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【技术实现步骤摘要】
本公开的一些实施例的方面涉及一种显示装置。
技术介绍
1、有机发光显示设备包括被构造为产生可以根据电流而变化的亮度的显示元件。显示元件可以包括例如有机发光二极管。
2、在该
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对
技术介绍
的理解,因此在该
技术介绍
部分中讨论的信息不必构成现有技术。
技术实现思路
1、本公开的一些实施例的方面涉及一种显示装置,并且例如,涉及一种其中当施加外部冲击时缺陷像素可以自动变暗的显示装置。
2、本公开的一些实施例的方面包括一种其中缺陷像素可以基于所施加的外部冲击而自动变暗的显示装置。
3、本公开的特征不限于上述特征,并且本领域技术人员将从本公开的一些实施例的以下描述中清楚地理解这里未提及的本公开的附加特征。
4、根据本公开的一些实施例,一种显示装置包括:基底;绝缘膜,在基底上,并且具有限定第一隔离区域和第二隔离区域的隔离凹槽;第一晶体管,在第一隔离区域中;以及像素电极,连接到第一晶体管,并且与隔离凹槽叠置。
5、根据一些实施例,像素电极在隔离凹槽上。
6、根据一些实施例,像素电极的一侧在第一隔离区域中,并且像素电极的相对侧在第二隔离区域中。
7、根据一些实施例,第一晶体管连接到像素电极的一侧。
8、根据一些实施例,显示装置还包括:第二晶体管,连接到像素电极的相对侧,并且在第二隔离区域中。
9、根据一些实施例,显示装置还包括:发射层,在像素电极上。
11、根据一些实施例,第一晶体管与像素电极之间的接触位于第一隔离区域中。
12、根据一些实施例,显示装置还包括:第二晶体管,连接到像素电极。
13、根据一些实施例,第二晶体管在第二隔离区域中。
14、根据一些实施例,第二晶体管与像素电极之间的接触位于第二隔离区域中。
15、根据一些实施例,第二晶体管的栅电极连接到栅极线,第二晶体管的源电极和漏电极中的一个连接到像素电极,并且第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个连接到初始化电压线。
16、根据一些实施例,第二晶体管响应于来自栅极线的栅极信号而将来自初始化电压线的初始化电压提供到像素电极。
17、根据一些实施例,包括像素电极的发光元件通过初始化电压截止。
18、根据一些实施例,像素电极的与隔离凹槽叠置的一部分具有比像素电极的其他部分小的宽度。
19、根据一些实施例,显示装置还包括:隔离层,在隔离凹槽中。
20、根据一些实施例,像素电极在隔离层上。
21、根据一些实施例,显示装置还包括:突出部分,在隔离凹槽与像素电极之间。
22、根据一些实施例,显示装置还包括:堤,在像素电极上,并且在隔离凹槽和像素电极彼此叠置的位置具有开口。
23、根据一些实施例,显示装置还包括:共电极,在堤上,并且在隔离凹槽和像素电极彼此叠置的位置具有孔。
24、根据一些实施例,堤的开口的中心和共电极的孔的中心与隔离凹槽的中心对准。
25、根据一些实施例,堤的开口的中心和共电极的孔的中心与隔离凹槽的一个边缘相邻定位。
26、根据一些实施例,显示装置还包括:堤,在像素电极上,并且在隔离凹槽和像素电极彼此叠置的位置具有比在第一隔离区域中小的厚度。
27、根据本公开的一些实施例,一种显示装置包括:基底;绝缘膜,具有位于基底的第一隔离区域与第二隔离区域之间的边界处的隔离凹槽;像素电极,与隔离凹槽叠置;第一晶体管,在第一隔离区域中;以及像素电极,连接到第一晶体管,并且与隔离凹槽叠置。
28、根据本公开的一些实施例,显示装置中的缺陷像素可以响应于所施加的外部冲击而自动(例如,无需人为干预)变暗。结果,可以能够抑制由于缺陷像素引起的显示图像的劣化。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素电极在所述隔离凹槽上。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素电极的一侧在所述第一隔离区域中,并且所述像素电极的相对侧在所述第二隔离区域中。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一晶体管连接到所述像素电极的所述一侧。
5.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括:
6.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述发射层在所述第二隔离区域中在所述像素电极上。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一晶体管与所述像素电极之间的接触位于所述第一隔离区域中。
9.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二晶体管在所述第二隔离区域中。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二晶体管与所述像素电极之间的接触位于所述第二隔离区域中。
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素电极在所述隔离凹槽上。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素电极的一侧在所述第一隔离区域中,并且所述像素电极的相对侧在所述第二隔离区域中。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一晶体管连接到所述像素电极的所述一侧。
5.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括:
6.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述发射层在所述第二隔离区域中在所述像素电极上。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一晶体管与所述像素电极之间的接触位于所述第一隔离区域中。
9.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二晶体管在所述第二隔离区域中。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二晶体管与所述像素电极之间的接触位于所述第二隔离区域中。
12.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二晶体管的栅电极连接到栅极线,所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个连接到所述像素电极,并且所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个连接到初始化电压线。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈栋焕,朴光雨,李彦周,李震龙,张哲,赵镛善,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:
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