条件：
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其中，满足以下条件：
6.根据权利要求1至5中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴传输材料(HTM)具有最低激发三重态能级E(T1HTM)，所述主体材料(HB)具有最低激发三重态能级E(T1HB)，其中，满足以下条件：
7.根据权利要求1至6中的一项或更多项所述的
8.根据权利要求1至7中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述TTA材料包括由式4表示的结构：
9.根据权利要求1至8中的一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述小半峰全宽(FWHM)发射体(SB)发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)并且具有在440nm与480nm之间的发射最大值的光。
10.根据权利要求1至9中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述小FWHM发射体(SB)满足以下要求中的至少一个：
11.根据权利要求1至10中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层(EXL)包括结构上不相同的激发能量转移组分(EET-1和EET-2)。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光器件，其中，EET-1和EET-2彼此独立地选自于TADF材料和磷光材料。
13.根据权利要求1至12中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述至少一种(EET)是TADF材料(EB)，其特征在于：
14.一种用于产生根据权利要求1至13中任一项所述的有机电致发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：
15.一种用于生成光的方法，所述方法包括以下步骤：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述方法用于产生具有在440nm至480nm的波长内的主发射峰的发射最大值的光。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述方法用于产生具有在500nm至560nm的波长内的主发射峰的发射最大值的光。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层(exl)比所述发光层(b)薄，并且如果存在多于一个发光层(b)，则所述激子管理层比所有发光层(b)的总厚度薄。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层(exl)包括至少一种磷光材料。
4.根据权利要求1至3中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述主体材料(hb)具有具备能量ehomo(hb)的最高占据分子轨道homo(hb)，所述空穴传输材料(htm)具有具备能量ehomo(hhtm)的最高占据分子轨道homo(htm)，其中，满足以下条件：
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其中，满足以下条件：
6.根据权利要求1至5中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴传输材料(htm)具有最低激发三重态能级e(t1htm)，所述主体材料(hb)具有最低激发三重态能级e(t1hb)，其中，满足以下条件：
7.根据权利要求1至6中的一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，满足以下条件：
8.根据权利要求1至7中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述tta材料包括由式4表示的结构：
9.根据权利要求1至8中的一项或更多...
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