【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种光检测装置和电子设备。
技术介绍
1、传统上，已经提出了一种光检测装置，其包括基板、以二维方式布置在基板中的多个光电转换单元以及布置在光电转换单元之间的像素间遮光壁，其中，p型固相扩散层沿像素间遮光壁形成在像素间遮光壁和光电转换单元之间(例如参见专利文献1)。在专利文献1所述的光检测装置中，像素间遮光壁由在基板的正面侧上开口的沟槽部和嵌入在沟槽部中的嵌入部形成，此外，p型固相扩散层是通过从沟槽部的内侧面向基板中掺杂p型杂质而形成的。
2、引用文献列表
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利申请公开第2018-148116号
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题
2、然而，在专利文献1所述的光检测装置中，实际上，沟槽部的宽度从基板的正面侧朝向背面侧变窄。因此，当形成p型固相扩散层时，掺杂在基板中的p型杂质的量从基板的正面侧朝向背面侧减少。因此，p型固相扩散层中包含的p型杂质的浓度存在从基板的正面侧朝向背面侧降低的趋势。结果，在构成光电转换单元的n型半导体区域所在的深度处，p型杂质的浓度较低，使得光电转换单元的pn结部分附近的内部电场减弱，并且存在光电转换单元的饱和电荷量减少的可能性。
3、相反，p型固相扩散层中包含的p型杂质的浓度存在从基板的背面侧朝向正面侧升高的趋势。因此，由于相反导电类型的杂质的浓度在诸如传输晶体管和复位晶体管等像素晶体管所在的深度处较高，因此在像素晶体管中产生强电场，并且存在暗电流
4、因此，由光检测装置获得的图像的图像质量可能会劣化。
5、因此，本公开的目的是提供一种能够获得具有更高图像质量的图像的光检测装置和电子设备。
6、技术问题的解决方案
7、根据本公开的光检测装置包括：(a)基板；(b)多个光电转换单元，其以二维方式布置在所述基板中；以及(c)像素分离部，其布置在彼此相邻的所述多个光电转换单元之间并且具有沟槽部，其中，(d)在所述基板中，在所述多个光电转换单元中的每者与所述像素分离部之间的至少一部分中形成与所述多个光电转换单元中的每者的电荷累积区域的导电类型相反的相反导电类型的半导体区域，(e)所述沟槽部的宽度对于通过沿厚度方向划分所述基板而获得的多个区域中的每者是不同的，并且在形成所述相反导电类型的所述半导体区域的区域中，所述区域是所述多个区域中的一者，所述沟槽部在第一区域中的宽度大于在第二区域中的宽度，所述第一区域是所述基板的与所述基板的光接收面相对的表面一侧上的区域，并且所述第二区域是在比所述第一区域更靠近所述基板的所述光接收面的一侧上的区域，并且(f)在所述相反导电类型的所述半导体区域中位于与所述像素分离部的界面处的部分中包括的所述相反导电类型的杂质的浓度在所述第一区域中比在所述第二区域中更低。
8、根据本公开的电子设备包括：光检测装置，其包括(a)基板、(b)以二维方式布置在所述基板中的多个光电转换单元以及(c)像素分离部，所述像素分离部布置在彼此相邻的所述多个光电转换单元之间并且具有沟槽部，其中，(d)在所述基板中，在所述多个光电转换单元中的每者与所述像素分离部之间的至少一部分中形成与所述多个光电转换单元中的每者的电荷累积区域的导电类型相反的相反导电类型的半导体区域，(e)所述沟槽部的宽度对于通过沿厚度方向划分所述基板而获得的多个区域中的每者是不同的，并且在形成所述相反导电类型的所述半导体区域的区域中，所述区域是所述多个区域中的一者，所述沟槽部在第一区域中的宽度大于在第二区域中的宽度，所述第一区域是所述基板的与所述基板的光接收面相对的表面一侧上的区域，并且所述第二区域是在比所述第一区域更靠近所述基板的所述光接收面的一侧上的区域，并且(f)在所述相反导电类型的所述半导体区域中位于与所述像素分离部的界面处的部分中包括的所述相反导电类型的杂质的浓度在所述第一区域中比在所述第二区域中更低。
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1.一种光检测装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，
3.根据权利要求1所述的光检测装置，
4.根据权利要求1所述的光检测装置，
5.根据权利要求1所述的光检测装置，其包括：
6.根据权利要求5所述的光检测装置，
7.根据权利要求1所述的光检测装置，
8.根据权利要求1所述的光检测装置，
9.一种电子设备，包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光检测装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，
3.根据权利要求1所述的光检测装置，
4.根据权利要求1所述的光检测装置，
5.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤智美，正垣敦，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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