【技术实现步骤摘要】
一个或多个实施方式涉及显示装置并且涉及制造其的方法。
技术介绍
1、显示装置向用户提供诸如图像或视频的视觉信息。随着各种电子装置(诸如计算机、大型电视等)的发展，近来已经开发了要在其中应用的各种类型的显示装置，并且广泛地使用基于移动性的电子装置。例如，不仅诸如移动电话的小型电子装置而且平板个人计算机(pc)被广泛地用作移动电子装置。
2、显示装置包括显示区域和非显示区域，并且多个发光元件布置在显示区域中。显示装置可以通过由发光元件发射的光来提供图像。发光元件可以包括像素电极和反电极。
技术实现思路
1、一个或多个实施方式包括具有改善的可靠性的显示装置和制造其的方法。然而，这种方面仅仅是示例，并且本公开的范围不由此限制。
2、另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本公开所呈现的实施方式的实践来获知。
3、根据一个或多个实施方式，显示装置包括：衬底；像素电路层，在衬底上，并且包括至少一个薄膜晶体管；以及像素电极，在像素电路层上，并且电连接到薄膜晶体管，其中，像素电极包括反射层、在反射层上的导电层和在导电层上的氧化物层，并且其中，导电层的厚度与氧化物层的厚度的比率为约1.51至约2.331。
4、导电层的厚度可以大于或等于约且小于或等于约
5、氧化物层的厚度可以小于或等于约
6、反射层的厚度可以大于或等于约且小于或等于约
7、导电层可以包括氮化钛(tin)。>
8、氧化物层可以包括氮氧化钛(tion)或钛氧化物(tiox)。
9、氧化物层可以包括：第一氧化物层，包括氮氧化钛(tion)；以及第二氧化物层，在第一氧化物层上，并且包括钛氧化物(tiox)。
10、反射层可以包括铝铜合金(al-cu合金)。
11、铝铜合金(al-cu合金)中的cu的原子比可以大于或等于约0.01at％且小于或等于约0.1at％。
12、衬底可以包括半导体衬底。
13、根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：在衬底上形成包括至少一个薄膜晶体管的像素电路层；在像素电路层上形成像素电极的电连接到像素电路层的反射层；在像素电极的反射层上形成像素电极的导电层；以及通过氧化包括在导电层中的材料的至少部分，在像素电极的导电层上形成氧化物层，其中，导电层的厚度与氧化物层的厚度的比率为约1.51至约2.331。
14、形成反射层和形成导电层可以包括：在像素电路层上形成反射层形成材料；在反射层形成材料上形成导电层形成材料；在导电层形成材料的至少部分上形成光刻胶；通过蚀刻反射层形成材料和导电层形成材料的其上没有布置光刻胶的至少部分来形成反射层和导电层；以及去除光刻胶。
15、所述方法还可以包括在形成导电层之后跳过用氧气(o2)灰化导电层的表面。
16、导电层的厚度可以大于或等于约且小于或等于约
17、氧化物层的厚度可以小于或等于约
18、反射层的厚度可以大于或等于约且小于或等于约
19、导电层可以包括氮化钛(tin)，其中，氧化物层包括氮氧化钛(tion)或钛氧化物(tiox)。
20、氧化物层可以包括：第一氧化物层，包括氮氧化钛(tion)；以及第二氧化物层，在第一氧化物层上，并且包括钛氧化物(tiox)。
21、反射层可以包括铝铜合金(al-cu合金)，其中，在铝铜合金(al-cu合金)中，cu的原子比大于或等于约0.01at％且小于或等于约0.1at％。
22、衬底可以包括半导体衬底。
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1.显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层的所述厚度大于或等于且小于或等于
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物层的所述厚度小于或等于
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射层的厚度大于或等于且小于或等于
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层包括氮化钛。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物层包括氮氧化钛或钛氧化物。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物层包括：
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射层包括铝铜合金。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述铝铜合金中的铜的原子比大于或等于0.01at％且小于或等于0.1at％。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底包括半导体衬底。
11.制造显示装置的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述反射层和形成所述导电层包括：
13.根据权利要
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述导电层的所述厚度大于或等于且小于或等于
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述氧化物层的所述厚度小于或等于
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述反射层的厚度大于或等于且小于或等于
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述导电层包括氮化钛，以及
18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述氧化物层包括：
19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述反射层包括铝铜合金，以及
20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述衬底包括半导体衬底。
...【技术特征摘要】
1.显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层的所述厚度大于或等于且小于或等于
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物层的所述厚度小于或等于
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射层的厚度大于或等于且小于或等于
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层包括氮化钛。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物层包括氮氧化钛或钛氧化物。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物层包括：
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射层包括铝铜合金。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述铝铜合金中的铜的原子比大于或等于0.01at％且小于或等于0.1at％。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底包括半导体衬底。
...【专利技术属性】
技术研发人员：朴精花，李昌岵，申美香，安那璃，李在汉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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