【技术实现步骤摘要】
本公开涉及匹配电路基板和半导体装置。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了高频放大装置的一个例子。该高频放大装置是内部匹配型的高输出场效应晶体管，具备：封装件；放大元件，安装于封装件上，对高频信号进行放大；输入匹配电路基板，连接于放大元件的输入端与封装件的输入端之间，进行阻抗变换；以及输出匹配电路基板，连接于放大元件的输出端与封装件的输出端之间，进行阻抗变换。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开昭63－86904号公报
5、在专利文献1所记载的半导体装置中，晶体管(放大元件)和匹配电路部件通过导电性粘接剂(金属膏)被安装于封装基板上。该半导体装置有时会成为例如对该匹配电路部件施加负电压的构成，会以被由该构成产生的负的电场吸引的形式，发生从金属膏向接地电极的迁移。特别是，在使用银(ag)膏来作为金属膏的情况下，银容易被负的电场吸引，因此有时会引起离子迁移。
技术实现思路
1、本公开的目的在于，提供能抑制金属膏的迁移的匹配电路基板和半导体装置。
2、本公开的一个实施方式的匹配电路基板具备：第一基板；第二基板，以与第一基板的第一面对置的方式设置；以及第三基板，以与第一基板的第二面对置的方式设置，其中，该第二面是与所述第一基板的第一面相反的面。第一基板具有第一绝缘体、设于第一绝缘体的主面上的第一金属图案以及设于第一绝缘体的周缘的多个第一导通过孔。第二基板具有第二绝缘体、设于第二绝缘体的主面上的第二金属图案以及设
3、专利技术效果
4、根据本公开，能抑制金属膏的迁移。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种匹配电路基板，具备：
2.根据权利要求1所述的匹配电路基板，其中，
3.根据权利要求1所述的匹配电路基板，其中，
4.根据权利要求1所述的匹配电路基板，还具备：
5.根据权利要求4所述的匹配电路基板，其中，
6.根据权利要求1所述的匹配电路基板，其中，
7.根据权利要求4所述的匹配电路基板，还具备：
8.根据权利要求7所述的匹配电路基板，还具备：
9.根据权利要求8所述的匹配电路基板，还具备：
10.根据权利要求9所述的匹配电路基板，其中，
11.一种半导体装置，具备：
【技术特征摘要】
1.一种匹配电路基板，具备：
2.根据权利要求1所述的匹配电路基板，其中，
3.根据权利要求1所述的匹配电路基板，其中，
4.根据权利要求1所述的匹配电路基板，还具备：
5.根据权利要求4所述的匹配电路基板，其中，
6.根据权利要求1所述的匹...
【专利技术属性】
技术研发人员：中岛郁夫，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。