【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长，尤其涉及单晶生长所用的装置相关。
技术介绍
1、液相法生长磷化铟晶体时，将籽晶杆固定在驱动装置的转轴端部，籽晶杆插入坩埚内与溶液接触，籽晶杆在缓慢转动并向上移动的过程中，磷化铟晶体逐渐生长在籽晶杆下端。
2、在相关技术中，坩埚多设置在炉体的底部，这样驱动装置的转轴向下延伸的长度较大；因此，转轴与设备支架之间的摩擦力较大。
3、为了保证晶体生长的质量，转轴的转动速度均较慢，但是，籽晶杆在转动的过程中，会存在一个摆动；同时，坩埚中晶体溶液中蒸汽和助剂存在挥发情况，挥发的蒸汽也会扰动籽晶杆；而籽晶杆的摆动幅度过大会影响晶体的生长质量。
4、因此，如何解决籽晶杆在转动的过程中减小摆动幅度是本领域亟需解决的技术难题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供用于磷化铟晶体生长的直拉装置及其工作方法。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了用于磷化铟晶体生长的直拉装置，包括：
3、炉体，其内部中空；
4、升降板，其升降设置在炉体上；
5、定位组件，其竖直设置在升降板下端，且定位组件内部中空；
6、夹紧组件，其转动设置在升降板上，夹紧组件设置在定位组件内部；
7、其中，夹紧组件相对定位组件转动时，定位组件内的滚柱被带动同步转动，以减小夹紧组件的晃动；
8、籽晶杆相对夹紧组件倾斜，夹紧组件的调节件向外翻转，以限位夹紧组件转动。
9、作为优选
10、定位架，若干所述定位架周向设置在外套筒内，所述定位架内部中空，且定位架的开口朝向外套筒轴心。
11、作为优选，所述滚柱转动设置在所述定位架内，且滚柱外壁与夹紧组件的外壁抵接。
12、作为优选，所述夹紧组件包括：定位套，其内部中空，定位套转动设置在所述外套筒内，且定位套外壁与滚柱抵接；
13、连接轴，其竖直固定在定位套的上方，连接轴适于驱动定位套周向转动。
14、作为优选，所述定位套的上端外壁周向开设有若干定位槽；
15、一个调节件对应一个定位槽，所述调节件上端铰接在定位槽内壁；
16、其中，籽晶杆插入定位套内后，所述调节件限位籽晶杆；
17、籽晶杆相对定位套倾斜晃动，籽晶杆挤压调节件，使其水平段凸出定位套外壁，所述调节件的水平段与滚柱抵接。
18、作为优选，所述定位套内设置有一夹紧箍，其设置在调节件和定位套之间，所述夹紧箍适于夹紧调节件。
19、作为优选，所述调节件包括：竖直片，其沿定位套轴向设置，且竖直片呈圆弧状；
20、水平片，其固定在竖直片的上端，所述水平片的中部铰接在定位槽内；
21、其中，籽晶杆挤压任一竖直片向定位套方向移动时，竖直片驱动水平片，使其以铰接点为轴向外凸出定位套。
22、作为优选，所述升降板上固定有一驱动电机，所述连接轴固定在驱动电机的转轴端部。
23、作为优选，机架固定在炉体底部，所述机架上矩阵式设置有若干升降装置，其竖直设置，升降板固定在升降装置的活动端。
24、作为优选，所述炉体侧壁开设有一观察窗，通过所述观察窗适于观测炉体内晶体生长状态。
25、另一方面，本专利技术还提供了一种用于磷化铟晶体生长的直拉装置的工作方法，包括：
26、籽晶杆插入夹紧组件内后，夹紧组件驱动籽晶杆周向转动，定位组件内的滚柱同步被夹紧组件驱动周向转动，以减小夹紧组件的晃动；
27、籽晶杆相对夹紧组件倾斜，夹紧组件的调节件向外翻转，以限位夹紧组件转动。
28、本专利技术的有益效果是，本专利技术的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，通过定位组件和夹紧组件的配合，在籽晶杆被夹紧组件限位固定后，夹紧组件驱动籽晶杆转动，滚柱跟随定位套转动，滚柱能够减小夹紧组件和籽晶杆的晃动；籽晶杆相对定位套倾斜晃动时，籽晶杆挤压任一竖直片向定位套方向移动时，竖直片驱动水平片，使其以铰接点为轴向外凸出定位套，升降板驱动籽晶杆向上移动脱离溶液，避免了籽晶杆晃动幅度过大影响炉体内的溶液，提高了晶体的生长质量。
29、本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。
30、为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
9.一种如权利要求1所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置的工作方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的用于磷化铟晶体生长的直拉装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的用于磷化铟晶体生长的直拉...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾正伟，欧俊朝，刘鑫，欧阳晋，
申请(专利权)人：苏州中砥半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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