【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、由于各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小部件尺寸的反复减小，这使更多的元件能够集成到给定的区域中。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一存储器单元，包括多个第一栅极结构，其中，第一栅极结构全部沿第一横向方向延伸，并且沿垂直于第一横向方向的第二横向方向彼此间隔开；第二存储器单元，沿第一横向方向物理地布置在第一存储器单元旁边，并且包括多个第二栅极结构，其中，第二栅极结构全部沿第横向方向延伸并且沿第二横向方向彼此间隔开；多个第一组字线，沿第一横向方向延伸，第一组字线中的每个第一组字线可操作地耦接到第一存储器单元和第二存储器单元中的对应一个并且具有数量n个字线；第一位线，沿第二横向方向延伸，并且可操作地耦接到第一存储器单元；以及第二位线，沿第二横向方向延伸，并且可操作地耦接到第二存储器单元；其中，第一位线在第二横向方向上的第一长度和第二位线在第二横向方向上的第二长度各自与数量n成反比。
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一存储器单元，以四接触多晶硅节距(4cpp)架构形成；第二存储器单元，也以4cpp架构形成并且沿第一横向方向物理地与第一存储器单元相邻布置；第一字线，沿第一横向方向延伸并且可操作地耦接到第一存储器单元；第二字线，沿第一横向方向延伸并
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在平面布置图上放置以四接触多晶硅节距(4cpp)架构形成的第一存储器单元；在平面布置图上沿第一横向方向与第二存储器单元第一存储器单元相邻布置，并且第二存储器单元也以4cpp架构形成；将多个字线组连接到第一存储器单元和第二存储器单元中的对应的一个，多个字线组中的每个字线组沿第一横向方向延伸并且具有数量n个字线；将第一位线连接到第一存储器单元，第一位线沿垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸；以及将第二位线连接到第二存储器单元，第二位线沿第二横向方向延伸。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.一种半导体器件，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：藤原英弘，林志宇，石井雄一郎，薮内诚，滨田昌也，新居浩二，陈炎辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。